P0804BVG-VB一款SOP8封装N—Channel场效应MOS管

**VBsemi P0804BVG-VB MOSFET:**
- **丝印:** VBA1410
- **沟道类型:** N-Channel
- **额定电压:** 40V
- **额定电流:** 10A
- **静态电阻:** RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth = 1.6V
- **封装:** SOP8

**详细参数说明:**
P0804BVG-VB MOSFET是一款N沟道场效应晶体管，适用于40V工作电压和10A最大电流。其静态电阻在VGS为10V和VGS为20V时为14mΩ，确保高效的电流传输。阈值电压为1.6V，适用于多种电源和开关控制应用。

**应用简介:**
这款MOSFET适用于多个领域和模块:
1. **电动汽车电源系统:** 在电动汽车的电源开关电路中，提供高性能和可靠性。
2. **太阳能逆变器:** 适用于太阳能逆变器，确保高效率的能量转换。
3. **电源管理模块:** 用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电源管理应用。

VBsemi P0804BVG-VB MOSFET可广泛用于需要高性能N沟道MOSFET的电子设备和系统。