美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 高功率密度 → 更紧凑的设计CoolMOS CFD7A在硬开关和谐振开关拓扑中，尤其是轻负荷条件下具有较大改进，令效率更上一层楼。与之前几代产品相比，其在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率；而且这一产品组合极具前景，使CFD7A成为减少系统重量和空间以实现更紧凑设计的关键因素。
2023-09-12 10:46:36519 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 凭借在汽车领域的多年从业经验，英飞凌将远超AEC Q101标准的最高品质与出色的技术知识相结合，推出CoolMOS™ CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38986 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代产品也是目前市场上第一颗650V并且带快恢复二极管的650V高压MOSFET。极低的Qrr和trr使得该MOSFET可以轻松的应对LLC硬关断时各种现象
2018-12-05 09:56:02
在“CH32FV2x_V3x 系列应用手册 （V1.03版）”的383页中关于MDC与MDIO的引脚序号似乎与“CH32V20x_30x 数据手册(V2.2版)”有差异。而在对应的数据手册中的第24
2022-07-19 07:45:08
很不错的资料{:7:}FYD12864带字库使用手册.pdf 2015-7-27 08:31 上传 点击文件名下载附件 1.88 MB, 下载次数: 1FYD12864无字库3A中文使用手册
2018-07-19 02:46:32
ICE3A2065ELJ离线式SMPS电流模式控制器的典型应用电路，集成650V CoolMOS和启动单元（锁存和频率抖动模式）。 CoolSETF3 ELJ版本是针对系统噪音的增强型LJ版本。它
2019-06-13 13:46:19
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
650V FET COOLMOS TO247
2023-11-01 13:40:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
非常的KEIL软件使用手册，内部包含详细的软件的使用介绍，含示例详解
2020-10-20 19:12:27
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65，原装，库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
USB AVR Prog+ V2.0使用手册
2012-08-20 11:03:00
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符号库及PCB库
2021-01-28 06:39:41
aglient 2000系列使用手册.pdf
2012-07-20 23:01:24
aglient 5000系列使用手册.pdf
2012-07-20 23:03:17
加密芯片的安全性：1、芯片本身硬件的安全，采用U盾芯片2、算法安全，可以采用国家商用密码算法，如SM1,SM7,SSF33等算法，是保密非公开算法。加密芯片使用手册见附件 加密芯片使用手册.rar (79.94 KB )
2019-07-09 04:35:14
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
目前已在锂电池充电器中做了实验，输出为48V，2A的充电器。效率可达90%。有需要试用的可以发站内信联系我！基本参数为650V，20A，Rdson160毫欧姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。欢迎大家查看。目前我司已经量产的Super junction有以下几类：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改进了十倍，但CoolSiC的Qrr参数再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。这意味着，通过使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
求一份intel 8237A的使用手册，谢谢热心的大佬们！
2020-11-27 00:22:48
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
% Inom（IC=300A）电流关断时，600V IGBT3会产生一个很高的过冲电压VCE,max 和阶跃振荡。相反，特别为这种高电流应用设计的650V IGBT4，即使典型直流电压达到300V
2018-12-07 10:16:11
CoolMOS™ 650V CFD器件具备极低的反向恢复电荷Qrr、极短的反向恢复时间trr 和极小的反向恢复电流最大值Irrm。 图2在di/dt=100A/µs、 25°C和 Vr=400V等条件下测量
2018-12-03 13:43:55
深爱半导体MOS管 SIF7N65F TO220F 场效应管 7A 650V 原装现货供应
2022-03-17 17:53:20
微电子供应svf7n65f场效应管7a 650v mos管封装TO-220F提供svf7n65f参数详细参数、规格书等，是士兰微MOS代理商，更多产品手册、应用料
2022-03-30 15:41:09
了dv/dt能力骊微电子供应SVF10N65F 650v 10a大功率mos管提供svf10n65f电路图、详细参数、规格书等，是士兰微MOS代理商，更多产品手册、应
2022-03-30 15:52:04
供应40A、650V国产绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7 ，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:16:15
供应SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管耐压650V、40A，提供SGTP40V65FDR1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:29:51
供应SGTP75V65SDB1P7 n沟道绝缘栅双极型晶体管650V、75A ，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 14:02:39
供应SGTP75V65FDB1P7 压缩机绝缘栅双极晶体管650V、75A ，SGTP75V65FDB1P7 具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 14:55:36
供应igbt双极性晶体管650V、75A 大功率igbt开关电源SGTP75V65SDS1P7 ，具有较低的导通损耗和开关损耗，SGTP75V65SDS1P7可应用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:11:03
SVSP35NF65P7D3 超结MOS管国产35A,650V，适用于硬/软开关拓扑，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高压超结mos管，提供SVSP65R041P7HD4关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-19 14:56:39
供应SVS7N65FJD2 7A,650V 超结MOS管国产-士兰微mos管，适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 14:34:47
华润微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 现货供应 CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
华润微coolMOS 现货供应 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261675 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飞凌新一代CoolMOS CFD2器件具备最低的通态电阻和高达650V的阻断电压。这种的器件还具备极低的反向恢复电荷和结实耐用的内置体二极管。数据表规范中将提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423957 
英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171846 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案，符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:45
4 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 Infineon公司CoolMOS™系列一直是行业标杆， 从跨时代意义的CoolMOS™ C3到升级版的 CoolMOS™ C6、 CoolMOS™ C7、CoolMOS™ P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256755 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523700 
、CFD7系列，与650V CoolSiC G6系列肖特基二极管则是方案设计中能效与功率密度的“双赢”之选。再搭配英飞凌最新的第五代准谐振CoolSET 系列产品以及EiceDRIVER系列驱动IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围，且为 CoolMOS CFD2 的后继产品。
2020-10-09 15:28:261169 东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 
TP650H070L系列650V，72mΩ 氮化镓（GaN）FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06:55616 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09:321183 Wolfspeed 新款车规级 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21918 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25724 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器，产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40559 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16640 
电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151 电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源，提供SGTP75V65SDS1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士兰微高压超结mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-09-06 14:57:507 供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD211A,650V高压超结mos管，适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:07:350 供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061 IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07189 
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