范围 (Tstg)：-65°C至+175°C· 焊接时（10s内）的最高引线温度 (TL)：+260°C· 引线表面处理：雾锡电镀· 采用标准表面贴装SMB 封装应用· 电机控制 机器人、无人机
2020-04-09 09:37:27
）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2.功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P
2019-06-14 00:37:57
就是最大功率限制线，这条线的规则就是MOSFET功耗产生的温升加上25C不能超过MOSFET的最大结温，比如150C。MOSFET的散热条件对这条限制线影响很大，因此与温度相关的变量，比如热阻，Tc
2018-07-12 11:34:11
的导通电阻，这个电阻是MOSFET在最高工作结温的RDSON。数据表中功率MOSFET的RDSON标注有确定的测试条件，在不同的定义的条件下具有不同的值，测试的温度为：TJ=25℃，RDSON具有正
2017-11-15 08:14:38
的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS
2016-05-23 11:40:20
中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出专为紧凑型荧光灯 (CFL) 设计而开发、市面上集成度最高的镇流器IC产品FAN7710。采用“系统级封装”方案
2018-08-28 15:28:41
,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30产品实物图RB520CM-30,RB521CM-30的存储温度范围Tstg均为-40~+150℃，结温Tj最高达到150
2019-04-18 00:16:53
%。这非常有望进一步实现应用的高效化和小型化。全SiC功率模块的产品阵容扩充下表为全SiC功率模块的产品阵容现状。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的产品阵容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
我使用AD5060 dac 芯片。采用1v参考电压，AD5060可以正常输出。采用0.5v参考电压，AD5060输出不正常，基本输出一个很小的电压。
2018-09-13 10:48:22
隔离方法中，它具有最低的热阻（PN结到散热片）在高电流和高功率下更低的工作结温R th(j-mb) 比竞争对手的内绝缘 TO220 产品低 10% 快恢复二极管型号大全之TO220和TO-3P封装主要
2021-07-24 13:51:33
CMD175P4是GaAs MMIC 5位移相器，采用无铅4x4 mm塑料表面安装（SMT）封装。 CMD175P4在2至4 GHz的频率范围内工作，并提供0至360度的单调相位覆盖，其LSB为
2020-02-20 16:24:53
DC1863A，演示板采用LTC3621,17V，1A单片同步降压型稳压器，能够在2.7V的最小输入电压下提供高达1A的输出电流。 DC1863A采用小型8引脚MS8封装，采用节能型LTC3621
2019-09-05 08:44:03
的组件。LGA 封装的低热阻和高工作效率允许在无气流的 70oC 环境或具 200LFM(每分钟直线英尺) 气流的 86oC 环境中实现从 12VIN 到 1VOUT的满输出功率 DC/DC 转换。 专为
2021-04-14 07:09:25
（shortcircuitprotection）以及线损补偿等，在复杂的应用条件下，保证电源的稳定性和可靠性。C8118A采用ESOP-8L无铅封装，外围电路简单，节约PCB空间。产品特性：1、输入电压：10V-42V2、持续
2021-10-27 10:29:36
阻尼损耗业界小。6. 效率为0．6Q，也比较小，比一般产品高。7. 内部含有过温保护功能，外部可以设计过温保护，对LED有双重保护8.采用SOT89 -5封装，热阻仅为45 ℃/w，散热特性很好
2020-10-27 16:14:28
区产生温升。在室温附近，温度每升高1℃，LED的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热时保持色纯度与发光强度非常重要。以往采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数LED的驱动电流限制在20mA左右。但是
2016-11-02 15:26:09
，θJA为LM2937结-壳间热阻θJC为3°C/W和散热器外壳-环境热阻之和。如果使用DDPAK/TO-263或SOT-223封装，可通过增加P.C.板铜面积来降低热阻热连接到封装（有关散热的更多信息
2020-10-09 16:09:59
、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。MCU最高工作频率可达96MHz，并内置SRAM高速存储器，.
2021-09-01 07:09:17
降压、恒流驱动功能，并可以通过 DIM 引脚实现 PWM 调光或线性调光。系统采用电感电流滞环控制方式，对负载瞬变具有非常快的响应，对输入电压具有高的抑制比；其电感电流纹波为 20%，且最高工作频率
2022-01-14 15:26:31
、恒流驱动功能，并可以通过 DIM 引脚实现PWM 调光或线性调光。系统采用电感电流滞环控制方式，对负载瞬变具有非常快的响应，对输入电压具有高的抑制比；其电感电流纹波为 20%，且最高工作频率可达
2022-01-14 14:39:41
以及过温保护电路，减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B采用ESOP8封装。散热片内置接SW脚。特点 宽输入电压范围：2.6V~60V 内置60V功率MOS 高效率：可高达95% 大工作
2020-05-27 10:58:52
开关损耗，改善系统的整体能效。因此，采用SuperSO8封装的器件，是直流/直流转换器或D类放大器等产品的理想之选。此外，极低的导通电阻（RDS(on)）常常允许减小封装的尺寸。TO-247封装替换
2018-12-07 10:21:41
P5020 绝对最高工作温度
2023-04-20 06:46:16
SuperSO-8等名称销售PQFN器件。 PQFN封装在底侧有一个或以上的裸热焊盘，如图1所示。裸焊盘有助于降低裸片到PCB的热阻。标准SO-8封装的结到引线热阻通常为20°C/W，而采用IR的PQFN 5×6
2018-09-12 15:14:20
PY32F030单片机 TSSOP24封装是采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核，宽电压工作范围的MCU。嵌入最高能达到64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存储器
2023-05-25 16:03:03
和SOT23-5封装。二、特点最大输出电流：1.2A宽输入电压范围：8V~30v高电流精度：±3％高效率：97％负载开路和短路保护PWM和线性调光滞环控制：无需补偿最高工作频率：1MHz内置过温电流补偿控制DIM
2020-07-29 09:29:12
。另外，当DIM脚接NTC电阻到地可实现输出LED过温电流补偿功能。由于采用滞环控制方式，QX4115 对负载瞬变具有非常快的响应速度，最高工作频率可达1MHz。QX4115内置负载开路和负载短路保护
2020-04-21 15:36:35
，使LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端加PWM信号，还可以进行LED灯调光。QX5305A采用ESOP8封装。二、产品特点Ø宽输入电压范围：3.6V~60VØ高效率：可高达95%Ø最高工作频率
2020-03-05 11:15:54
制作电源原型和生产”中SOIC-8封装焊接演示。此外，LMR236xx产品系列上的SOIC-8底部有一个芯片贴装引脚（DAP）帮助提取热量。这样可以获得更低的结点至环境热阻（THETA J/A），比许多
2019-07-18 04:45:01
我做的是一个20W的反激电源。片子的供电电压16V，PWM输出频率150KHz。烤机后发现片子温升有55度。后来把MOS管去掉，PWM脚接个10k的电阻，温升也有40度，测得工作电流20mA。不知道是我的电路参数有问题，还是SOIC-8封装的UC2845本身就有这么大的功耗？
2019-07-05 14:15:28
STTH8R06/FFP08H60S快恢复二极管，电流8A，电压600V，TO-220封装。快速开关，低反向恢复电流，低热阻，低开关损耗。适用于开关电源及功率因数校正装置等应用。 快恢复二极管
2020-09-24 16:03:22
操作。这有助于帮助OA设备和家用电器降低能耗，以及延长电池供电设备的电池使用寿命。 该IC采用小型表面贴装式HSOP8封装，通过封装散热焊盘设计，既能节省空间，又能实现良好的散热性能。主要特性宽工作电压
2022-11-03 14:30:02
。 04 结 论 引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。同时，TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成
2023-02-27 16:14:19
ad8346汽车级最高工作环境温度是125度，最高结温是多少摄氏度？
2023-12-05 07:44:20
环境温度是65℃，那么MOSFET的结温是多就可以计算出来了，Tj=Ta+P×Rja=65℃+1.2×62℃/W=139.4℃反过来结温是不能超150℃，如果最大环境温度是65℃，没有加散热器的情况，Rja
2021-09-08 08:42:59
某种 PWB 结构下结点至周围环境的热阻。这就是说，设计人员只需将这种热阻乘以功耗，便可计算出温升情况。但是，如果设计并没有具体的结构，或者如果需要进一步降低热阻，那么就会出现许多问题。图 2 所示为
2017-05-18 16:56:10
和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结
2019-09-04 07:00:00
整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。 我们可以从MOSFET的ΘJA规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，ΘJA通常接近于62°C/W。其他类型的封装，有些带有
2023-03-16 15:03:17
TO-252封装特点：1.贴片设计 (占用空间小，节约插件成本，提升生产效率)2.更高的可靠性 (全铜框架结构，导电性和导热性更好)3.更低的热阻 (铜面/焊盘更大，散热更快)4.产品种类多样化
2021-12-29 14:49:43
二极管有最高工作频率，但数据手册上为什么都不给出最高工作频率呢？请问从哪可以间接看出来吗。
2019-04-25 11:17:13
与管壳到环境的热阻Rth(c-a)之间的重要关系。得到Rth(c-a)后，可以根据功耗计算出温度增量ΔTc。随后，再由图8中相应的转换因子就能计算出结温。假设在TO247封装中，给定的功耗为PD = 50
2018-12-05 09:45:16
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率转换效率可提升高达5%采用准谐振方式，可实现更低EMI通过减少元器件数量，可实现显著的小型化和更高可靠性可确保长期稳定供应，很适合工业设备应用产品阵容新增4款保护功能
2022-07-27 11:00:52
温度是汽车发光二极管(LED)前照灯和尾灯应用中的一大问题。LED可承受高环境温度，同时在大电流下驱动以产生必要的亮度。这些高环境温度与大工作电流相结合，会使LED的结温升高，通常仅额定温度就高达
2019-03-01 09:52:39
光电耦合器都是采用DIP-8封装吗？业界经常提到DIP-8封装，请问这种封装方式有何优点？(潮光光耦网整理编辑)2012-07-10 潮光光耦网解答：各个品牌的光耦合器有许多不同类型的封装，它们包括
2012-07-11 11:36:49
％·关断电路电流典型值：0μA·工作结温范围：-40°C至+ 150°C·纳米脉冲控制可在2.1MHz频率下实现60V至3.3V的直接转换·工业应用的长期支持产品·SW最小开启时间20ns（最大值）·同步
2019-04-01 06:20:06
实现小外形尺寸的设计。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的双芯片不对称功率封装是MOSFET封装技术上的重大进步。这种封装使工程师能够改善电源的性能，缩小体积，以及简化设计，同时实现现在的消费电子产品所要求的高效率或性能。本新闻来自大联大云端`
2013-12-23 11:55:35
MOSFET是否安全工作，这种方法并不正确，特别是在TC=25℃的SOA曲线中进行这样的校核完全没有意义。当功率MOSFET工作在高频的开关状态时，计算功率MOSFET的总体损耗，由热阻来校核结温，更有意义
2016-10-31 13:39:12
给定应用的第二步。例如，电子元件在汽车应用中比在计算机应用中经受更宽的温度范围。因此，汽车应用要求的标准的最高工作温度是175 °C。本页所示的功率MOSFET示例不会选用于汽车应用。所有
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
阻，这个电阻是MOSFET在最高工作结温的RDSON。数据表中功率MOSFET的RDSON标注有确定的测试条件，在不同的定义的条件下具有不同的值，测试的温度为：TJ=25℃，RDSON具有正温度系数
2019-04-04 06:30:00
！ 0603侧发光蓝光贴片LED灯珠产品参数： 型号 ：0603侧发光蓝光热阻： ≤5（°/W） 功率 ：0.06（W）最大允许结温： 260（°） 显色指数 ：70-80封装形式 ：贴片型
2019-04-26 16:22:16
请问一下，在使用中，如果环境温度超过了电路中压敏电阻的最高工作温度，会有什么影响呢？
2013-09-23 13:27:38
BD90541MUV-C的工作温度范围是-40°C-+125°C，存储温度范围是-55°C-+150°C，最高结温为150℃。其采用了VQFN20SV4040封装，尺寸大小为4.00mm x 4.00mm x
2019-04-19 06:21:33
请问怎么确定可控硅的结温？？？超过结温时会有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
LTC4449采用2×3mmDFN-8 封装，在 -40℃至 125℃的工作结温范围内工作。
2021-04-15 07:50:39
的trr/VF 比和恢复软度。 3.2. 超结MOSFET: SLLIMM-nano系列产品所用的N沟道600 V超结MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二极管技术。改进的寿命控制技术使
2018-11-20 10:52:44
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
MOSFET被并联使用，其整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。 我们可以从MOSFET的ΘJA规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，ΘJA通常接近于62°C/W。其他类型
2021-01-11 16:14:25
我如何计算VIPER37HD / LD的结温 以及频率（60k，115k hz）如何影响结温？
2019-08-05 10:50:11
大家好， 我对M95256-WMN3TP /ABE²PROM的最高结温感兴趣。 3级器件的最高环境工作温度为125°C，因此结温必须更高。数据手册中没有提到最大结温。 我还在寻找SO-8封装中M95256-W的结至环境热阻。 最好的祝福， 托马斯
2019-08-13 11:08:08
用的电路板可以更加小型化，而且线路安装设计也有了更大的灵活性。另外，由于采用了新开发的低导通电阻芯片，在使封装小型化的同时实现了与现有SOP8 Dual产品同样低的导通电阻。ROHM将要逐步大量生产封装
2018-08-24 16:56:26
，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。 产品特点 沟槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
NTMFS5C430NLT1G是一款 单 N沟道 功率 MOSFET，40V，1.4 mΩ，200A。特性：•低RDS（开启）•将传导损耗降至最低•低输入电容•最大限度地减少开关损耗•最高结温为
2021-12-29 13:44:23
引言 无引线导线封装（LLP）是一种基于导线架的晶片级封装（CSP），它可以提高芯片的速度、降低热阻并减小贴装芯片所需要的PCB面积。由于这种封装的尺寸小、高度很低，所以此封装是高密度PCB
2018-09-10 16:37:26
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00:20
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31:59
的最高工作频率。这些器件是R8C/Tiny系列中采用一个D/A转换器的第一个32引脚产品，有助于实现细粒度模拟信号输出。其模拟输出比PWM输出更加平滑，这将有助于产生悦耳的音调和更好的音质警报声。除了
2018-08-24 16:56:35
` CSD17312Q5NexFET™功率MOSFET的设计，以尽量减少电源转换应用中的损失和5V栅极驱动应用进行了优化。特性5V栅极驱动优化超低的Qg和Qgd低热阻雪崩额定无铅端子电镀符合RoHS
2013-09-12 15:51:10
和尺寸。图3显示，TrenchFET IV产品的封装比TrenchFET III小66%，仍可以实现更高的效率。SiSA04DN是采用PowerPAK® 1212-8封装的TrenchFET IV器件
2013-12-31 11:45:20
积小，爬电距离宽：漏极和源极之间的距离为7mm。通过采用新的表面贴装封装，设计工程师可以实现经济的散热设计，而无需MOSFET上的散热片。演示板不是专为产品设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-29 09:25:59
表面积，那么SOT-223和WSON将是不错的选择。 封装选择中另一个关键的考虑因素是热阻。在产品说明书里常常可以看到两种技术规格 —— θJc被指定为封装表面温度与结（或集成电路裸片的背面）温之间的温差
2018-09-05 15:37:21
作为开关模式电源的核心器件，MOSFET在对电源的优化中承担着十分重要的角色。采用最先进的半导体技术对提高工作效率固然必不可少，但封装技术本身对提高效率也具有惊人的效果。效率和功率密度是现代功率转换
2018-12-07 10:23:12
SMA产品使用：电流容量大，GPP玻璃钝化涵盖1A-2A,Schottky肖特基涵盖1-5A 4：采用框架焊接式工艺 提供了高可靠性和电流容量大等特性，5：低热阻低结温高抗浪涌设计，引线平贴器件底部
2015-11-14 11:11:26
200V以下，但现在最新技术可以做到高达1000V的产品，市场应用前景十分广阔。5.目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种（结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效）。
2020-11-16 10:49:06
(c-a)后，可以根据功耗计算出温度增量ΔTc。随后，再由图8中相应的转换因子就能计算出结温。 图8 TO220、TO220Fullpack和TO247封装的转换因子与绝缘层热阻之间关系3.3计算举例
2018-12-03 13:46:13
温度（Ｔｃ 2）之间的热阻θｃａ封装外壳温度（Ｔｃ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻Ｔｊ结温Ｔａ周围温度Ｔｃ 1封装外壳表面（型号面）温度Ｔｃ 2封装外壳背面温度Ｐd最大容许功率结温(Tj)的验证方法
2019-09-20 09:05:08
上一个输错了型号，AD8436BRQZ 的datasheet里没有最大结温
2023-12-05 06:37:12
如题，本人在学习华成英老师的模电时候，看到ppt上的一句话不太理解，为什么点接触型PN结可以从结电容小，允许的电流小，就会导致最高工作频率高？ 电容电流跟最高工作频率有什么关系呢？请各位同行和前辈们指点一下呗。
2020-04-12 17:33:56
大家好，请问有没有最高工作温度为125摄氏度的滤波芯片？带通滤波（中心频率为4.7KHz）；低通滤波（通频带10HZ）。
如果自己搭建有源滤波器，通频带随温度变化剧烈吗？工作温度从常温到125摄氏度。
2023-11-27 07:57:46
大家好，请问有没有最高工作温度为125摄氏度的滤波芯片？带通滤波（中心频率为4.7KHz）；低通滤波（通频带10HZ）。如果自己搭建有源滤波器，通频带随温度变化剧烈吗？工作温度从常温到125摄氏度。
2018-11-09 09:35:47
性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低～中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐压的同时，降低导通电阻RDS
2018-11-28 14:28:53
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。本文介绍了如何计算结温，并说明热阻的重要性。 文中探讨了较低热阻 LED 封装替代方法，如芯片级和板载 (COB) 设计，并介绍
2017-04-10 14:03:41
计算延时线的最高工作频率
摘要：延迟线在应用中要求一个（纳秒），或者增量时间更正为系统正常工作所需的几纳秒信号延迟。 This application note
2009-10-23 18:30:42
3160 三脚架最高工作高度 通常三脚
2009-12-23 13:36:331100 Diodes发布采用其微型PowerDI5表面贴装封装的产品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五
2010-03-25 11:32:02681 Diodes发布采用微型PowerDI5表面贴装封装的产品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代
2010-03-25 12:07:251032 电子发烧友网为你提供ADI(ADI)AD5060相关产品参数、数据手册，更有AD5060的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，AD5060真值表，AD5060管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-04-18 19:32:09
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521982 
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化电路而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45527 电子发烧友网站提供《AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封装.pdf》资料免费下载
2023-07-24 15:19:47
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