**型号：** NCE30P13S-VB
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**详细参数说明：**
- 沟道类型：P-Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-11A
- 开通电阻：RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth = -1.42V
**封装：** SOP8
**应用简介：**
NCE30P13S-VB是VBsemi推出的高性能P-Channel沟道MOSFET，专为对高性能和可靠性要求高的电子应用而设计。具备-30V的额定电压，-11A的最大电流，RDS(ON)为10mΩ，阈值电压（Vth）为-1.42V。
**适用领域和模块举例：**
1. **电源逆变器：** 适用于电源逆变器中的功率开关和逆变控制，提供稳定的电流和电压转换。
2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车控制系统中，用于电机驱动和电源管理，实现高效的电能转换和控制。
3. **电池管理系统：** 为电池管理系统提供可靠的电流控制和电压稳定性，适用于各种电池类型。
4. **照明控制器：** 在LED照明系统中，通过其负向额定电压和低开通电阻，实现照明的可调控制。
NCE30P13S-VB产品适用于多个领域，为各种电子模块提供了高性能和可靠性的解决方案。
