**K2911-VB 详细参数说明：**
- **丝印：** VB1102M
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23
- **类型：** N—Channel 沟道 MOSFET
- **最大耐压：** 100V
- **最大电流：** 2A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值：** Vth = 2V
**应用简介：**
K2911-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET，属于VBsemi品牌产品线。其特性包括最大耐压100V、最大电流2A，以及低导通电阻(RDS(ON))为246mΩ。门源电压阈值(Vth)为2V，适用于各种电子应用场景。
**应用举例：**
1. **电源模块：** 由于其较高的耐压和适度的电流，K2911-VB可用于电源模块中的开关电源，帮助实现高效、稳定的电能转换。
2. **电机驱动：** 在电机控制模块中，K2911-VB的N—Channel MOSFET特性使其成为电机驱动电路中的理想选择，提供可靠的功率开关控制。
3. **照明控制：** 适用于LED照明控制模块，帮助实现灯光的可调亮度和稳定的电流控制。
4. **电子设备保护：** 在电子设备中，K2911-VB可作为过流、过压保护模块的关键元件，有效保护电子设备免受异常电流和电压的影响。
**总结：**
K2911-VB适用于多种领域，包括电源模块、电机驱动、照明控制和电子设备保护。其N—Channel MOSFET特性和SOT23封装使其在不同应用场景中均具备高性能和可靠性。
