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电子发烧友网>汽车电子>基于EconoDUAL 3设计的600A/1200V汽车驱动

基于EconoDUAL 3设计的600A/1200V汽车驱动

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2024-04-10 18:05:173

纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车规与工规两种
2024-04-17 13:37:49873

先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品

在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块。
2024-05-09 14:25:261354

Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

英飞凌1700V EconoDUAL3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究

了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4在MVD和SVG中的典型应用,然后介绍了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA™ 3模块的性能优化。通过与FF600
2024-05-31 15:22:381195

纳微正式发布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs产品系列

氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以
2024-06-11 15:46:171561

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展

和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。现可提供2.9mΩ1200V新规格,带或不带热界面材料(TIM)。相关产品:FF3MR12KM1H2.9mΩ,1200V62mm
2024-06-26 08:14:271230

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL3 IGBT7 模块

的功率密度和更长的使用寿命。目前的EconoDUAL3Wave产品组合新增了1700V电压等级的900A模块。产品型号:FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431057

2.5nH超低电感的1200V SiC MOSFET三相全桥模块

1200V三相全桥碳化硅功率模块,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势,性价比超国外产品,适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。
2024-09-18 17:18:171724

采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机驱动

的EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED3122MC12H。 ■  产品型号: REF-DR3KIMBGSIC2MA ■  所用器件: SiC MOSFET: IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V 栅极驱动
2024-10-29 17:41:42940

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比,该模块采用了分段式栅极沟槽(SDA)结构,并通过可以控制
2024-11-14 14:59:192867

瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET

为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装时能自动化生产。
2024-11-27 14:58:201445

森国科推出全新1200V/25A IGBT

森国科推出的1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大工作结温扩大到175℃,有助于延长产品的使用寿命。
2024-12-04 16:16:281123

MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A
2024-12-17 15:43:30636

新品 | 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL3模块

新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiCMOSFETM1H增强型1代、集成NTC温度传感器
2025-04-17 17:05:15805

龙腾半导体推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速发展的当下,如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖,成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力,为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。
2025-04-29 14:43:471044

新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B,2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技术,电流等级涵盖75A
2025-05-13 17:04:461315

闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

在全球新能源汽车加速普及的今天,续航短、充电慢成为行业发展瓶颈。为突破这两大痛点,高功率电压系统对1200V耐压功率芯片的需求愈发迫切,1200V SiC功率器件成为行业竞相攻坚的焦点。在这一趋势下
2025-05-14 17:55:021064

新品 | 英飞凌EconoDUAL3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块,增强型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301

瞻芯电子第31200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第31200V SiC 35mΩ MOSFET产品,凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单,已量产交付近200万颗,为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
2025-07-16 14:08:231049

新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ,配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A,配备
2025-07-31 17:04:34837

英飞凌EconoDUAL3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

11月25日,英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半导体
2025-11-26 09:32:50573

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半桥栅极驱动器的卓越之选 在电子工程师的日常工作中,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们就来深入探讨英飞凌(Infineon)的两款出色
2025-12-20 11:15:12666

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2025-12-20 11:30:021310

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2025-12-21 10:45:06472

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