铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示
2022-10-17 09:29:59
7618 固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2,通过石墨层作为引出连接用。
2023-07-31 14:58:37575 
一、试验的目的和意义 1、 电介质又称绝缘介质，也就是绝缘材料。绝缘材料在电场的作用下，总会流过一定的电流，以发热的形式产生能量损耗。在电压的作用下，电介质中产生的损耗称为介质损耗。如果介质损耗很多
2023-09-24 15:14:40698 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561114 
ALE(LE)RELAY(NEWPCBCLASSB)
2023-03-23 01:48:30
`1.介质损耗因数的定义 绝缘介质在交流电压作用下,电介质中的部分电能将转变成热能,这部分能量称为电介质损耗,介质损耗因数一般用正切值tanδ表示。电介质损耗由电导损耗、游离损耗和极化损耗三部
2020-09-21 21:55:48
定义变量假设介质的相对电介质常数和相对磁导率分别为：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i则有：材料 1 复数介电常数-实部：epsr1_r = 4材料 1 复数
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
AR增强现实技术解读
2021-01-26 06:29:13
SM91501ALE
2023-03-28 13:21:54
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。蒸汽刻蚀
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在尝试使用两种材料定义基板，如附图所示，用于ADS EM仿真。据我所知，我需要为此定义电介质通路，但我想知道是否有人可以建议如何完成。非常感谢，Mojtaba编辑：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
随着示波器带宽需求的不断提升和数字处理技术的发展，示波器里越来越多地采用了带宽增强技术，带宽增强技术可以在相同硬件成本的情况下提供更高的带宽。那么，这种技术是如何实现的，实用中对信号测量会有
2018-04-03 10:34:04
随着示波器带宽需求的不断提升和数字处理技术的发展，示波器里越来越多地采用了带宽增强技术，带宽增强技术可以在相同硬件成本的情况下提供更高的带宽。那么，这种技术是如何实现的，实用中对信号测量会有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金属化技术
原理
在电介质膜上，镀上很薄的金属层，如果电介质
出现短路，金属镀层会因此而挥发并将短路的地
方隔离开来。
2008-07-17 10:20:15
27 应用模式耦合理论计算了外腔式Fabry-Perot（F-P）干涉型光纤传感器的输出光强与F-P腔长的关系。对组成F-P 腔的光纤端面进行了磨平抛光及镀多层电介质膜处理，使光纤端面反射率
2009-06-22 13:26:1727 周期介质膜压缩光栅中的导模共振效应:使用祸合波法以及特征矩阵法计算了周期膜堆结构以及介质压缩光栅的本征值，研究了介质型压缩光栅产生导模共振现象的条件，并计算了导
2009-10-26 16:52:3212 文章对于第三代短波ALE（快速链路建立）进行了研究，对其中的关键技术进行了讨论.并在美军3G-ALE 标准的基础上，根据短波信道的传播特性，针对窄带接收的短波快速跳频通信
2010-01-27 11:56:1522 新型镀膜技术实现高性能介质膜光学元件
2010-12-28 17:12:010 CH21型金属化复合介质膜电容器
CH21 型金属化复合膜介质电容器采用金属化复合膜卷绕而成，树脂浸涂包封，单向引出，具有电容量稳定、温度系数小的特点，适用于精密仪
2009-08-21 17:25:09681 镀复SiO2膜的电容器介质膜
成功一种能在几百小时连续沉积SiO2膜的新颖电子束蒸发装置，获国家发明专利，在此基础上
2009-12-08 09:03:32702 高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后栅极又称为可替换栅极(以下简称
2012-05-04 17:11:516392 
比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
2013-06-26 09:37:041010 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司已经推出微波电缆组件，其中利用了Temp-Flex™空气电介质（air-dielectric）超低损耗（ultra-low-loss）柔性微波同轴电缆
2013-07-25 11:41:482769 某项目在进行ESD测试当中，当静电枪靠近塑胶机器浮地产品的外壳进行空气放电时12KV，机器容易死机，重启或者VDD损坏。本文避重就轻，由EMC的点，来折射出EMC的面与体，我们选择了材料与器件
2018-05-18 02:19:003482 
本文将介绍MDTV用变频芯片电介质天线的电感器选定示例。变频芯片电介质天线改变天线的谐振频率，涵盖了超过相对带宽50%的470-800MHz频段。采用变容二极管来改变频率，按频道切换频率。由于本天线实现了小型化，因此可以采用LQW系列，内置于手机终端内。
2018-01-13 09:34:089236 。从耐高温聚合物电介质材料的发展历史、结构特性以及应用研究等方面进行了综述。重点介绍了耐高温聚合物电介质材料在轨道交通牵引电机、新能源电力设备以及航空航天电气设备等电工绝缘领域中的应用状况。最后对耐高温聚合物
2018-01-15 11:31:350 介电常数是电介质物理里面常见的一物理概念，但是物理意义不是十分清楚，是些书本上说，介电常数表征的是电介质的束缚电荷的能力，也可表征材料的绝缘性能，介电常数越大，束缚电荷的能力越强，材料的绝缘性能越好，既然介电常数越大。
2018-03-07 16:16:33296847 
下，电介质要消耗部分电能，这部分电能将转变为热能产生损耗。这种能量损耗叫做电介质的损耗。当电介质上施加交流电压时，电介质中的电压和电流间存在相角差Ψ，Ψ的余角δ称为介质损耗角，δ的正切tgδ称为介质损耗角正切。tgδ值是用来衡量电介质损耗的参数。仪器测量线路包括一标准回路（Cn）和一被试回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:041781 本文主要介绍了介质损耗测试仪工作原理。介质损耗测试仪测量方式及原理、介质损耗计算公式。在交流电压作用下，电介质要消耗部分电能，这部分电能将转变为热能产生损耗。这种能量损耗叫做电介质的损耗。当电介质
2018-03-20 11:08:2920028 高储能密度和高可靠性电介质储能材料在各种电力、电子系统中扮演着越来越重要的角色，特别是在高能脉冲功率技术领域有着不可替代的应用。
2018-07-16 11:02:044075 ），Planar fxP，在单一产品平台上提供0.1微米生产的完整介电路线图。 Planar fxP采用Trikon专利的Flowfill和Low k Flowfill技术，用于标准和低k金属间电介质
2020-02-14 11:07:441594 固体介质广泛用作电气设备的内绝缘，常见的有绝缘纸、纸板、云母、塑料等。高压导体总是需要用固体绝缘材料来支持或悬挂，这种固体绝缘称为绝缘子，而用于制造绝缘子的固体介质有电瓷、玻璃、硅橡胶等。
2019-11-30 16:31:3012824 电介质物理学的相关知识，这是做电介质材料的基础，它对各章节的内容根据教学经验进行了精选，物理图象和基本概念解释的清晰透彻。而且内容中涉及到了量子力学，统计物理学，热力学，电动力学，固体物理和半导体科学等.
2020-05-28 08:00:0045 电阻、氧化物漏电、氧化物与半导体间不希望有的损耗介电薄层、多晶硅耗尽层和表面粗糙度等等的影响。减少纳米级MOS器件中栅极漏电的迫切需求刺激了用高k电介质替代SiON的努力。但是，将高k电介质引入生产线将再次引起C-V测量曲线积累区处的频率离散。到目前为止，频率离散的准确来源仍有待讨论。
2020-08-13 14:44:00717 
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:588547 
薄膜电容的分类介绍 电介质分类 按电介质的不同可将薄膜电容器分为以下三种类型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯对苯二酸盐（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572130 平时所看到的电容器，虽然外表体型很小，但是内部却另有乾坤，现在市场的电容器，大多数规格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是内部质量，而电介质作为核心产品原料，它的质量和发挥会直接影响到电容的优劣势。很负责任的告诉各位，对于电介质的了解很重要，尤其是注意电介质的意外和相关处理方法。
2021-06-17 14:34:13625 与发展现状，重点讨论了导热填料、界面相容、成型工艺对材料导热系数的影响，最后结合导热聚酰亚胺复合电介质材料未来发展的需要，对研究中存在的一些关键科学技术问题进行了总结与展望。
2022-11-11 15:13:571392 每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。我们的刻蚀工艺工程师运用精湛的制造技术，完成这一细节工艺的处理。
2023-01-07 14:08:363141 刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 陶瓷电容器是以陶瓷材料为电介质的电容器的总称。品种繁多，尺寸差异很大。按电压可分为高压、中压、低压陶瓷电容器。根据温度系数，介电常数可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数和低介电常数
2023-03-08 14:40:003563 
电介质材料快速且高效的导热散热已成为影响电子设备发展的关键问题。传统聚酰亚胺本征导热系数较低，限制了在电气设备、智能电网等领域中的应用，发展新型高导热聚酰亚胺电介质
2022-09-15 10:26:332257 
检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒污染的同时, 缩短了生产时间.
2023-06-21 10:03:30238 
对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k电介质的和覆盖层(下图(a))。
2023-08-14 10:22:56911 
一、电介质的损耗 介质损耗是指绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。介质损耗也叫介质损失，简称介损。表征某种绝缘材料的介质损耗，一般不用W或J等单位来表示
2023-09-24 16:08:312299 一、电介质的电导 电介质的电导可分为离子电导和电子电导，离子电导以离子为载流体，电子电导以自由电子为载流体。 1、离子电导 实际工程上所用的电介质多少含有一些杂质离子，这些离子与电介质分子联系非常
2023-09-26 16:47:53809 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003308 
电介质是能够被电极化的绝缘体。电介质的带电粒子是被原子、分子的内力或分子间的力紧密束缚着，因此这些粒子的电荷为束缚电荷。
2023-11-10 09:33:03282 
信号如何在无限大的导电介质中传播
2023-11-24 16:06:16168 
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59512 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42131 
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