2022 年 4 月 21日,中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:483472 本文论述并比较目前移动平台所采用的主要的多核处理技术,重点介绍多核处理技术与意法·爱立信未来产品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技术之间的协同效应
2013-02-03 14:19:001879 意法半导体宣布,其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz,在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241298 意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器,有望突破更高性能,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
2015-07-14 11:18:181462 半导体晶圆代工公司格罗方德(Globalfoundries)日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台,以满足新一代物联网(IoT)装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949 耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变,成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动,象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033179 三星半导体(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 Globalfoundries技术长Gary Patton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该公司的技术蓝图显示,28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展,首先是
2016-07-28 08:50:141068 获得英 特尔(Intel)、三星、台积电(TSMC)等大厂采用的FinFET制程,号称能提供最高性能与最低功耗;但Jones指出,在约当14纳米节 点,FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%,此外其设计成本也低25%左右,并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835 鳍式晶体管(FinFET)制程技术外,也投入全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)市场,并推出22纳米及12纳米FDX制程平台,抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845 22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDX eMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的,格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098151 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗尽平面晶体管)工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 在美国的三星代工论坛上,Arm与三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28纳米FD-SOI eMRAM的物联网测试芯片和开发板。
2019-06-05 16:59:011398 莱迪思半导体位居全球FPGA厂商第三,虽然与前两大公司赛灵思和英特尔(收购Altera)的营收有所差距,但作为以低功耗、小型化著称的FPGA厂商在消费类电子、工业等领域取得了成功。近年,其策略发生了重要的变化,推出了转型之作。
2019-12-16 11:24:331893 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品,包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX,重新定义的Certus-NX,去年Q4问世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:415772 在工艺进程方面,i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗尽型绝缘硅工艺,该工艺的优势在于能够在提升处理器主频性能的同时,尽可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331663 1. 推进10 纳米FD-SOI 先进制程研发, CEA-Leti 工艺引导线将于9 月开工 据外媒报道,欧洲三大微电子研究机构之一的法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线,基于全耗尽
2023-07-20 10:54:19428 和FD-SOI,其中RF-SOI作为一种重要的射频芯片材料技术,虽然很少被提及,但在很多设备上都有重要的应用。 射频前端底层技术 射频前端的重要性不言而喻,是任何通信系统核心中的核心,RF-SOI正是用于各种射频器件,目前已经是各类射频应用里主流的衬底,如射频开关、LNA、调谐器
2024-02-19 00:59:002466 FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术是一种新的工艺技术,有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片,在相同的选件和金属层条件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
适应相控阵架构、直接射频采样、波束成形和 5G 无线电等应用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工艺设计了一款名为 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
USB 芯片和软件厂商飞特蒂亚(FTDI)公司发布一款灵活而强大的开发平台 Morph-IC-II,可加速基于FPGA的应用与制作,并简化先进逻辑电路设计中整合高速480Mbit/s USB通讯作业
2019-07-03 08:29:05
量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。也是在这一年,三星成功生产了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量产首款商用eMRAM。 据三星介绍,利用其28nmFDS工艺技术制作
2023-03-21 15:03:00
Qorvo与上海移远通信推出全球首款采用Phase 6解决方案的M2M/IoT模组
2021-03-11 07:14:58
`炎热的夏季已悄然来临,各种海边游玩,漂流,游泳等水上运动与这个季节搭配的刚刚好,安全防范自主意识要增强,国内首款自救手环让你在游泳漂流等各项水上运动放手去动,它是一种户外紧急救生产品,主要是便于
2019-07-03 18:30:04
科技有限公司已可以提供商业化的SOI材料。在SOI器件和电路研制方面有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第58所、航天时代集团第七七一研究所、中国科学院半导体所等。 中国科学院微电子研究所
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用?
2021-06-26 07:14:03
如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士,您能否提供步骤和可能的图表,以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线?提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨上海镭芯电子有限公司鲍荣生摘要本文讨论的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成电
2009-12-14 11:35:1610 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划,打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201 日前,意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术,这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793 日前,依法爱立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手机平台,该平台整合了全套无线功能,并拥有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad应用处理器。
2013-01-29 10:48:051119 意法爱立信发布了首个单射频方案实现载波聚合的极速LTEAdvanced Modem平台Thor M7450,以及采用了FD-SOI技术的3GHz NovaThor L8580处理器。
2013-02-26 16:26:51864 意法半导体(ST)宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)技术荣获2013年度电子成就奖(ACE)能源技术奖。根据客户的节能与性能权衡策略,FD-SOI芯片本身可节约20%至50%的能耗,使终端设备可更快散热,并实现更长的使用寿命。
2013-05-10 09:06:43913 AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息,上海复旦微电子已经下单采纳其22nm FD-SOI工艺(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力,格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975 集微网消息,格罗方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半导体供应商意法半导体(ST)选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI(22FDX)制程技术平台,以支持用于工业及消费
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效,近日传来消息,又迎来意法半导体(ST)的大单进补,在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工艺节点进展方面,三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示,三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向,FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示,与传统的块状硅技术相较,FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性,而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容;此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
2018-03-10 01:25:00705 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术,除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程,以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点,各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单,其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面,其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394 加利福尼亚州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro(其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产),三星代工厂(28纳米工艺投产中,18纳米工艺计划投产),以及格芯代工厂(22纳米工艺投产中,12纳米计划投产)。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上,三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 今天,Globalfoundries(简称GF)宣布无限期停止7nm工艺的投资研发,转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2018-08-31 15:03:012841 日前,格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发,转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。
2018-09-03 16:41:425128 能在全球范围内收获了超过20亿美元的收益,并在超过50项客户设计中得到采用。本次两位中国客户的成功流片再次印证了22FDX技术在实际应用中的可靠性和灵活性。 格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农先生表示:“22FDX 是业内首个 22nm FD-SOI 平台,作为业界领先的低功耗芯片平台,它在全
2018-11-05 16:31:02250 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应,满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求,确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注,Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展,从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777 关键词:自适应体偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快节能型SoC设计,推动单芯片集成界限 格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布,双方正在合作
2019-02-24 15:56:01323 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 据韩国媒体报道,近日,三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-16 10:24:27886 据报道,近日,三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-25 14:42:512985 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时,提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开发出FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构;而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心,透过传统Si芯片制程方式,进而以水平式晶体管架构,取代线宽较大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204247 日前,格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上,此份协议即刻生效,以确保未来数年的高水平大批量生产。
2019-06-11 16:47:333457 但是随着物联网、人工智能、智能驾驶这样的新应用对半导体提出了全新的挑战,而FinFET工艺也遇到了瓶颈,尤其是FinFET的制造、研发成本越来越高,已经远远不是一般玩家能够承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 三星发力大家都乐了!
2019-08-06 16:18:352763 事实胜于雄辩,与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲,并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 随着摩尔定律的放缓以及登纳德缩放比例定律和阿姆达尔定律接近瓶颈,异构和加速时代已降临,FPGA厂商在近期的大动作也不断,不断刷新FPGA的容量。
2019-12-16 14:50:27620 AI芯片设计大厂莱迪思半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术平台,发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片设计大厂莱迪思半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术平台,发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品。
2020-02-27 14:54:38739 据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:302185 据外媒报道称,美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490 近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713 近日低功耗可编程器件的领先供应商莱迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工艺平台打造。该芯片与市场上同类产品相比最大的特点是其拥有领先的I/O密度,据了解
2020-07-03 08:57:36770 莱迪思的研发工程师几年前就开始着手FPGA开发工艺的创新,旨在为客户提供具备上述特性的硬件平台。最终莱迪思成为业界首个支持28 nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺的低功耗FPGA供应商
2020-07-03 14:05:432395 “FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-06 17:03:361984 “FD-SOI使用的范围非常广,包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年,我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335 去年12月,我们推出了全新低功耗FPGA开发平台Lattice Nexus™,这是业界首款采用28 nm FD-SOI制造工艺的低功耗FPGA平台。Nexus在各个设计层面(从软件解决方案到架构
2020-07-10 10:03:00524 Lattice Nexus是业界首个基于28 nm FD-SOI工艺的低功耗FPGA技术平台,得益于功耗和MIPI 速度上的优势,基于该平台的第一款产品CrossLink-NX得到了客户广泛认可
2020-07-15 19:28:42815 ertus™-NX 是莱迪思 Nexus 技术平台上的第二款产品,它将为更广泛的应用带来 FD-SOI 工艺的优势。这些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和灵活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13598 Nexus 平台的独特之处在于采用了 FD-SOI 工艺。这与之前的 CMOS 工艺相比有很大区别,能够极大降低功耗。如图一所示,Certus™-NX 比英特尔和赛灵思的同类产品功耗低 3-4 倍。Certus™-NX 的配置时间极短,能够让系统快速启动。该器件还拥有验证和加密硬件模块提升安全性。
2020-08-13 16:35:17763 重点 ● 双方在技术赋能方面的紧密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI) 平台释放最佳PPA潜能
2020-10-23 16:17:092050 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品,包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX,重新定义的Certus-NX,去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719 行业领先的功耗效率——通过利用莱迪思在FPGA架构方面的创新和低功耗FD-SOI制造工艺,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同时功耗比同类竞品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338 机构方面表示,新的fd-soi技术将与18、22、28纳米的现有设计进行互换,还将包括嵌入式非挥发性存储器(envm)技术。该项目在法国政府的资助下被分离为《欧盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 如今谈起晶圆工艺,大家提及的往往是日趋成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善阶段的GAA,台积电、三星、英特尔……无数厂商都在为了这两种工艺前后奔忙,不过却鲜少有人知晓另一种与Fin-FET齐名的工艺。
2023-07-25 09:43:50250 (电子发烧友网原创报道)2023年10月23日 第八届上海FD-SOI论坛隆重举行,论坛由芯原股份和新傲科技主办,SEMI中国和SOI产业联盟支持。该活动自2013年开始每年举行一次,上次第七届论坛
2023-11-01 16:39:041069 在日前举行的2023年第八届上海FD-SOI论坛上,GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向产业介绍了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38794 (电子发烧友网原创)在2023年第八届上海FD SOI论坛上,全球知名半导体产业研究机构IBS公司CEO Handel Jones先生,公布了对2030年前的全球半导体芯片市场的预测,同时,他也表示
2023-11-21 17:39:11805 谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369
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