特征频率(fT) ：
12MHz
晶体管类型 ：
NPN
集射极击穿电压Vceo ：
120V
DC电流增益(hFE) ：
160
集电极电流 Ic ：
8A
Vce饱和压降 ：
2.5V
功率耗散 ：
80W
跃迁频率 ：
12MHz
工作温度 ：
+150℃
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO3PN
配置 ：
单路
集射极饱和电压(VCE(sat)) ：
120V
发射极基极导通电压VBE(on) ：
1.5V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
5V
集电极-基极电压（VCBO） ：
120V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
20.30mm
长x宽/尺寸 ：
15.60 x 4.80mm
存储温度 ：
-55℃~+150℃
原产国家 ：
Chnia
原始制造商 ：
SPTECH Electronics Co. Ltd
硅NPN功率晶体管
2SD718由SPTECH设计生产。2SD718封装/规格：特征频率(fT)/12MHz：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vceo/120V：DC电流增益(hFE)/160：集电极电流 Ic/8A：Vce饱和压降/2.5V：功率耗散/80W：跃迁频率/12MHz：工作温度/+150℃：安装类型/插件：封装/外壳/TO3PN：配置/单路：集射极饱和电压(VCE(sat))/120V：发射极基极导通电压VBE(on)/1.5V：发射极与基极之间电压 VEBO/5V：集电极-基极电压（VCBO）/120V：引脚数/3Pin：高度/20.30mm：长x宽/尺寸/15.60 x 4.80mm：存储温度/-55℃~+150℃：原产国家/Chnia：原始制造商/SPTECH Electronics Co. Ltd：，硅NPN功率晶体管。你可以下载2SD718中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
