功率耗散 ：
200mW
栅极源极击穿电压 ：
±20V
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
6Pin
高度 ：
1.00mm
长x宽/尺寸 ：
2.20 x 1.35mm
认证信息 ：
HF(halogen free)
原产国家 ：
China Taiwan
原始制造商 ：
PANJIT International Inc.
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
60V
连续漏极电流 ：
115mA
工作温度 ：
-55℃~+150℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-363
60V N沟道增强型MOSFET-ESD保护
2N7002KDW由PANJIT设计生产。2N7002KDW封装/规格：功率耗散/200mW：栅极源极击穿电压/±20V：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/6Pin：高度/1.00mm：长x宽/尺寸/2.20 x 1.35mm：认证信息/HF(halogen free)：原产国家/China Taiwan：原始制造商/PANJIT International Inc.：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/60V：连续漏极电流/115mA：工作温度/-55℃~+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-363：，60V N沟道增强型MOSFET-ESD保护。你可以下载2N7002KDW中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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