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深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片，DC-DC电源，微控制器单片机，存储器，MOS场效应管，LED驱动产品。

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WINBOND/华邦 W9864G6JH-6 TSOP54 SDRAM存储器

存储器
型号： W9864G6JH-6

--- 产品参数 ---

  • 型号 W9864G6JH-6
  • 数量 5550
  • 封装 TSOP54
  • 品牌 WINBOND/华邦
  • 批次 最新批次

--- 数据手册 ---

W9864G6JH-6_规格书_WINBOND(华邦)同步动态随机存取内存(SDRAM)规格书.PDF

--- 产品详情 ---

1.概述W9864G6JH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字 4个银行 16位。W9864G6JH提供高达每秒200M字的数据带宽。对于不同的应用，W9864G6JH可分为以下速度等级：-5/-6/-6I/-6A/-7/-7S。-5部分可以运行高达200MHz/CL3。-6/-6I/-6A部件可运行高达166MHz/CL3（-6I工业级，-6A汽车级，保证支持-40°C~85°C）。-7/-7部件最高可运行143MHz/CL3，tRP=18nS。对SDRAM的访问是面向突发的。当ACTIVE命令选择一个存储体和行时，可以以1、2、4、8或整页的突发长度访问一页中的连续存储器位置。列地址由SDRAM内部计数器在突发操作中自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，随机列读取也是可能的。多个存储体的性质使得内部存储体之间能够交错以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器，该系统可以改变突发长度、延迟周期、交织器顺序突发，以最大限度地提高其性能。W9864G6JH是高性能应用程序中主存储器的理想选择

2.特点 -5/-6/-6I/-6A速度等级电源为3.3V±0.3V 2.-7/-7S速度等级电源的7V~3.6V 1048576字 4个银行 16位组织 自刷新电流：标准和低功率 CAS延迟：2和3 突发长度：1、2、4、8和整页 顺序和交错突发 字节数据由LDQM、UDQM控制 自动预充电和受控预充电 突发读取，单次写入操作 4K刷新周期/64mS 接口：LVTTL TSOP II 54引脚400密耳封装，采用无铅材料，符合RoHS标准

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