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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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FW359-TL-E-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FW359-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 N+P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:FW359-TL-E-VB

丝印:VBA5638

品牌:VBsemi

参数:

- 沟道类型:N+P 沟道
- 工作电压范围:±60V
- 最大电流:6.5A(正向) / -5A(反向)
- 开启电阻:28mΩ @ VGS=10V / 51mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压:±1.9V
- 封装类型:SOP8

应用简介:

FW359-TL-E-VB系列器件具有N+P沟道设计,适用于各种电源管理和功率控制应用。其可靠性高、性能稳定,能够在广泛的工作电压范围内提供可靠的性能。适用于以下领域和模块:

1. 电源转换器模块:该系列器件适用于电源转换器模块,能够有效地实现电能转换和功率调节,提高系统的效率和稳定性。

2. 电机驱动器:具有较低的开启电阻和高功率输出特性,适用于电机驱动器模块,能够提供可靠的电力输出,驱动各种类型的电机。

3. 汽车电子系统:由于其高工作电压范围和可靠性,适用于汽车电子系统中的电源管理和功率控制模块,能够满足汽车电子设备的需求。

4. 工业控制系统:在工业控制系统中,该系列器件可用于实现各种类型的电力控制和电源管理功能,提高系统的稳定性和效率。

5. LED驱动器:适用于LED照明系统中的驱动器模块,能够提供稳定的功率输出,实现LED照明系统的高效能和长寿命。

以上是FW359-TL-E-VB系列器件的中文详细参数说明和应用简介,希望对您有所帮助。

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