--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品型号:** 2SJ451ZK-TL-E-VB
**丝印:** VB264K
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-60V
- 最大电流:-0.5A
- RDS(ON):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1.87V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A5/03/wKgaomUH-9qAJHtnAAHhIuYfG4c393.png)
**应用简介:**
2SJ451ZK-TL-E-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。具有-60V最大电压和-0.5A最大电流的特性。RDS(ON)在VGS=10V和VGS=20V时分别为3000mΩ,阈值电压(Vth)为-1.87V。
**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:** 可用于电源开关,帮助管理和控制电源系统的稳定性。
2. **电池保护模块:** 适用于电池保护回路,提供对电池的过电流和过电压保护。
3. **电流控制模块:** 在需要稳定电流控制的电路中使用,确保电流在设定范围内。
4. **马达驱动模块:** 用于直流电机控制,提供有效的电流和电压管理。
以上是2SJ451ZK-TL-E-VB的一些基本参数和应用示例。
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