WINBOND/华邦 W632GU6NB-12 FBGA96 DDR SDRAM 存储器

1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM，组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J和15J。-09、09I和09J速度等级符合DDR3-2133L（14-14-14）规范（09I工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，09J工业级保证支撑-40°C＜TCASE≤105°C）。-11、11I和11J速度等级符合DDR3L-1866（13-13-13）规范（11I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，11J工业级保证支持-40℃≤TCASE≥105°C）。-12、12I和12J速度等级符合DDR3L-1600（11-11-11）规范（12I工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，12J工业级保证支撑-40°C＜TCASE≤105°C）。-15、15I和15J速度等级符合DDR3L-1333（9-9-9）规范（15I工业等级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，15J工业+等级保证支持-40C≤TCASE≤105°C）。W632GU6NB的设计符合以下关键DDR3L SDRAM功能，如支持的CAS#、可编程的CAS#写入延迟（CWL）、ZQ校准、片上终止和同步重置。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）。在源同步刷新中，所有I/O都与差分DQS-DQS#对同步。

2.特点 电源：1.35V（典型），VDD，VDDQ=1.283V至1.45V 向后兼容VDD，VDDQ=1.5V±0.075V 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输 八家内部银行同时运营 8位预取架构 CAS延迟：5、6、7、8、9、10、11、13和14 突发长度8（BL8）和突发斩波4（BC4）模式：通过模式寄存器（MRS）固定或可选择OnThe-Fly（OTF） 可编程读突发排序：交错或半字节顺序 双向差分数据选通（DQS和DQS#）与数据一起发送/接收 边缘与读取数据对齐，中心与写入数据对齐 DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐 差分时钟输入（CK和CK#） 在每个正CK边缘、数据和数据掩码上输入的命令都参考差分数据选通对的两个边缘（双倍数据速率） 发布具有可编程附加延迟（AL=0、CL-1和CL-2）的CAS，以提高命令、地址和数据总线效率 读取延迟=加性延迟加CAS延迟（RL=AL+CL）