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电子发烧友网>汽车电子>基于EconoDUAL 3设计的600A/1200V汽车驱动

基于EconoDUAL 3设计的600A/1200V汽车驱动

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据外媒报道,最近,日本罗姆半导体公司(ROHM)宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管(IGBT),此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器,以及正温度系数(PTC)加热器中的开关电路。
2019-05-27 08:41:501493

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:504947

Power Integrations推出汽车级门极驱动器,采用FluxLink通信技术

深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件扩展了公司的汽车驱动器IC的范围。
2020-01-16 09:31:002755

英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513428

比亚迪半导体成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片BF1181

近期,比亚迪半导体基于先前研发成果的稳固基础上,继续整合自身优势,成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181,今年12月实现向各大厂商批量供货。
2021-12-16 10:52:452719

东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

​东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606

比亚迪半导体全新推出1200V 1040A SiC功率模块

作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司,在SiC功率器件领域,比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块,并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216

瞻芯电子1200V大电流MOSFET获车规级认证

值得一提的是,这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证,同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金,如下图,支持双面散热封装,可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16875

RGS系列:支持AEC-Q101的车载用1200V耐压IGBT

ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号,传导损耗非常低,非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:23457

1200V耐压、400A/600A的全SiC功率模块BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器,开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

实现大电流化的技术要点

转换器,开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05171

英飞凌推1200V SOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品,用于高功率应用,如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机(高达10kW)。
2023-05-18 16:18:24317

新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品

提高。封装采用.XT互连技术,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594

新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI技术的三相栅极驱动

新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技术的三相栅极驱动器EiceDRIVER1200V三相栅极驱动器,典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装
2023-02-22 11:11:49569

新品 | 带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列

新品带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200VSOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列产品型号:2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列诞生了首批1200VSOI半桥产品,用于高功率应用,如商用
2023-05-18 09:42:01718

士兰微电子推出高性能汽车驱动模块—600A/1200V IGBT模块

汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。   针对这一需求,士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力,为用户带来更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735

1200V高压硅基氮化镓功率器件动态特性实测

在此方向上,青桐资本项目伙伴「量芯微半导体(GaNPower)」(以下简称「量芯微」)在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产,并于近日与泰克科技(Tektronix Inc.)合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301370

用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块,采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC,并有使用预涂的热界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231

新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

NTC,并有使用预涂的热界面材料(TIM)版本。产品型号:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:59584

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求,新能源汽车的市场需求逐渐增大,已然成为汽车发展的大趋势,但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此,需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。
2023-09-07 16:50:29625

凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS

2023年10月,凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异,开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动,能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26488

国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10424

Qorvo发布1200V碳化硅模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19283

蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力,也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228

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