--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:HAT1036RJ-VB
丝印:VBA2311
品牌:VBsemi
参数:
- P—Channel沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-11A
- RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1.42V
封装:SOP8
应用简介:
HAT1036RJ-VB是一款性能卓越的P—Channel沟道场效应晶体管,具有低阻值和高可靠性。适用于各种领域和模块,特别在以下方面表现出色:
1. **电源管理模块:** 由于其低阻值和高电流能力,适用于电源开关和逆变器模块,提高整体效率。
2. **电机驱动控制:** 在电机驱动中,HAT1036RJ-VB可有效降低导通损耗,提高系统性能。
3. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,可用于功率分配、照明控制等模块,确保稳定可靠的电源供应。
4. **工业自动化:** 适用于各种工业控制系统,提供高效的电源开关和电流控制。
5. **LED驱动:** 在LED照明领域,可用于电源管理和驱动电路,实现高效的能源利用。
以上应用场景仅为举例,HAT1036RJ-VB的高性能和多功能性使其成为多个电子领域的理想选择。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N