--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
**型号:** 7N6-SOT23-3-VB
**丝印:** VB1695
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大承受电压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开通电阻(RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1~3V

**应用简介:**
7N6-SOT23-3-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管,具有60V的最大承受电压,适用于多种电路设计。
**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:**
- **用途:** 适用于电源管理模块中的电流控制和电压调节。
- **示例应用:** 直流-直流(DC-DC)转换器、电池充电管理。
2. **电机驱动模块:**
- **用途:** 可用于驱动小型电机。
- **示例应用:** 电机驱动控制、风扇控制。
3. **开关电源模块:**
- **用途:** 适用于高频开关电源设计。
- **示例应用:** 开关电源中的功率开关、逆变器。
4. **信号放大模块:**
- **用途:** 可用于信号放大和调节。
- **示例应用:** 信号放大器、音频放大器。
**注意:** 在具体应用中,请根据电路需求和设计规范精选和配置元器件。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N