--- 产品参数 ---
- 型号 W632GU6NB-11
- 数量 3100
- 封装 BGA96
- 品牌 WINBOND/华邦
- 批次 最新批次
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM,组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该设备分为以下速度等级:-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J和15J。-09、09I和09J速度等级符合DDR3-2133L(14-14-14)规范(09I工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,09J工业级保证支撑-40°C<TCASE≤105°C)。-11、11I和11J速度等级符合DDR3L-1866(13-13-13)规范(11I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,11J工业级保证支持-40℃≤TCASE≥105°C)。-12、12I和12J速度等级符合DDR3L-1600(11-11-11)规范(12I工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,12J工业级保证支撑-40°C<TCASE≤105°C)。-15、15I和15J速度等级符合DDR3L-1333(9-9-9)规范(15I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C,15J工业+等级保证支持-40C≤TCASE≤105°C)。W632GU6NB的设计符合以下关键DDR3L SDRAM功能,如支持的CAS#、可编程的CAS#写入延迟(CWL)、ZQ校准、片上终止和同步重置。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK#下降)。在源同步刷新中,所有I/O都与差分DQS-DQS#对同步。
2.特点 电源:1.35V(典型),VDD,VDDQ=1.283V至1.45V 向后兼容VDD,VDDQ=1.5V±0.075V 双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输 八家内部银行同时运营 8位预取架构 CAS延迟:5、6、7、8、9、10、11、13和14 突发长度8(BL8)和突发斩波4(BC4)模式:通过模式寄存器(MRS)固定或可选择OnThe-Fly(OTF) 可编程读突发排序:交错或半字节顺序 双向差分数据选通(DQS和DQS#)与数据一起发送/接收 边缘与读取数据对齐,中心与写入数据对齐 DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐 差分时钟输入(CK和CK#) 在每个正CK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考差分数据选通对的两个边缘(双倍数据速率) 发布具有可编程附加延迟(AL=0、CL-1和CL-2)的CAS,以提高命令、地址和数据总线效率 读取延迟=加性延迟加CAS延迟(RL=AL+CL)
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