Cadence宣布业内首个DDR4 Design IP解决方案在28纳米级芯片上得到验证
2012-09-10 09:53:241403 ARM (LSE:ARM; Nasdaq: ARMH) 和Cadence (NASDAQ: CDNS) 今天宣布合作细节,揭示其共同开发首款基于台积电16纳米FinFET制程的ARM®Cortex™-A57处理器,实现对16纳米性能和功耗缩小的承诺。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence设计系统公司(Cadence Design Systems, Inc.)(纳斯达克代码:CDNS)今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议,共同开发16纳米FinFET技术,以其适用于
2013-04-09 11:00:05798 ARM近日宣布针对台积电28HPM(High Performance for Mobile, 移动高性能)制程技术,推出以ARMv8为架构的Cortex-A57与Cortex-A53处理器优化套件(POP) IP解决方案
2013-04-18 10:33:521168 Cadence系统芯片开发工具已经通过台积电(TSMC) 16纳米 FinFET制程的设计参考手册第0.1版与 SPICE 模型工具认证,客户现在可以享用Cadence益华电脑流程为先进制程所提供的速度、功耗与面积优势。
2013-06-06 09:26:451236 华力微业界传出大陆华力微电子高层近期来台拜会联发科,表达大陆半导体政策已不再满足于28纳米制程,希望先进逻辑制程技术全面拥抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化,比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出,边缘变矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡,这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441485 DDR接口速率越来越高,每一代产品都在挑战工艺的极限,对DDR PHY的训练要求也越来越严格。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度,谈谈DDR PHY训练所面临的挑战,介绍芯耀辉DDR PHY训练的主要过程和优势,解释了芯耀辉如何解决DDR PHY训练中的问题。
2024-01-05 10:27:34520 IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的寻址方式有哪些?
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之处?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM结构和寻址DDR4 SDRAM的封装和寻址新的改变功能快捷键合理的创建标题,有助于目录的生成如何改变文本的样式插入链接与图片如何插入一段漂亮的代码片生成一个适合你的列表创建一个
2021-07-29 06:58:22
(UG583)“UltraScale架构PCB设计用户指南”的V1.10表示(通常)DDR4接口信号reset_n不需要满足适用于地址/命令/控制组中其他信号的偏移约束。但是,在专门引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好吗?
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及寻址方式DDR4是什么?DDR4全称,DDR4-DRAM,与其他DDRDRAM一样,是当前电子系统架构中使用最为广泛的的RAM存储器。这句话可以分解出3个关键字:存储器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相关变更点相比DDR3,DDR4存在诸多变更点,其中与硬件设计直接相关的变更点主要有:增加Vpp电源;VREFDQ删除;CMD、ADD、CTRL命令的端接变更为POD模式
2021-11-12 08:07:07
、特性增加等因素给DDR4带来过多的管脚增加,DDR4中引入了ACT_n信号对部分ADD管脚进行功能复用。如图1所示,DDR4中RAS_n与A16,CAS_n与A15,WE_n与A14管脚均存在复用关系
2019-11-12 12:40:17
还未接触过DDR4,在LAYOUT颗粒设计中,布局布线上DDR3与DDR4有没有区别?有哪些区别?
2019-03-07 10:11:39
DDR5和DDR4相比有什么优势?
2021-06-18 08:19:59
的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。 DDR4 DDR4内存峰会 据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动
2011-02-27 16:47:17
台积电宣布5nm基本完工开始试产:面积缩小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
处理器。另外,苹果去年底将4核心处理器交由台积电试产,采28纳米制程,未来将提升到20纳米。 然而,苹果A7处理器因耗电需MAX3232EUE+T求较大,应只会配载于iPad、iTV或是MacBook
2012-09-27 16:48:11
台积电正在大量生产用于苹果iPhone8手机的10nm A11处理器。消息称,苹果可能在下个月初正式发布iPhone 8,但是具体发货日期仍然不确定。 据悉,台积电已经采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
技术开发成功,同时透露会朝第二代的 FinFET 技术开发。若***一举朝 7 纳米前进,将会成为全球第四家 7 纳米技术供应商,与英特尔、台积电、三星分庭抗礼。同时,华为海思的麒麟980也抢先发布,首款
2018-09-05 14:38:53
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 镁光DDR4 时时发集团亚洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
我已经通过AXI互连将用于PCI Express的DMA子系统连接到DDR4控制器IP。然而,这是在块设计之外完成的。实际上我没有使用块设计。如果我使用块设计,地址编辑器将出现在一个选项卡中,可以指定每个块的AXI地址。但是如果没有块设计,我该如何打开地址编辑器?
2020-05-08 07:30:19
嗨,我正在尝试在Kintex UltraScale(KCU105)中实现DDR4内存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我应该为实现这个内存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1谢谢Luis。
2020-04-26 13:58:08
16纳米FinFET制程,但因许多客户认为16纳米FinFET与目前量产中的20纳米SoC制程相较,效能及功耗上并无太明显的差距,也因此,台积电加快脚步开发出16纳米FinFET Plus制程,除了可较
2014-05-07 15:30:16
亲爱的社区,我们正在使用 DDR4 (Micron MT40A512M16LY) 开发基于 iMX8MP 的定制板。我们能够按照MSCALE_DDR_Tool_User_Guide.pdf中描述
2023-03-17 06:56:36
,未来就要看竞争对手的制程技术能否赶得上脚步。 近期高通与台积电持续紧密合作,业界传出在最先进的7纳米制程技术上,台积电因为技术开发领先三星电子(Samsung Electronics),可望拿回高通7
2017-09-22 11:11:12
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2021-05-08 17:42:19
如今,电脑已经成为了人们工作和娱乐中不可缺少的设备,越来越多的人选择DIY一台属于自己的PC。在实际装机之前,进一步地了解硬件是非常有必要的,就拿内存条来说,虽然现在主流已经是选择DDR4了,很多人
2019-07-25 14:08:13
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2021-12-27 19:25:08
NXP IMX8M Mini DDR4 校准
2023-04-20 07:36:55
嗨,我是jongbum。目前,MIG UltraScale DDR4支持最高2级。https://forums.xilinx.com/t5/Memory-Interfaces
2020-04-22 08:36:21
利润率为39.1%,净利润率为36.1%。尽管Q221净利313亿,但台积电仍决定涨价,主要有以下两个原因。首先,台积电半导体涨价意在防止因提前大规模投资导致盈利能力恶化。台积电在2021年4月份宣布
2021-09-02 09:44:44
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR区别文所有权归作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的缩写,即“双比特翻转”。DDR是一种技术,中国大陆工程师
2021-09-14 09:04:30
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2021-01-30 17:36:35
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2021-09-08 14:59:58
在做一个集成DDR4内存条模组的硬件项目,需要对DDR4模组的信号进行板级仿真,在镁光有下载到内存条的spice模型(.sp格式)和DDR芯片的.ibs模型;参考了Cadence Sigrity
2021-05-27 18:14:00
这些年,英特尔、三星、台积电在制程上的恩恩怨怨,堪比武侠小说中恩怨情仇。这些大厂的争斗均是围绕14纳米和16纳米,那么问题来了,这个14纳米和16纳米有什么好争的?下面芯易网就来简单做一下介绍。纳米
2016-12-16 18:20:11
这些年,英特尔、三星、台积电在制程上的恩恩怨怨,堪比武侠小说中恩怨情仇。这些大厂的争斗均是围绕14纳米和16纳米,那么问题来了,这个14纳米和16纳米有什么好争的?下面芯易网就来简单做一下介绍。纳米
2016-06-29 14:49:15
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 编辑
苏州专业收购DDR4晓色又侵窗纸。窗外鸡声初起。苏州长期高价回收DDR4,专业收购DDR4,深圳帝欧电子长期现金高价回收
2021-03-17 17:59:10
,所以只能以旧工艺(16nm制程)制造A10处理器。除此之外,台积电还将独家代工重大变化的2017年版iPhone采用的A11处理器。据称A11芯片将采用10纳米FinFET工艺,最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
使用DDR4作为外接存储单元时,蜂鸟e203的访问地址为0x40000000,但是经过vivado的Block design后使用DDR4,在板子上跑测试DDR4读写程序,报store访问异常
2023-08-11 06:17:58
其中之一。在去年底发布的iPhone 6s和iPhone6s Plus中,该公司采用了三星供应的14纳米A9芯片,但同时也有部分机型采用了台积电的16纳米A9芯片。现阶段的台积电仍然是全球最大的合同制
2016-01-25 09:38:11
DDR4和DDR3的区别在哪里?DDR4内存与DDR3内存相比,有哪些优势呢?
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR3/4 PHYRESPONSIBILITIES:1. Develop the specification & implement the circuit for the DDR
2017-11-13 14:46:14
中芯国际(SMIC)和Cadence共同推出用于65纳米的低功耗解决方案Reference Flow 4.0
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司今天宣布推出一款全面的低功耗设计流程,面向
2009-11-04 17:05:17589 DDR4,什么是DDR4
DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 台积电在10月16日的年度大会中,宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程
2012-10-23 09:18:54810 该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551270 益华电脑宣布,晶圆代工业者GLOBALFOUNDRIES已经认证Cadence实体验证系统适用于65nm至14nm FinFET制程技术的客制/类比、数位与混合讯号设计实体signoff。同时
2014-03-25 09:33:50862 全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司 (NASDAQ: CDNS),今日宣布台积电采用了Cadence®16纳米FinFET单元库特性分析解决方案。
2014-10-08 19:03:221594 美国加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其数字和定制/模拟分析工具已通过台积电公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45663 美国加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。
2014-10-08 19:19:22919 本内容主要分析了基于FPGA的系统需求,赛灵思UltraScale FPGA DDR4和其他并行接口分析以及针对高性能高度灵活方案的PHY解决方案介绍。
2016-08-03 19:37:24190 将DDR4接口问题放在首位。除了设计将DDR4兼容UltraScale I/O PHY,他们从头设计了DDR4 I/O PHY,然后扩展它的性能并支持其他I/O的需求。结果:基本的13位可编程字节通道,这首先是一
2017-02-08 14:03:01608 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽,DDR4的传输速率目前可达2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计,各个Bank
2017-11-07 10:48:5152790 近日,国际领先的定制化芯片设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体有限公司对外宣布推出基于SMIC40LL工艺的第二代DDR低功耗物理层IP,该IP与第一代的低功耗DDR PHY相比面积减少20%。
2018-03-17 10:43:397321 DDR4内存目前还是绝对主流,不断被深入挖潜,频率已经突破5GHz,不过下一代DDR5也已经蠢蠢欲动了。
2018-05-11 11:48:325126 中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%的水准,距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子(UMC)的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案,支援共同客户满足下一代行动和高效能运算(HPC)应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:003391 三星宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 晶圆代工大厂格芯在28日宣布,无限期停止7纳米制程的投资与研发,转而专注现有14/12纳米FinFET制程,及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002111 本文介绍了DDR4技术的特点,并简单介绍了ANSYS工具用来仿真DDR4的过程。文章中主要介绍的对象为DDR4 3200MHz内存,因为硬件极客对DDR4性能的不断深挖,目前已经有接近5000MHz的量产内存。
2018-10-14 10:37:2823341 就在16日一早,韩国晶圆代工厂三星宣布发展完成 5 纳米制程,并且推出 6 纳米制程,并准备量产 7 纳米制程的同时,晶圆代工龙头台积电也在傍晚宣布,推出 6 纳米 (N6) 制程技术,除大幅强化
2019-04-17 16:42:502441 新思科技近日宣布与GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,针对GF的12纳米领先性能(12LP) FinFET工艺技术,开发覆盖面广泛的DesignWare® IP组合,包括多协议25G
2019-07-05 09:13:133145 2014年,推出了第四代DDR内存(DDR4),降低了功耗,提高了数据传输速度和更高的芯片密度。 DDR4内存还具有改进的数据完整性,增加了对写入数据的循环冗余检查和片上奇偶校验检测。
2019-07-26 14:34:0145992 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生
2019-08-19 15:45:223148 10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 12月8日消息,近日,七彩虹推出了两款DDR4 普条,都是DDR4 2666频率,8GB单条售价188元,16GB单条售价299元。
2019-12-09 15:49:496112 DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082 5月14日, Cadence宣布基于中芯国际14nm工艺的10Gbps多协议PHY研发成功,这是行业首个SMIC FinFET工艺上有成功测试芯片的多协议SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 应用提供优化的性能和吞吐量。面向 PCIe 6.0 的 Cadence IP 的早期采用者现在可以使用相应的设计套件。 Cadence 的这款 5 纳米 PCIe 6.0 PHY 测试芯片在所有 PCIe 速率下都表现出了出
2021-10-26 14:28:004024 楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,众多领先的半导体和系统客户已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技术的全系列 Cadence® 设计 IP 产品。
2022-06-24 14:52:461586 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务(design implementation service),由客户指定制程(8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺)及生产的晶圆厂。
2022-10-25 11:52:17724 本文档定义了DDR4 SDRAM规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准旨在定义符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM设备通过16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 中国上海,2022 年 12 月 27日 —— 楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布推出首个 LPDDR5X 存储器接口 IP 设计,该优化后的设计可达
2022-12-27 10:49:041166 恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP 借助MRAM,汽车厂商可以更高效地推出新功能,加速OTA升级,消除量产瓶颈 恩智浦计划于2025年初推出采用该技术
2023-05-26 20:15:02396 流程现已通过 Intel 16 FinFET 工艺技术认证,其 Design IP 现可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工艺节点。 与此同时,Cadence 和 Intel 共同发布
2023-07-14 12:50:02381 中国上海,2023 年 7 月 28 日——楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,双方已就 Cadence 收购 Rambus SerDes 和存储器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51989 和存储器接口 PHY IP 业务。 随着人工智能、数据中心和超大规模应用、CPU 架构和网络设备日新月异的发展,此次技术资产收购丰富了 Cadence 现有的 IP 组合,并增强了公司的智能系统
2023-09-12 10:10:03299 、64G-LR 多协议 PHY、LPDDR5x/5、GDDR7/6 和 UCIe 中国上海,2023 年 9 月 26 日——楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布扩大其在 TSMC 3nm(N3E)制程上的设计 IP 产品组合,其中最引人注目
2023-09-26 10:10:01321 DDR4和DDR3内存都有哪些区别? 随着计算机的日益发展,内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及,更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905
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