特征频率(fT) ：
100MHz
晶体管类型 ：
NPN
集射极击穿电压Vceo ：
160V
DC电流增益(hFE) ：
80~250
集电极电流 Ic ：
600mA
Vce饱和压降 ：
200mV
功率耗散 ：
625mW
跃迁频率 ：
-
工作温度 ：
+150℃(TJ)
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO92-3
集射极饱和电压(VCE(sat)) ：
160V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
4.70mm
长x宽/尺寸 ：
4.70 x 3.60mm
元件生命周期 ：
Active
原产国家 ：
China Hong Kong
原始制造商 ：
Semtech Electronics Limited
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
三极管 NPN Ic=600mA Vceo=180V hfe=80~250 P=625mW TO92
2N5551由ST(先科)设计生产。2N5551封装/规格：特征频率(fT)/100MHz：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vceo/160V：DC电流增益(hFE)/80~250：集电极电流 Ic/600mA：Vce饱和压降/200mV：功率耗散/625mW：跃迁频率/-：工作温度/+150℃(TJ)：安装类型/插件：封装/外壳/TO92-3：集射极饱和电压(VCE(sat))/160V：引脚数/3Pin：高度/4.70mm：长x宽/尺寸/4.70 x 3.60mm：元件生命周期/Active：原产国家/China Hong Kong：原始制造商/Semtech Electronics Limited：是否无铅/Yes：零件状态/Active：，三极管 NPN Ic=600mA Vceo=180V hfe=80~250 P=625mW TO92。你可以下载2N5551中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
