--- 产品参数 ---
- 型号 W971GG6NB-25
- 数量 6630
- 封装 WBGA84
- 品牌 WINBOND/华邦
- 批次 最新批次
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1.概述W971GG6NB是1G位DDR2 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该设备可实现高达1066Mbps(DDR2-1066)的高速传输速率,适用于各种应用。W971GG6NB分为以下等级零件:-18、18I、18J、-25、25I、25J和-3.18、18I和18J等级零件符合DDR2-1066(6-6-6)规范(18I工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,18J工业级保证支持-40°C≥TCASE≤105°C)。-25、25I和25J级零件符合DDR2-800(5-5-5)或DDR2-800。-3级零件符合DDR2-667(5-5-5)规范。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分锁同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有I/O都以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DQSpair同步。
2.特点 电源:VDD,VDDQ=1.8V±0.1V 双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输 CAS延迟:3、4、5、6和7 突发长度:4和8 双向差分数据选通(DQS和DQS)与数据一起发送/接收 边缘与读取数据对齐,中心与写入数据对齐 DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐 差分时钟输入(CLK和CLK) 写入数据的数据掩码(DM) 在每个正CLK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考DQS的两个边缘 PostedCAS支持可编程附加延迟,提高命令和数据总线效率 读取延迟=加性延迟加CAS延迟(RL=AL+CL) 片外驱动器阻抗调整(OCD)和片内端接(ODT),以获得更好的信号质量 读取和写入突发的自动预充电操作 自动刷新和自刷新模式 预充电断电和主动断电 写入数据掩码 写入延迟=读取延迟-1(WL=RL-1) 接口:SSTL_18 封装在VFBGA 84球(8x12.5 mm2,厚度1.0 mm)中-(窗口BGA型),使用符合RoHS的无铅材料
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