--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:F7342D2-VB
丝印:VBA4658
品牌:VBsemi
参数:
- 通道类型:P型场效应管,共2个通道
- 额定电压:-60V
- 最大电流:-5.3A
- 静态导通电阻:58mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)
- 阈值电压:-1~-3V
- 封装:SOP8
中文详细参数说明:
F7342D2-VB为VBsemi生产的双通道P型场效应管,适用于额定电压为-60V,最大电流为-5.3A的应用场景。具有较低的静态导通电阻(58mΩ),在10V和20V时VGS下的RDS(ON)表现良好。其阈值电压范围为-1V至-3V,适合各种电源管理和功率控制应用。
应用简介:
1. 电池保护模块:F7342D2-VB可用于设计电池保护模块,用于锂电池组等电源系统的过压、过流保护,保障电池的安全性和稳定性。
2. 直流电源开关模块:该器件适用于直流电源开关模块中,用作功率开关和电流控制器,实现电源的开关和调节功能,适用于工业控制和通信设备等领域。
3. 电动汽车充电控制模块:F7342D2-VB可用于电动汽车充电控制模块中,实现充电桩的电流控制和电源管理,保障充电过程的安全和高效。
举例说明:
- 在电池保护模块中,该器件可用于设计锂电池组的电压和电流保护电路,防止电池过充、过放和短路等情况,保护电池的安全和寿命。
- 在直流电源开关模块中,F7342D2-VB可用于设计直流电源的开关和调节功能,为工业控制设备和通信基站等提供稳定可靠的电源输出。
- 在电动汽车充电控制模块中,该器件可用作充电桩的功率开关,实现对电动汽车充电过程的精确控制,提高充电效率和安全性。
为你推荐
-
AOT8N80-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:17
产品型号:AOT8N80-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT8N50-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:16
产品型号:AOT8N50-VB 封装:Single-N 沟道:Single-N -
AOT7S65-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:15
产品型号:AOT7S65-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT7S60-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:13
产品型号:AOT7S60-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT7N70-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:12
产品型号:AOT7N70-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT5N60-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:11
产品型号:AOT5N60-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT5N50-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:10
产品型号:AOT5N50-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT480L-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:09
产品型号:AOT480L-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT472-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:07
产品型号:AOT472-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AOT430-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-09 16:06
产品型号:AOT430-VB 封装:TO220 沟道:Single-N