晶体管类型 ：
NPN
集射极击穿电压Vceo ：
400V
DC电流增益(hFE) ：
10
集电极电流 Ic ：
10A
Vce饱和压降 ：
1.2V
功率耗散 ：
80W
跃迁频率 ：
-
工作温度 ：
+150℃
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO3PN
配置 ：
单路
集射极饱和电压(VCE(sat)) ：
400V
发射极基极导通电压VBE(on) ：
1.5V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
7V
集电极-基极电压（VCBO） ：
450V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
20.10mm
长x宽/尺寸 ：
15.60 x 4.80mm
存储温度 ：
-55℃~+150℃
原产国家 ：
Chnia
原始制造商 ：
SPTECH Electronics Co. Ltd
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：80W 集电极截止电流(Icbo)：1mA
2SC2625由SPTECH设计生产。2SC2625封装/规格：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vceo/400V：DC电流增益(hFE)/10：集电极电流 Ic/10A：Vce饱和压降/1.2V：功率耗散/80W：跃迁频率/-：工作温度/+150℃：安装类型/插件：封装/外壳/TO3PN：配置/单路：集射极饱和电压(VCE(sat))/400V：发射极基极导通电压VBE(on)/1.5V：发射极与基极之间电压 VEBO/7V：集电极-基极电压（VCBO）/450V：引脚数/3Pin：高度/20.10mm：长x宽/尺寸/15.60 x 4.80mm：存储温度/-55℃~+150℃：原产国家/Chnia：原始制造商/SPTECH Electronics Co. Ltd：，晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：80W 集电极截止电流(Icbo)：1mA。你可以下载2SC2625中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
