MOSFETsTECH PUBLICSI2302
数据：
SI2302_TECH PUBLIC.pdf
配置 ：
单路
阈值电压 ：
1.5V
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
900mW
额定功率 ：
900mW
栅极源极击穿电压 ：
±8V
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
0.95mm
长x宽/尺寸 ：
2.90 x 1.30mm
认证信息 ：
RoHS
原产国家 ：
China Taiwan
原始制造商 ：
Tech Public Electronics Co.,Ltd.
类型 ：
1个N沟道
输入电容 ：
880pF
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ：
120mΩ
是否无铅 ：
No
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
20V
连续漏极电流 ：
2.6A
工作温度 ：
+150℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
85mΩ@4.5V,2.6A
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.6A P=900mW SOT23
SI2302由TECH PUBLIC设计生产。SI2302封装/规格：配置/单路：阈值电压/1.5V：晶体管类型/N沟道：功率耗散/900mW：额定功率/900mW：栅极源极击穿电压/±8V：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/0.95mm：长x宽/尺寸/2.90 x 1.30mm：认证信息/RoHS：原产国家/China Taiwan：原始制造商/Tech Public Electronics Co.,Ltd.：类型/1个N沟道：输入电容/880pF：不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）/120mΩ：是否无铅/No：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/20V：连续漏极电流/2.6A：工作温度/+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/85mΩ@4.5V,2.6A：，MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.6A P=900mW SOT23。你可以下载SI2302中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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