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深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片，DC-DC电源，微控制器单片机，存储器，MOS场效应管，LED驱动产品。

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WINBOND/华邦 W9725G6KB-25 BGA SDRAM存储器

存储器
型号： W9725G6KB-25

--- 产品参数 ---

  • 型号 W9725G6KB-25
  • 数量 3350
  • 封装 BGA
  • 品牌 WINBOND/华邦
  • 批次 最新批次

--- 数据手册 ---

W9725G6KB-25_规格书_WINBOND(华邦)同步动态随机存取内存(SDRAM)规格书.PDF

--- 产品详情 ---

1.概述W9725G6KB是一个256M位DDR2 SDRAM，组织为4194304个字 4个银行 16位。该器件实现了高达1066Mb/sec/pin（DDR2-1066）的高速传输速率，适用于一般应用。W9725G6KB分为以下速度等级：-18、18I、-25、25I、-3和-3I。-18和18I级零件符合DDR2-1066（7-7-7）规范（18I工业级，保证支持-40°C≤TCASE≤95°C）。-25和25I级零件符合DDR2-800（5-5-5）或DDR2-800）（6-6-6）规范（保证支持-40°C≤TCASE≤95°C的25I工业级零件）。-3和-3I级零件符合DDR2-667（5-5-5）规范（-3I工业级，保证支持-40°C≤TCASE≤95°C）。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分锁同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CLK上升和CLK下降）。所有I/O都以源同步方式与单端DQS或差分DQS-DQSpair同步。

2.特点 电源：VDD，VDDQ=1.8V±0.1V 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输 CAS延迟：3、4、5、6和7 突发长度：4和8 双向差分数据选通（DQS和DQS）与数据一起发送/接收 边缘与读取数据对齐，中心与写入数据对齐 DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐 差分时钟输入（CLK和CLK） 写入数据的数据掩码（DM） 在每个正CLK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考DQS的两个边缘 PostedCAS支持可编程附加延迟，提高命令和数据总线效率 读取延迟=加性延迟加CAS延迟（RL=AL+CL） 片外驱动器阻抗调整（OCD）和片内端接（ODT），以获得更好的信号质量 读取和写入突发的自动预充电操作 自动刷新和自刷新模式 预充电断电和主动断电 写入数据掩码 写入延迟=读取延迟-1（WL=RL-1） 接口：SSTL_18 包装在WBGA 84球（8x12.5 mm2）中，使用符合RoHS标准的无铅材料

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