--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
MEM2302XG-VB
- 丝印: VB1240
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
**参数:**
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V
**封装:**
- SOT23
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/CA/wKgZomUJZJ2AQf8dAAFPm57UPhI694.png)
**详细参数说明:**
MEM2302XG-VB是VBsemi生产的N-Channel沟道类型场效应晶体管,采用SOT23封装。其额定电压为20V,额定电流为6A,具有低导通电阻(RDS(ON))为24mΩ @ VGS=4.5V和VGS=8V。阈值电压(Vth)在范围0.45~1V之间。
**应用简介:**
MEM2302XG-VB适用于多种电子设备和模块,主要用于需要N-Channel沟道类型场效应晶体管的应用场景。其常见应用包括但不限于:
1. **电源模块:** 在电源开关和稳压模块中,提供高效能量转换。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动模块的关键组件,实现可靠的功率控制。
3. **DC-DC转换器:** 用于直流-直流转换,实现不同电压水平之间的高效能量转换。
MEM2302XG-VB的性能和特性使其成为各种电子产品设计中理想的选择。
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