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深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片,DC-DC电源,微控制器单片机,存储器,MOS场效应管,LED驱动产品。

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WINBOND/华邦 W25M512JVEIQ WSON8 NOR Flash存储器

型号: W25M512JVEIQ

--- 产品参数 ---

  • 型号 W25M512JVEIQ
  • 数量 32550
  • 封装 WSON8
  • 品牌 WINBOND/华邦
  • 批次 最新批次

--- 产品详情 ---

1.概述W25M512JV(2 x 256M位)串行MCP(多芯片封装)闪存基于流行的W25Q SpiFlash®系列,将两个单独的W25Q256JV管芯堆叠到标准的8引脚封装中。它为低引脚数封装提供了最高的内存密度,并首次在串行闪存中提供并行操作。W25M SpiStack®系列非常适合小型系统设计以及需要高编程/擦除数据吞吐量的应用。SpiStack®产品系列引入了新的“软件模具选择(C2h)”指令,以及每个堆叠模具的出厂设计“模具ID#”。即使共享接口,每个W25Q256JV管芯也可以独立访问。SpiStack®功能仅允许单个管芯处于活动状态,并在任何给定时间控制SPI接口,以避免总线争用。W25M512JV通过共享SPI接口支持标准SPI(串行外围接口)、双I/O SPI和四I/O SPI读取操作,保持了SpiFlash®的所有特性和功能:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(DI)、I/O 1(DO)、I/O 2和I/O 3。每个W25Q256JV存储器阵列被组织为131072个可编程页面,每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)擦除。小型4KB扇区在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。

 

2.特点 新系列SpiFlash®存储器–W25M512JV:2 x 256M位(2 x 32M字节)–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO–双SPI:CLK、/CS,IO0、IO1–四SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3–3或4字节寻址模式–软件芯片选择(C2h)–软件和硬件重置(1) 高性能串行闪存–104MHz标准/双/四SPI时钟–208/416MHz等效双/四SPI–50MB/s连续数据传输速率–每个扇区至少100K程序擦除周期–数据保留时间超过20年 灵活的“并发操作”–独立的单芯片访问–允许“编程/擦除时读取”–允许“多芯片编程/擦除”–提高编程/擦除吞吐量–减少挂起/恢复活动 低功率、宽温度范围–单个2.7至3.6V电源–4mA有源电流,<20µA备用电流–-40°C至+85°C工作范围 具有4KB扇区的灵活架构-统一扇区/块擦除(4K/32K/64K字节)-每个可编程页面编程1到256字节-编程/擦除挂起和恢复 高级安全功能-电源锁定和OTP保护-顶部/底部,互补阵列保护-单个块/扇区阵列保护-每个裸片的64位唯一ID-可发现参数(SFDP)寄存器-带OTP锁的3 x 256字节安全寄存器-易失性和非易失性状态寄存器位 空间高效封装–8焊盘WSON 8x6 mm–16引脚SOIC 300 mil(带/RESET引脚)–24球TFBGA 8x6 mm(带/REST引脚)–其他选项请联系Winbond

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