本文研究了金属蚀刻残留物，尤其是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁，并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体中的Cl
2022-05-05 14:26:56
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解决方案：a)样品在等离子体反应器中处理，并在表面分析装置(XPS、螺旋钻等)的真空下转移（为了避免空气暴露中的表面修饰和污染）；b)实验是在超高真空条件下的精密等离子体设备中进行的，它用离子、自由基和分子束模拟等离子体，但与表面分析设备兼容。这两种方法都是有效的，并且各有优缺点。
2022-05-19 14:28:151666 
等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质
2022-11-15 09:57:312626 热平衡等离子体中，电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3eV。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度，是200~400℃或0.04〜0.06eV。
2022-12-12 10:47:291171 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑
3.晶圆的处理—微影成像与蚀刻
2012-08-01 23:27:35
小弟想知道8寸晶圆盒的制造工艺和检验规范，还有不知道在大陆有谁在生产？
2010-08-04 14:02:12
`晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充满氮气的密封小盒内以免在运输过程中被氧化或沾污十、发往封测Die（裸片）经过封测，就成了我们电子数码产品上的芯片。晶圆的制造在半导体领域，科技含量相当的高，技术工艺要求非常高。而我国半导体
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本阶段：晶圆制造（材料准备、长晶与制备晶圆）、积体电路制作，以及封装。晶圆制造过程简要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圆制造的基础知识，适合入门。
2014-06-11 19:26:35
的印刷焊膏。 印刷焊膏的优点之一是设备投资少，这使很多晶圆凸起加工制造商都能进入该市场，为半导体厂商服务。随着WLP逐渐为商业市场所接受，全新晶圆凸起专业加工服务需求持续迅速增长。 实用工艺开发
2011-12-01 14:33:02
在硅晶圆被蚀刻入的晶体管起不了任何作用，这一切是由于制造技术限制而造成的，任何一个存在上面问题的芯片将因不能正常工作而被报废。上图中，一块硅晶圆中蚀刻了16个晶体管，但其中4个晶体管存在缺陷，因此我们
2011-12-01 16:16:40
效率高，它以圆片形式的批量生产工艺进行制造，一次完成整个晶圆芯片的封装大大提高了封装效率。 2）具有倒装芯片封装的优点，即轻，薄，短，小。封装尺寸接近芯片尺寸，同时也没有管壳的高度限制。 3）封装芯片
2021-02-23 16:35:18
本人想了解下晶圆制造会用到哪些生产辅材或生产耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圆的制造过程是怎样的？
2021-06-18 07:55:24
晶圆级CSP的返修工艺包括哪几个步骤？晶圆级CSP对返修设备的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圆级CSP装配回流焊接工艺控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
当高频发生器接通电源后，高频电流I通过感应线圈产生交变磁场(绿色)。开始时，管内为Ar气，不导电，需要用高压电火花触发，使气体电离后，在高频交流电场的作用下，带电粒子高速运动，碰撞，形成“雪崩”式放电，产生等离子体气流。
2019-10-09 09:11:46
近年来，等离子体技术的使用范围正在不断扩大。在半导体制造、杀菌消毒、医疗前线等诸多领域，利用等离子体特性的应用不断壮大。CeraPlas® 是TDK 开发的等离子体发生器，与传统产品相比，它可以在
2022-05-18 15:16:16
等离子弧切割机是借助等离子切割技术对金属材料进行加工的机械。等离子切割是利用高温等离子电弧的热量使工件切口处的金属部分或局部熔化(和蒸发)，并借高速等离子的动量排除熔融金属以形成切口的一种加工方法。
2019-09-27 09:01:37
等离子发生器的主要工作原理是将低电压通过升压电路升至正高压及负高压，利用正高压及负高压电离空气产生大量的正离子及负离子，负离子的数量大于正离子的数量。
2019-09-30 09:00:48
等离子显示器的工作原理是什么？ＰＤＰ等离子显示器有哪些特点？等离子显示器比传统的显像管和ＬＣＤ液晶显示器具有哪些技术优势？
2021-06-07 06:06:32
为了提高等离子消融手术系统的频率输出,提出一种新型的全桥拓扑结构。应用LCR谐振原理,对传统的全桥逆变拓扑结构进行改进,当谐振电路工作在恰当的区域可以实现开关管的零电压的开通和近似零电压的关断,能
2023-09-20 07:38:22
】：1引言电子元器件在生产过程中由于手印、焊剂、交叉污染、自然氧化等，其表面会形成各种沾污。这些沾污包括有机物、环氧树脂、焊料、金属盐等，会明显影响电子元器件在生产过程中的相关工艺质量，例如继电器的接触电阻，从而降低了电子元器件的可靠性和成品合格率。等离子体是全文下载
2010-06-02 10:07:40
等离子显示屏是由相距几百微米的两块玻璃板，中间排列大量的等离子腔密封组成的。每个等离子腔都充有惰性气体，通过对其施加电压来产生紫外光，从而激励显示屏上的红绿蓝三基色荧光粉发光。每个等离子腔体等效于一个像素，其工作机理类似普通日光灯。由这些像素的明暗和颜色变化，来合成各种灰度和色彩的电视图像。
2019-10-17 09:10:18
等离子电视工作原理与日光灯很相似，等离子电视也叫3D等离子电视，它采用了等离子管作为发光元件，屏幕上每一个等离子管对应一个像素，屏幕以玻璃作为基板，基板间隔一定距离，四周经气密性封接形成一个个放电
2014-02-10 18:20:48
等离子的使用寿命是多久？ 答： 等离子电视的使用寿命大约为6
2009-05-24 18:00:55
等离子适合什么环境？ 由于先天的成像原理，等离子电视比较适合较暗的环境，那些亮丽的场所并不适合等离子电视使用。
2009-05-24 18:10:24
到一块玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。5.[IC测试
2019-01-02 16:28:35
本文旨在探索一种确保 LCD 和等离子 TV 屏幕亮度的方式，以便对屏幕上的各个点执行颜色温度测试。
2019-11-01 11:39:29
工艺方法是整个板子上都镀铜,感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层（见图3）。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比,全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。因此当
2018-11-26 16:58:50
密度积层式多层印制电路板制造需求的不断增加，大量运用到激光技术进行钻盲孔制造，作为激光钻盲孔应用的付产物——碳而言，需于孔金属化制作工艺前加以去除。此时，等离子体处理技术，毫不讳言地担当其了除去碳化物
2018-09-21 16:35:33
的电气特性和物理特性的要求。其中Tg应大于150摄氏度而介电常数大都也应小于等于4.0。 3.图形转移形成等离子体蚀刻窗口(微导通孔图形) 这一步和常规pcb电路板图形转移制造工艺一样。经过贴压并固化
2017-12-18 17:58:30
近年来，等离子体技术的使用范围正在不断扩大。在半导体制造、杀菌消毒、医疗前线等诸多领域，利用等离子体特性的应用不断壮大。CeraPlas® 是TDK 开发的等离子体发生器，与传统产品相比，它可以在
2022-05-17 16:41:13
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：DI-O3水在晶圆表面制备中的应用编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
GaN 衬底上获得高性能的薄膜器件，必须使 GaN 衬底的表面没有划痕和损坏。因此，晶圆工艺的最后一步 CMP 对后续同质外延 GaN 薄膜和相关器件的质量起着极其重要的作用。CMP 和干蚀刻似乎
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依赖蚀刻的 GaN NW 制造工艺。这项工作的重点是改进自上而下的 GaN 纳米线的制造方法，并为 SPE 的制造奠定了潜在的工艺。使用干法和湿法蚀刻的组合，现有
2021-07-08 13:11:24
大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤 并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近
2021-07-07 10:24:07
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13:06
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
的辅助。 测试是为了以下三个目标。第一，在晶圆送到封装工厂之前，鉴别出合格的芯片。第二，器件/电路的电性参数进行特性评估。工程师们需要监测参数的分布状态来保持工艺的质量水平。第三，芯片的合格品与不良品
2011-12-01 13:54:00
1、为什么晶圆要做成圆的？如果做成矩形，不是更加不易产生浪费原料？2、为什么晶圆要多出一道研磨的工艺？为什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子
2018-09-03 09:31:49
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
把一面的铜箔蚀刻掉，不存在上下位置精度问题。该工艺与在下面所叙述的等离子体蚀孔和化学蚀孔雷同。目前受激准分子激光加工的孔是最微细的。受激准分子激光是紫外线，直接破坏基底层树脂的结构，使树脂分子离散
2019-01-14 03:42:28
上下孔的位置精度可能会制约钻孔的孔径。如果是钻盲孔，只要把一面的铜箔蚀刻掉，不存在上下位置精度问题。该工艺与在下面所叙述的等离子体蚀孔和化学蚀孔雷同。 目前受激准分子激光加工的孔是最微细的。受激
2016-08-31 18:35:38
同尺寸的等离子为什么比液晶便宜？同尺寸的等离子为什么比液晶便宜，因为等离子的亮度和看电视的效果比液晶好象还要好些？ 造成这种情况的成因有
2009-05-24 18:13:16
在印制电路加工中﹐氨性蚀刻是一个较为精细和覆杂的化学反应过程,却又是一项易于进行的工作。只要工艺上达至调通﹐就可以进行连续性的生产, 但关键是开机以后就必需保持连续的工作状态﹐不适宜断断续续地生产
2017-06-23 16:01:38
目晶圆提高了设计效率，降低了开发成本，为设计人员提供了实践机会，并促进了集成电路设计成果转化，对IC设计人才的培训，及新产品的开发研制均有相当的促进作用。随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质，但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出，如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤，如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子？
2021-06-08 16:45:05
的硅晶圆）的优异效率和增益性能，等离子照明首次有望主宰照明市场。由于射频能量等离子照明能够以低于传统技术的成本提高效率和可控性，升级到节能解决方案就像更换灯泡一样简单。现有路灯的灯具、接线和灯架应完全
2017-12-14 10:24:22
应用于生长室等离子照明显著发展的一个应用是园艺。LEP能够发射类似于自然光（包括紫外线UVA和紫外线UVB）的连续全光谱光，无需像LED所用光一样进行二次荧光转换，因此，无论大型还是小型生长照明环境
2018-02-07 10:15:47
怎么选择晶圆级CSP装配工艺的锡膏？
2021-04-25 08:48:29
招聘6/8吋晶圆测试工艺工程师/主管1名工作地点：无锡工资：面议要求：1. 工艺工程师：晶圆测试经验3年以上，工艺主管：晶圆测试经验5年以上；2. 精通分立器件类产品晶圆测试，熟悉IC晶圆测试尤佳
2017-04-26 15:07:57
本文开发了一套基于PC+PLC等离子熔射自动控制系统。经过实验验证，系统具有良好的抗干扰能力，能够适应等离子熔射工艺需求，为该工艺由技术转化为生产力奠定了一定基础。
2021-05-06 10:20:09
替代传统的荧光灯管，画面更优质，理论寿命更长，制作工艺更环保，并且能使液晶显示面板更薄。二、液晶、等离子和Led液晶电视大比拼 1、工作原理各有所长形象点说，液晶分子就是一扇扇小窗户，这些小窗户不但
2012-02-15 20:07:08
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
激光用于晶圆划片的技术与工艺 激光加工为无接触加工，激光能量通过聚焦后获得高能量密度，直接将硅片
2010-01-13 17:01:57
spec-troscopy,LIBS)是近年发展起来的一种基于激光与材料相互作用的物理学与光谱学交叉的物质组分定量分析技术[1-3]。其原理是利用聚焦的强激光束入射样品表面产生激光等离子体,等离子体辐射光谱含有被测物质的组分和组分全文下载
2010-04-22 11:33:27
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
芯片制造全工艺流程详情
2020-12-28 06:20:25
是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆。晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要
2016-06-29 11:25:04
石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆。晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要
2018-08-16 09:10:35
及LED器件，这样就很大程度上降低了LED晶圆的产出效率。激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在LED有源区之间制造
2011-12-01 11:48:46
工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比,全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。因此当导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。同时,侧腐蚀会严重影响线条的均匀性
2018-09-19 15:39:21
怎么实现等离子电源的EMC设计？PCB布板时需要注意什么？
2021-04-09 06:54:43
选购等离子电视的几大误区大屏幕平板电视正受到越来越多的消费者关注与选择，众多消费者认为液晶电视比等离子更节能、寿命更长等优势，似乎成为了消费者的选择液晶电视的主要原因。实际上选购等离子电视有以下二大
2009-12-16 09:36:34
长虹等离子(50638X、50738X)模组红点问题解决方案文件下载
2021-06-03 06:54:18
晶圆等离子去胶机VP-RS15真空腔体不锈钢材质，腔体容积15升，功率500W，频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品
2022-09-22 09:39:08
议程液晶/等离子电视电源系统简介液晶/等离子电视电源系统的解决方案英飞凌推荐产品英飞凌demoboard背光电源液晶/等离子电视电源系统简介液晶/等离子电视电
2010-06-13 09:07:24
44 Ethereum的联合创始人Vitalik Buterin提出了一种名为等离子体现金的区块链扩展解决方案，这是一种甚至“更可伸缩”的现有解决方案。等离子体现金由Buterin和开发者Dan
2018-03-13 07:31:00739 ，就由博世智能制造解决方案事业部（以下简称ATMO-3CN）的专家来带我们探索等离子涂层技术的奥秘。 12 本期专家： Yu Sisley 博世智能制造解决方案事业部涂层生产及工程项目工艺工程师。毕业于英国曼彻斯特大学，先进材料工程硕士及
2021-06-18 09:51:174313 本文对单晶石英局部等离子体化学刻蚀工艺的主要工艺参数进行了优化。在射频(射频，13.56兆赫)放电激励下，在CF4和H2的气体混合物中进行蚀刻。采用田口矩阵法的科学实验设计来检验腔室压力、射频发生器
2022-02-17 15:25:421804 
通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 
通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分，使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57516 
反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果：其具有一定的各向异性，而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先，蚀刻速率显著增加。通过离子轰击，基材分子会进入激发态，从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:553393 体何时完全蚀刻了一个特定的层并到达下一个层。通过监测等离子体在蚀刻过程中产生的发射线，可以精确跟踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。 等离子体是一种被激发的、类似气
2022-09-21 14:18:37696 
氧等离子体和氢等离子体都可用于蚀刻石墨烯。两种石墨烯气体等离子刻蚀的基本原理是通过化学反应沿石墨烯的晶面进行刻蚀。不同的是，氧等离子体攻击碳碳键后形成一氧化碳、二氧化碳等挥发性气体，而氢等离子体则形成甲烷气体并与之形成碳氢键。
2022-06-21 14:32:25391 
大家都知道，目前等离子表面处理工艺应用于LCD、LED、IC、PCB、SMT、BGA、引线框、平板显示器的清洗和蚀刻等领域。等离子表面清洗IC可以显着提高导线耦合强度，降低电路故障的可能性。溢出
2022-09-27 10:05:05897 
随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
干法蚀刻（dry etch）工艺通常由四个基本状态构成：蚀刻前（before etch），部分蚀刻（partial etch），蚀刻到位（just etch），过度蚀刻（over etch），主要表征有蚀刻速率，选择比，关键尺寸，均匀性，终点探测。
2023-10-18 09:53:19788 
等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。
2023-10-18 17:42:36453 
基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 
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