(电子发烧友原创 文/章鹰)近日,美国Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度财务业绩,第一季度的营业收入为1.821亿美元,同比增长5%。第一季度的净利润
2022-05-16 09:09:334421 Power Integrations门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门,并且还可以降低电源系统的损耗
2019-02-27 12:46:524252 在高耐压范围中,SiC MOSFET与Si-MOSFET相比,具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势,当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC
2019-04-24 12:46:442091 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。
2019-07-26 15:15:491152 Power Integrations今日推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQSCALE-iDriver门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件
2020-01-24 09:42:002938 ROHM针对这些挑战,于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC,并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC,在行业中处于先进地位。
2021-06-20 10:58:48962 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
2021-07-28 14:47:031361 Digi-Key Electronics 日前宣布与高压电源转换半导体技术的领先创新者 Power Integrations 合作,供应其采用 PowiGaN™ 技术的 InnoSwitch™3 IC 系列。
2021-09-17 09:46:03790 PI看到了电动车的这个发展趋势,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ产品,该产品采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC,将耐压值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55904 CRD-060DD12P,用于单端反激式转换器设计的演示板,采用市售的1700V碳化硅(SiC)MOSFET,取代传统的双开关反激式转换器,用于三相应用的高压输入辅助电源。演示板不是专为产品而设计的,仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-30 07:42:31
DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器,总共仅使用117个元件深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
。如果是相同设计,则与芯片尺寸成反比,芯片越小栅极电阻越高。同等能力下,SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小,因此栅极电容小,但内部栅极电阻增大。例如,1200V 80mΩ产品(S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。 因此,没有必要再采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。 3. VD
2023-02-07 16:40:49
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻,而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品,但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此,没有必要再
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1:移相DC/DC转换器下面是演示机,是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
栅极电压,在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间,也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
增强型8引脚SO封装中集成了2 A、150 V DMOS功率开关, 以及所有高压电路和控制逻辑。LT8304/LT8304-1支持3 V至100 V 的输入电压范围,最多可提供24 W的隔离输出功率
2018-10-30 11:48:08
的导通电阻。不仅能够以小封装实现低导通电阻,而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。SJ-MOSFET只有900V的产品,但是SiC却能够以很低的导通电阻轻松实现1700V以上的耐压。因此,没有必要再
2019-05-07 06:21:55
LPC11C00宣传页:业界首款集成CAN收发器微控制器解决方案
2022-12-08 07:07:09
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
高压充电还是低价充电在业界总是个矛盾讨论的问题,不过最新消息,我司已推出第一款高压4.35锂电池电源管理IC。厂家新开发TX4353,移动电源高压线性电源管理IC,高压IC,4.35V-5.0V任性
2016-06-06 13:07:16
Power Integrations公司今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch?-EP产品系列再添新成员。新器件适用于由高压直流或三相电供电的工业控制、电机驱动
2018-10-09 14:15:31
使用,BM6101是一款电流隔离芯片,通过它进行两级驱动Mosfet管。而驱动的电压就是通过开关电源调整得到的电压,驱动电路还如下图黄框出提供了死区调整的电阻网络。利用示波器在在这时对栅极源极电压
2020-06-07 15:46:23
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到,SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
业内先进的 AC/DC转换器IC ,采用 一体化封装 ,已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 (TO263-7L)中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
频应用而设计。与竞争对手器件相比,室温和热时的开关损耗。此外,据我们所知,我们发现制造功率二极管的一种经济方法是使用市售的6英寸600V至1700V深扩散磷晶片,而不是使用多质子注入来获得N缓冲区
2023-02-27 09:32:57
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,由其推出的BM2LB150FJ-C是一款汽车级的低侧开关IC,具有双通道,已通过AEC-Q100认证,是一款将控制模块(CMOS)和功率
2019-04-29 05:23:26
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
快速增长的电动汽车市场,安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
新品发布|业界首款!润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面贴装封装,占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V SiC MOSFET+AC/DC转换器 评估板BD7682FJ-EVK-401为三相AC400~690V输入 24V/1A输出,搭载了ROHM适用于大功率工业设备的1700V高耐压SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出,上述IC的栅极驱动电压在每种MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
SOIC封装,包含米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现稳健的SiC/GaN MOS或IGBT单轨电源关断。输出侧可以由单电源或双电源供电。去饱和检测电路集成在ADuM4135上,提供高压短路开关工作
2018-10-22 17:01:41
驱动1700V IGBT的几种高性能IC 选型设计:通过对几种常用的1700V IGBT 驱动专用集成电路进行详细的分析,对M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列进行深入的讨论,给出了电气特性参数和内部
2009-06-19 20:29:5239 AWMF-0224 双通道中频收发器 IC 如有需求欢迎联系AWMF-0224 是业界首款完全集成的双通道 IF 上/下转换器,带有集成 PLL/VCO LO 合成器。该半双工
2024-01-02 11:57:33
Power Integrations再次推出新的TOPSwitch®-HX系列离线式开关IC
Power Integrations公司宣布为其广受欢迎的TOPSwitch-HX系列AC-DC功率转换IC推出全
2008-08-18 09:48:01585 Power Integrations的EcoSmart技术已节省30多亿美元的能源费用用于高能效功率转换的高压集成电路厂商Power Integrations公司自1998年推出高能效EcoSmart节能技术以来,大约已为全世界的消
2008-08-28 09:13:22444 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司近日宣布推出其HiperPLC(名称涵义为高功率、功率因数校正、LLC及控制器)系列电源控制器IC。HiperPLC是高度集成、高
2008-11-13 10:05:11792 Power Integrations新推出的参考设计可满足最新的ENERGY STAR音频放大器电源待机功率规范
PeakSwitch集成PSU控制器 / MOSFET IC,可为5.1通道家庭
2009-05-29 00:01:13689 Power Integrations 实现能效高达92%、最大功率 150 W 的LED 路灯电源设计
用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations 公
2009-06-21 12:25:03561 Power Integrations 的能效计算器将帮助设计师克服外部电源标准的困扰
用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations
2009-06-21 12:26:56594 Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX电源转换IC
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,其内部均集成有一个725V功率
2010-03-05 10:41:231058 集成控制器和MOSFET的新型TOPSwitch-JX
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,其内部均集成有一个725 V功率MOSFET
2010-03-09 10:34:42620 集成控制器和MOSFET的新型TOPSwitch-JX
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,其内部均集成有一个725 V功率MOSFET
2010-03-10 11:28:41875 PI推出可对X电容自动放电的双端子CAPZero系列IC
用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司日前宣布推出创新的双端子CAPZero系列IC,该IC可对X电
2010-04-20 10:21:46979 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司日前推出集成
2010-10-15 09:15:04908 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品,一款集成高压MOSFET
2010-11-11 08:48:52642 Power Integrations公司日前宣布推出一款适用于高压应用的高集成度电源IC产品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:35739 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出其最新零空载功率产品系列LinkZero-LP。这款高度集成的离线式开关IC可在负载断开后自动进入
2010-12-10 09:02:25690 MXIM推出MAX12005,业界首款8 × 4卫星中频开关IC可扩充到允许多达16个卫星信号。高度集成,MAX12005非常灵活,一个空间受限的范围广,如果分配和多路开关应用卫星的适应性。
2011-01-14 09:52:00536 Power Integrations公司近日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC,新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中
2011-09-15 10:01:50904 Power Integrations公司日前推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC,新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中
2011-09-23 09:17:451308 德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款支持 14 个电源电压轨的汽车电源管理集成电路 (PMIC)。作为业界首款支持超过 10 个电压轨的汽车 PMIC
2011-10-26 09:45:51742 美国加利福尼亚州圣何塞,2013年11月12日讯 – 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出HiperTFS
2013-11-13 14:53:531603 2014年7月23日,用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)宣布推出其LinkSwitch™-3系列高度集成的单片开关IC。
2014-07-30 09:16:461364 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一类全新的电源IC。
2014-11-13 10:39:33940 美国加利福尼亚州圣何塞,2015年1月28日讯 — 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布LinkSwitch™-4系列恒压/恒流初级侧调节(PSR)开关IC。
2015-01-29 15:37:072087 SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。
2015-09-07 09:29:311923 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出LYTSwitch™-3产品系列 — 该公司LYTSwitch系列LED驱动器IC的最新成员。
2016-03-03 16:13:53958 美国加利福尼亚州圣何塞,2016年4月12日讯 — 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布InnoSwitch™-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒压/恒流离线反激式开关IC的子系列。
2016-04-13 09:38:131262 Power Integrations公司4月12日发布InnoSwitch-CEIC,新器件是InnoSwitch系列恒压/恒流离线A反激式开关IC的子系列。InnoSwitch-CEIC适用于TEC法规相关的消费电子应用(TEC法规是由政府认定的重要总能耗法规)。
2016-04-13 17:16:201409 美国加利福尼亚州圣何塞,2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者(纳斯达克股票代号:POWI)今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道
2017-05-19 15:45:09946 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。
2018-09-26 11:32:173606 支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694 耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC
2018-10-24 11:40:014300 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后,新器件扩展了公司的汽车级驱动器IC的范围。
2020-01-16 09:31:002755 。 该板有三个输出:+15V、-15V和+24V,输出功率高达62.5W。 该板使用TO-263 7L表面贴装器件(SMD)封装的1700V CoolSiC MOSFET作为主开关,非常适合高输入电压
2021-09-07 14:11:032397 电子发烧友网报道(文/李诚)工业4.0时代及电动汽车快速的普及,工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高,传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰,SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 集成半桥电路的家电用电机驱动器可省去散热片,大幅缩减软件认证时间及成本美国加利福尼亚州圣何塞--(美国商业资讯)--深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations
2021-11-09 11:36:0033 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606 标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。
2022-02-15 11:45:53958 Power Integrations今日发布两款新器件,为InnoSwitch3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的IC。这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级
2022-02-16 14:10:121888 APEC 2022 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布推出内部集成750V PowiGaN™氮化镓开关
2022-03-22 12:44:091014 Power Integrations (PI)发布了两款新的符合AEC-Q100标准、额定耐压1700V的IC,为其InnoSwitch™3-AQ产品系列再添新成员。
2022-05-07 16:14:451526 随着充电速度的提高,800V电池正在成为电动汽车的标准配置。PI的符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ系列开关IC现已推出额定电压1700V的衍生新品,其内部集成碳化硅(SiC)初级开关MOSFET,可使灵敏控制电路安全地从800V电池中取电。
2022-07-06 15:29:032076 Power Integrations (PI) 宣布为其 InnoSwitch™3-AQ 系列新增两款 1700 伏额定 AEC-Q100 合格 IC。新的解决方案包括用于汽车级开关电源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271217 相比于硅基高压器件,碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件,为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单,成本更低的解决方案。
2022-08-01 14:18:582311 Infineon,最新1700V的SiC MOSFET产品。62W辅助电源参考设计
2022-08-28 11:17:068 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布推出InnoSwitch™4-Pro系列可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关
2022-11-15 21:40:22668 Power Integrations今天推出InnoSwitch4-Pro系列可数字控制的离线恒压/恒流零电压开关(ZVS)反激式IC,可大幅缩减电源适配器的尺寸。这些高度集成的器件采用稳定耐用
2022-11-16 11:44:37601 重点必看内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-规格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易支持自动安装的小型解决方案&...
2023-02-08 13:43:19389 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调及街灯等工业设备开发的内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC。
2023-02-09 10:19:23656 前几天,三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录(.点这里.),很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁,今天答案正式揭晓!
2023-06-14 18:19:55860 ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等,对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:31285 点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07256 ECCE 2023 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC
2023-10-31 11:12:52266 、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。 Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一
2023-10-31 16:54:481873 新型PowiGaN开关为工业应用提供了巨大的裕量,在具有挑战性的电网环境中尤为重要。 Power Integrations发布了全球电压最高的单开关氮化镓(GaN)电源IC,采用1,250
2023-11-02 17:21:00590 11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
2023-11-30 09:39:18757 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内
2023-12-14 11:37:10288 PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
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2024-02-01 15:01:59146
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