配置 ：
单路
栅极电荷(Qg) ：
0.6nC
阈值电压 ：
2.5V@250µA
漏极电流 ：
300mA
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
350mW
额定功率 ：
350mW
充电电量 ：
0.4nC
反向传输电容Crss ：
2.5pF
栅极源极击穿电压 ：
±20V
击穿电压 ：
60V
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
应用等级 ：
Consumer
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.12mm
长x宽/尺寸 ：
3.04 x 1.40mm
认证信息 ：
RoHS, HF(halogen free),
原产国家 ：
America
原始制造商 ：
Vishay Intertechnology, Inc.
类型 ：
1个N沟道
输入电容 ：
30pF
应用 ：
Consumer
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ：
-
湿气敏感性等级 (MSL) ：
1（无限）
是否无铅 ：
Yes
系列 ：
TrenchFET®
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
60V
连续漏极电流 ：
300mA
工作温度 ：
-55℃~+150℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
2Ω@10V,500mA
MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=0.3A SOT23
2N7002K-T1-GE3由Vishay设计生产。2N7002K-T1-GE3封装/规格：配置/单路：栅极电荷(Qg)/0.6nC：阈值电压/2.5V@250µA：漏极电流/300mA：晶体管类型/N沟道：功率耗散/350mW：额定功率/350mW：充电电量/0.4nC：反向传输电容Crss/2.5pF：栅极源极击穿电压/±20V：击穿电压/60V：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：应用等级/Consumer：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/1.12mm：长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm：认证信息/RoHS, HF(halogen free),：原产国家/America：原始制造商/Vishay Intertechnology, Inc.：类型/1个N沟道：输入电容/30pF：应用/Consumer：不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）/-：湿气敏感性等级 (MSL)/1（无限）：是否无铅/Yes：系列/TrenchFET®：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/60V：连续漏极电流/300mA：工作温度/-55℃~+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/2Ω@10V,500mA：，MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=0.3A SOT23。你可以下载2N7002K-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
