--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi ED3P03-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率场效应管,具备以下参数:
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-7A
- 导通电阻:35mΩ @ VGS=10V;35mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压:-1.5V
该器件采用SOP8封装,丝印标识为VBA4338,属于VBsemi品牌产品。
**详细参数说明:**
ED3P03-VB是一款专为负载开关和功率管理应用设计的P—Channel场效应管。其具有低导通电阻和高耐压能力,适用于各种负载开关设计。
**应用简介:**
ED3P03-VB适用于多种应用场景,为设计者提供高效的功率控制解决方案。
1. **电源开关:** 用于电源开关模块,提供可靠的功率开关控制,适用于电源管理系统。
2. **电池保护:** 在电池管理系统(BMS)中,ED3P03-VB可用于电池保护开关,确保电池的安全和稳定性。
3. **DC-DC转换器:** 在DC-DC转换器模块中,可用于高效能的电能转换,满足各种电源供应需求。
4. **LED驱动:** 适用于LED照明领域,通过其卓越的性能,可实现高效的LED驱动设计。
5. **电机驱动:** 在小功率电机控制中,ED3P03-VB可用于电机驱动器设计,提供可靠的功率控制。
ED3P03-VB通过其优越的性能和高度集成的设计,为各种应用领域提供了可靠的功率场效应管解决方案。
为你推荐
-
9916H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:34
产品型号:9916H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9916GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:32
产品型号:9916GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
9916GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:31
产品型号:9916GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9915J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:29
产品型号:9915J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
9915H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:25
产品型号:9915H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
9915GK-VB一款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:23
产品型号:9915GK-VB 封装:SOT223 沟道:Single-N -
9915GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:22
产品型号:9915GH-VB 封装z:TO252 沟道:Single-N -
9912J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:20
产品型号:9912J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
9912H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:17
产品型号:9912H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
98T06GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-26 15:15
产品型号:98T06GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N