--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: DTS3401-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
封装: SOT23
**详细参数说明:**
- 极性: P—Channel
- 最大漏电压(Vds): -30V
- 最大漏电流(Id): -5.6A
- 开启态漏电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V
**应用简介:**
DTS3401-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装。该器件在负30V的最大漏电压条件下,具有负5.6A的最大漏电流能力,并在不同门源电压下表现出47mΩ的低开启态漏电阻。其阈值电压为负1V。
**应用领域:**
由于DTS3401-VB的性能参数,它可能在以下领域得到广泛应用:
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关电路,如开关电源、电源适配器和电池管理。
2. **电流控制模块:** 可用于电流调节器和电流限制器,确保电流稳定和可控。
3. **信号放大模块:** 由于其P—Channel极性,适用于需要P—Channel MOSFET的信号放大电路。
4. **电源逆变器:** 在需要逆变功能的电源逆变器中,DTS3401-VB可以用于控制电源的开关和反相。
这些应用场景仅为示例,具体使用取决于系统设计的要求和性能参数的匹配。
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