配置 ：
单路
漏源电流(Idss) ：
1uA
晶体管类型 ：
P沟道
功率耗散 ：
60W
充电电量 ：
31.2nC
栅极源极击穿电压 ：
±20V
击穿电压 ：
30V
极性 ：
P-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+175℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
2.40mm
长x宽/尺寸 ：
6.60 x 6.10mm
原产国家 ：
China
类型 ：
1个P沟道
零件状态 ：
Active
阈值电压 ：
2.5V
导通电阻(RDS(on) ：
18mΩ@10V,20A
漏源电压(Vdss) ：
30V
工作温度 ：
-55℃~+175℃
连续漏极电流 ：
30A
Vgs(Max) ：
20V
栅极电荷(Qg) ：
31.2nC
输入电容(Ci) ：
1.363nF
反向传输电容Crss ：
210pF
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
TO-252(DPAK)
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE30P30K由NCE设计生产。NCE30P30K封装/规格：配置/单路：漏源电流(Idss)/1uA：晶体管类型/P沟道：功率耗散/60W：充电电量/31.2nC：栅极源极击穿电压/±20V：击穿电压/30V：极性/P-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+175℃：引脚数/3Pin：高度/2.40mm：长x宽/尺寸/6.60 x 6.10mm：原产国家/China：类型/1个P沟道：零件状态/Active：阈值电压/2.5V：导通电阻(RDS(on)/18mΩ@10V,20A：漏源电压(Vdss)/30V：工作温度/-55℃~+175℃：连续漏极电流/30A：Vgs(Max)/20V：栅极电荷(Qg)/31.2nC：输入电容(Ci)/1.363nF：反向传输电容Crss/210pF：安装类型/SMT：封装/外壳/TO-252(DPAK)：，P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W。你可以下载NCE30P30K中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
