功率耗散（最大值） ：
200mW
反向峰值电压（最大值） ：
30V
二极管配置 ：
独立式
工作温度 ：
-55℃~+125℃
正向压降VF ：
450mV@15mA
安装类型 ：
SMT
Ifsm - 正向浪涌峰值电流 ：
2A
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55~+125℃
引脚数 ：
2Pin
高度 ：
1.10mm
长x宽/尺寸 ：
1.80 x 1.35mm
认证信息 ：
RoHS
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
零件状态 ：
Active
是否无铅 ：
Yes
反向耐压VR ：
30V
平均整流电流 ：
100mA
反向漏电流IR ：
1μA
封装/外壳 ：
SOD-323(SC-76)
SOD323 SMT
BAT43WS由CBI设计生产。BAT43WS封装/规格：功率耗散（最大值）/200mW：反向峰值电压（最大值）/30V：二极管配置/独立式：工作温度/-55℃~+125℃：正向压降VF/450mV@15mA：安装类型/SMT：Ifsm - 正向浪涌峰值电流/2A：元件生命周期/Active：存储温度/-55~+125℃：引脚数/2Pin：高度/1.10mm：长x宽/尺寸/1.80 x 1.35mm：认证信息/RoHS：原产国家/China：原始制造商/China Base Electronics Technology Co.,Ltd.：零件状态/Active：是否无铅/Yes：反向耐压VR/30V：平均整流电流/100mA：反向漏电流IR/1μA：封装/外壳/SOD-323(SC-76)：，SOD323 SMT。你可以下载BAT43WS中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有肖特基二极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
