--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**PJ2302MR-VB 产品规格**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** PJ2302MR-VB
- **丝印:** VB1240
- **封装:** SOT23
- **参数:**
- N—Channel沟道
- 工作电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压:Vth=0.45~1V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/CA/wKgZomUJZJ2AQf8dAAFPm57UPhI694.png)
**应用简介:**
PJ2302MR-VB是一款N—Channel沟道MOSFET,专为电源和开关应用而设计。其低阈值电压、低导通电阻和高耐压特性使其在多个领域有广泛的应用。
**领域和应用:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源管理模块,有助于提高功率转换效率。
2. **电源开关模块:** 在各种开关电源模块中应用,以实现有效的电源控制和管理。
3. **驱动电路:** 用于需要高性能N—Channel MOSFET的驱动电路,例如电机控制系统。
4. **电池保护:** 由于低阈值电压和低导通电阻,可作为电池保护模块的理想选择。
请注意,以上仅为一般性的应用示例,具体的使用环境和需求可能会导致不同的应用场景。在使用该器件时,请参考厂商提供的详细规格书和应用手册。
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