--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VB1102M N-Channel MOSFET**
- **参数 (Specifications):**
- 封装 (Package): SOT23
- 沟道类型 (Channel Type): N-Channel
- 额定电压 (Rated Voltage): 100V
- 额定电流 (Rated Current): 2A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Threshold Voltage): 2V
- **应用简介 (Application Overview):**
- 高性能N-Channel MOSFET适用于多种应用场景。
- **示例应用 (Example Applications):**
1. **电源模块 (Power Modules):** 由于高额定电压和低导通电阻,适用于电源模块,提供有效的功率转换。
2. **电机驱动 (Motor Drives):** 在电机控制中,可用于实现高效能量转移和电机运行的可靠性。
3. **LED照明 (LED Lighting):** 适用于LED驱动电路,带有低阈值电压,有助于降低功耗。
4. **电源开关 (Power Switching):** 在各种电源开关应用中,提供可靠的高电压开关。
**注意:** 在使用之前,请仔细阅读产品手册和规格表以确保正确应用。
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