晶体管类型 ：
NPN
集射极击穿电压Vce(Max) ：
30V
DC电流增益(hFE) ：
160~320
集电极电流 Ic ：
3A
Vce饱和压降 ：
500mV
功率耗散 ：
1.25W
跃迁频率 ：
90MHz
工作温度 ：
+150℃(TJ)
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
TO-252-2(DPAK)
集电极-发射极电压 VCEO ：
30V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
6V
集电极-基极电压（VCBO） ：
40V
高度 ：
-
长x宽/尺寸 ：
-
存储温度 ：
-55℃~+150℃
元件生命周期 ：
Active
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
零件状态 ：
Active
通用三极管 NPN 30V 3A Y档(160~320) TO252
D882M (160-320)由JSCJ设计生产。D882M (160-320)封装/规格：晶体管类型/NPN：集射极击穿电压Vce(Max)/30V：DC电流增益(hFE)/160~320：集电极电流 Ic/3A：Vce饱和压降/500mV：功率耗散/1.25W：跃迁频率/90MHz：工作温度/+150℃(TJ)：安装类型/SMT：封装/外壳/TO-252-2(DPAK)：集电极-发射极电压 VCEO/30V：发射极与基极之间电压 VEBO/6V：集电极-基极电压（VCBO）/40V：高度/-：长x宽/尺寸/-：存储温度/-55℃~+150℃：元件生命周期/Active：原产国家/China：原始制造商/Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.：零件状态/Active：，通用三极管 NPN 30V 3A Y档(160~320) TO252。你可以下载D882M (160-320)中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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