晶体管类型 ：
NPN
集射极击穿电压Vce(Max) ：
25V
DC电流增益(hFE) ：
800
集电极电流 Ic ：
100mA
Vce饱和压降 ：
600mV
功率耗散 ：
300mW
工作温度 ：
-55℃~+175℃
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO18-3
配置 ：
单路
集电极-发射极电压 VCEO ：
25V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
5V
集电极-基极电压（VCBO） ：
30V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
4.82mm
长x宽/尺寸 ：
Φ5.54 x 4.82mm
存储温度 ：
-55℃~+175℃
元件生命周期 ：
Active
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
Inchange Semiconductor Company Limited
是否无铅 ：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 ：
Active
isc通用NPN小信号晶体管
BC109由iscsemi设计生产。BC109封装/规格：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vce(Max)/25V：DC电流增益(hFE)/800：集电极电流 Ic/100mA：Vce饱和压降/600mV：功率耗散/300mW：工作温度/-55℃~+175℃：安装类型/插件：封装/外壳/TO18-3：配置/单路：集电极-发射极电压 VCEO/25V：发射极与基极之间电压 VEBO/5V：集电极-基极电压（VCBO）/30V：引脚数/3Pin：高度/4.82mm：长x宽/尺寸/Φ5.54 x 4.82mm：存储温度/-55℃~+175℃：元件生命周期/Active：原产国家/China：原始制造商/Inchange Semiconductor Company Limited：是否无铅/无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求：零件状态/Active：，isc通用NPN小信号晶体管。你可以下载BC109中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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