--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
MTNK3N3-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi
**详细参数说明:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.45~1V

**应用简介:**
MTNK3N3-VB是一款N-Channel类型的SOT23封装场效应晶体管。其主要特性包括20V的额定电压,6A的额定电流,以及低导通电阻(RDS(ON))等。适用于高性能电子应用。
**领域应用:**
1. **电源管理模块:** 由于MTNK3N3-VB具有较低的导通电阻和适中的电压电流参数,可用于电源管理模块,提高功率转换效率。
2. **电机驱动:** 作为N-Channel场效应晶体管,可用于电机驱动模块,例如直流电机控制、步进电机控制等,以提供可靠的电流控制。
3. **LED照明:** 适用于LED照明应用,可以作为电流调节器或电源开关,确保LED驱动电路的高效性和稳定性。
4. **电源开关模块:** 由于其高电流和低导通电阻,可用于电源开关模块,实现高效率的电源开关控制。
请注意,具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南,以确保正确使用并满足特定设计的要求。
为你推荐
-
AUL1404L-VB一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:21
产品型号:AUL1404L-VB 封装:TO262 沟道:Single-N -
AUIRLZ44Z-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:20
产品型号:AUIRLZ44Z-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AUIRLU3114Z-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:19
产品型号:AUIRLU3114Z-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AUIRLU3110Z-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:18
产品型号:AUIRLU3110Z-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AUIRLU2905-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:17
产品型号:AUIRLU2905-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AUIRLU024Z-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:16
产品型号:AUIRLU024Z-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AUIRLU024N-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:14
产品型号:AUIRLU024N-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AUIRLS3114Z-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 16:12
产品型号:AUIRLS3114Z-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUIRLS3036-7P-VB一款Dual-N+N沟道TO263-7L的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 15:51
产品型号:AUIRLS3036-7P-VB 封装:TO263-7L 沟道:Dual-N+N -
AUIRLS3034-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-06 15:49
产品型号:AUIRLS3034-VB 封装:TO263 沟道:Single-N