--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: DTM9906-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- RDS(ON): 28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): ±1.9V
封装: SOP8
应用简介:
DTM9906-VB是一款多功能的N+P-Channel MOSFET,结合了N沟道和P沟道的优势,适用于宽泛的功率控制和开关应用。
举例说明:
1. **电动车电机控制**: 在电动车电机控制系统中,DTM9906-VB可用于电机驱动和制动模块,实现高效的动力输出和能量回收。
2. **工业电源**: 在工业电源设备中,该MOSFET可作为开关器件,实现电源的稳定输出和高效转换,提高设备的可靠性和性能。
3. **电池管理**: 在电池管理系统中,DTM9906-VB可用于充放电控制和保护,确保电池安全可靠地运行。
4. **医疗设备**: 作为医疗设备中的功率开关,可用于各种医疗设备的电源管理和控制,确保设备稳定可靠地运行。
以上示例展示了DTM9906-VB在电动车、工业电源、电池管理和医疗设备等领域中的广泛应用,为各种应用场景提供高效的功率控制解决方案。
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