配置 ：
单路
栅极电荷(Qg) ：
0.7nC
阈值电压 ：
-0.4~-1V
功率耗散 ：
400mW
额定功率 ：
400mW
反向传输电容Crss ：
55pF
栅极源极击穿电压 ：
±8V
极性 ：
P-沟道
元件生命周期 ：
Active
应用等级 ：
Consumer
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.15mm
长x宽/尺寸 ：
3.02 x 1.70mm
认证信息 ：
RoHS
原产国家 ：
China Taiwan
原始制造商 ：
Mason semiconductor
类型 ：
1个P沟道
输入电容 ：
405pF
应用 ：
Consumer
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ：
110mΩ
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
20V
连续漏极电流 ：
3A
工作温度 ：
+150℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
80mΩ@4.5V,2.8A
P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
WPM2015-MS由MSKSEMI设计生产。WPM2015-MS封装/规格：配置/单路：栅极电荷(Qg)/0.7nC：阈值电压/-0.4~-1V：功率耗散/400mW：额定功率/400mW：反向传输电容Crss/55pF：栅极源极击穿电压/±8V：极性/P-沟道：元件生命周期/Active：应用等级/Consumer：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/1.15mm：长x宽/尺寸/3.02 x 1.70mm：认证信息/RoHS：原产国家/China Taiwan：原始制造商/Mason semiconductor：类型/1个P沟道：输入电容/405pF：应用/Consumer：不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）/110mΩ：是否无铅/Yes：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/20V：连续漏极电流/3A：工作温度/+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/80mΩ@4.5V,2.8A：，P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L。你可以下载WPM2015-MS中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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