,并签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 Introduction 碳化硅功率半导体近年来在能源转换
2020-11-24 11:51:471754 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
复杂的设计,功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件? 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时,碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
技术需求的双重作用,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙(WBG)技术器件应运而生,如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
,封装也是影响产品可靠性的重要因素。基本半导体碳化硅分立器件采用AEC-Q101标准进行测试。目前碳化硅二级管产品已通过AEC-Q101测试,工业级1200V碳化硅MOSFET也在进行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
充电器、电机和太阳能逆变器,不仅可以从这些新器件中受益匪浅,不仅在效率上,而且在尺寸上,可实现高功率、高温操作。但是,不仅器件的特性让人对新设计充满好奇,也是意法半导体的战略。碳化硅(SiC)技术是意
2023-02-24 15:03:59
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时,碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵,尽管认识到了与硅基产品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潜在优势,大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻,然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计,2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
材料施加热应力,评估器件内部各种不同材质在热胀冷缩作用下的界面完整性;此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻,尤其是应用于汽车的模块。HTRB(高温反偏测试)HTRB是分立器件可靠性最重要的一个试验项目
2023-02-20 15:27:19
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
科技有限公司TGF2023-2-10对碳化硅器件由DC至14 GHz的离散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益为19.8 dB的饱和输出功率。最大功率附加效率为
2018-06-12 10:22:42
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
应用范围也越来越广。据报道,美国特斯拉公司的马达驱动逆变器使用的是碳化硅半导体。另外,很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体,其内部电路在高压
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
,在这些环境中,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天,SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来,预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,获得华大半导体有限公司投资,创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块,并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中,可实现相比硅元器件更高的工作温度,实现双倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半导体器件选型,并给出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解决方案。 02 图腾柱无桥PFC拓扑分析 在正半周期(VAC大于0)的时候,T2为主开关管。 当T2开通时,电感L储能,电流
2023-02-28 16:48:24
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一块 DBC 板上,使半桥模块面积仅为 TO-247 单管大小,极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数。阿肯色大学则针对碳化硅芯片开发了相关的 SiC CMOS 驱动
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
华为为5G铺路,布局碳化硅半导体,打破国外第三代半导体市场垄断
2019-08-27 11:19:034989 、测试及推广以碳化硅为基础材料的功率半导体技术,服务上海以至全国的功率半导体芯片、功率模块、零部件供应商和整机厂全产业链,加快下一代先进功率半导体芯片和功率模块的推广和产业化应用。 揭牌仪式上,臻驱科技董事长兼总经理沈捷表示,
2020-07-09 16:35:582184 近日,由华大半导体和复旦大学共建的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心举行揭牌仪式。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲、上海市科委、复旦大学和华大半导体等相关领导出席了揭牌仪式并致辞,来自
2020-10-10 15:37:313022 碳化硅半导体器件供应商致瞻科技有限公司获得Pre-A轮融资。11月20日,毅达资本在官方微信宣布,已完成对致瞻科技的投资。依托核心团队10余年的碳化硅功率半导体设计和驱动系统研发经验
2020-11-30 10:33:272200 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32140 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅专用封装工艺技术,打造
2021-12-31 10:55:432797 与普通硅相比,碳化硅可以承受更高的电压,因此,碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关,从而提供了简化和可靠的系统布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端应用领域,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化镓领衔的宽禁带半导体发展迅猛,被认为是有可能实现换道超车的领域。
2022-07-06 12:49:161073 为提升新能源汽车整体性能,全球各大车企纷纷将目光锁定在碳化硅功率半导体。相较传统硅基模块,碳化硅功率模块可大幅提升电机控制器的功率密度和效率,在降低电池成本、增加续航里程、缩短充电时间、减少整车重量等方面表现出了非凡的科技魅力,堪比功率半导体里的“学霸”。
2022-08-01 14:58:55910 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065312 日本媒体报道称日本罗姆(ROHM)12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅(SiC),罗姆花费约20年推进了研发。据称,罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许
2022-12-30 13:57:49632 半导体届“小红人”——碳化硅肖特基,让你的电源温度低过冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 对新材料探索的脚步便从未停止。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,属于第三代半导体材料,其禁带宽度高达3.0eV,相比第一代半导体材料硅,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8倍;电子饱和漂移速率为硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅是目前应用最为广泛的第三代半导体材料,由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV,因此一般也会被称为宽禁带半导体材料,除了宽禁带的特点外,碳化硅半导体材料还具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子
2023-02-12 15:12:32933 功率半导体碳化硅(SiC)技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技术的需求继续增长,这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时,它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而,它也有好处。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:550 碳化硅模块上车高湿测试 2021年碳化硅很“热”。比亚迪 半导体 、派恩杰、中车时代电气、基本半导体等国内碳化硅功率器件供应商的产品批量应用在汽车上,浙江金华、安徽合肥等地碳化硅项目开始
2023-02-21 09:26:452 晶圆(前端工艺)。碳化硅晶圆再经过划片封装测试(后段工艺)就变成了我们现在使用的半导体-碳化硅二极管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472091 汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件,由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:222181 按照电学性能的不同,碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件,两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 本文介绍了激光在碳化硅(SiC)半导体晶圆制程中的应用,概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理,并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 意法半导体(ST)宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起,采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51931 5月, SNEC第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源大会 在上海新国际博览中心重磅举行。基本半导体携旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ,以及全系 汽车级碳化硅功率模块 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34802 1、半导体照明领域以碳化硅为基板的LED在此期间具有更高的亮度、更低的能耗、更长的寿命、更小的单位芯片面积,在大功率LED中具有很大的优势。2.各种电机系统在5kV以上的高压应用中,半导体碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546 碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国
2023-05-15 10:04:53804 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092320 罗姆收购Solar Frontier碳化硅工厂 计划到2027碳化硅功率半导体业务达139亿 罗姆一直看好碳化硅功率半导体的发展,一直在积极布局碳化硅业务。罗姆计划到2025年拿下碳化硅市场30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29344 碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件,具有高温、高频、高效等优点,被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅功率器件的基础知识。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半导体,用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 业内人士预测,今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面,碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展,多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21970 目前汽车业仍结构性缺芯,比如,电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月,去年有许多碳化硅项目的投资,要2025年才会释放产能,预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
2023-11-17 17:12:18664 目前,全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测,未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计,2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元,该数据包括多家上市公司,如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:37603 碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅三极管的阻值测试方法 碳化硅是一种新型的半导体材料,具有优异的热稳定性、高电场饱和漂移速度和较小的漏电流等特点,在高功率和高温应用中具有广泛的应用前景。碳化硅三极管是基于碳化硅材料制造的一种
2023-12-21 11:27:20318 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料,在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49382 碳化硅(SiC)和传统硅半导体(Si)是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而,碳化硅相对于传统硅半导体具有一定的优缺点。 优点: 更高的热导率:碳化硅的热导率是传统硅半导体
2024-01-10 14:26:52236 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294
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