--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi 335N-VB 晶体管的详细参数和应用简介:**
**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:335N-VB
- 丝印:VB1240
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压(Vth):0.45~1V

**应用简介:**
335N-VB 是一款N-Channel沟道类型的场效应晶体管,适用于多种电子电路和模块应用。
**应用领域:**
该晶体管可以广泛用于以下领域:
1. **电源管理模块:** 由于其较低的导通电阻和适中的电压电流参数,可用于电源管理模块,如电源开关、稳压模块等。
2. **电机驱动:** 适用于电机驱动电路,例如直流电机驱动,以实现有效的电流控制。
3. **LED驱动:** 在LED照明领域,可用于LED驱动电路,帮助实现高效能和稳定的LED照明系统。
4. **电源逆变器:** 在逆变器电路中,用于将直流电源转换为交流电源,可应用于太阳能逆变器等。
**注意:** 以上只是一些典型的应用场景,实际应用可能会根据具体设计要求有所不同。在设计电路时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南以确保正确使用和性能优化。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N