--- 产品参数 ---
- 型号 W9425G6KH-5
- 数量 3320
- 封装 TSOP66
- 品牌 WINBOND/华邦
- 批次 最新批次
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1.概述W9425G6KH是一种CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM),组织为4194304个字 4个银行 16位。W9425G6KH可提供高达每秒400M个字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准,W9425G6KH被分为两个速度等级:5和-5I。-5级和-5I级符合DR400/CL3规范(-5I工业级,保证支持-40°C≤TA≤85°C)。所有输入参考CLK的正边缘(DQ、DM和CKE除外)。差分时钟的定时参考点是当CLK和CLK信号在转换期间交叉时。写入和读取数据和DQS(数据选通)的两个边缘同步。通过具有可编程模式寄存器,系统可以改变突发长度、延迟周期、交织或顺序突发,以最大限度地提高其性能。W9425G6KH是高性能应用中主存储器的理想选择。
2.特点 用于DDR400的2.5V±0.2V电源 高达200 MHz的时钟频率 双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输 差分时钟输入(CLK和CLK) DQS与用于读取的数据边缘对齐;与写入数据居中对齐 CAS延迟:2、2.5和3 突发长度:2、4和8 自动刷新和自刷新 预充电断电和主动断电 写入数据掩码 写入延迟=1 7.8µS刷新间隔(8K/64 mS刷新) 最大突发刷新周期:8 接口:SSTL_2 TSOP II 66引脚封装,采用无铅材料,符合RoHS标准
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