中国北京，2022 年 5 月 6日 ——设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。这标志着 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
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意法半导体（ST）发佈碳化硅产品创新成果，协助系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。
2012-09-19 15:59:401649 法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目，展开对新一代碳化硅衬底的研发。
2019-11-19 14:44:481151 人没想到的是，在8英寸碳化硅还远未大规模落地时，12英寸碳化硅衬底就已经悄然面世。 天岳先进发布300mm 碳化硅衬底 在上周的德国慕尼黑半导体展上，天岳先进发布了行业首款300mm（12英寸）碳化硅衬底。 图源：天岳先进 300mm碳化硅
2024-11-21 00:01:005497 
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
更新换代，SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。碳化硅（SiC）的应用碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，应用最广
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列 基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要技术参数如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A，封装涵盖TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封装，产品列表见下：原作者：基本半导体
2023-02-28 16:55:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）合作开发Velankani为印度市场设计的Prysm®智能电表。 该技术合作
2018-03-08 10:17:35
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37:34
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）。基本半导体的碳化硅肖特基二极管采用的主要是碳化硅 JBS工艺技术，与硅 FRD对比的主要优点有： 图9 二极管反向恢复
2023-02-28 16:48:24
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
科锐（Nasdaq: CREE）宣布与意法半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-14 15:24:584706 科锐（Nasdaq: CREE）宣布与意法半导体（NYSE: STM）签署多年协议，将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
2019-01-15 10:26:284910 随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发，引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求，国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业，今天我们首先
2021-07-29 11:01:185164 碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:089429 
设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布，与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。
2021-12-08 11:18:17972 新加坡科学技术研究局微电子研究所 (A*STAR IME) 和意法半导体(简称ST) 共同宣布，双方将在汽车和工业市场电力电子设备用碳化硅 (SiC) 领域展开研发 (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:294628 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布，为世界排名前列的电源模块系统厂商赛米控（Semikron）的eMPack®电动汽车电源模块提供碳化硅（SiC）技术。
2022-05-26 09:45:372791 北京，2022 年 7 月 22 日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司正式宣布选用 KLA 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）的检测技术，实现碳化硅
2022-07-22 11:50:361262 
碳化硅正被用于多种电力应用。ROHM 与意法半导体之间的协议将增加其在行业中的广泛采用。 汽车和工业市场都在加速采用SiC 材料的能源解决方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圆的过程比制造硅晶圆要复杂
2022-07-28 17:05:012982 
意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-08 17:04:032490 意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延应用对碳化硅晶片表面质量的要求
2022-10-11 16:01:045801 公司Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC 技术制造未来的8寸碳化硅衬底，促进公司的碳化硅器件和模块制造业务，
2022-12-08 12:22:481146 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
技术方面，意法半导体与Soitec就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体希望通过此次合作，使其未来200mm晶圆生产可以采用Soitec的Smart碳化硅技术。
2023-02-06 16:25:171392 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:482004 全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:042505 意法半导体（ST）宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274 碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:486511 
本报讯 6月7日，中国领先的化合物半导体公司三安光电与全球排名前列的半导体公司意法半导体联合宣布：双方已签署协议，拟在中国重庆合资共同建立一个新的碳化硅器件制造工厂。同时，三安光电将在
2023-06-08 19:05:021041 
6月7日，中国领先的化合物半导体制造平台三安光电与全球排名前列的半导体公司意法半导体联合宣布：双方已签署协议，拟在中国重庆合资建立一个新的8英寸碳化硅器件制造工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个
2023-06-09 08:37:421013 
点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 ✦ 意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产 ✦ 该合资厂将有助于满足
2023-06-09 09:30:01993 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 ✦意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅(SiC)器件大规模量产✦该合资厂将有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体SiC器件日益增长的需求✦该合资厂将采用ST
2023-07-31 17:19:201332 
近日，意法半导体与知名汽车Tier 1制造商博格华纳达成了一项重要战略合作协议。该协议旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升级博格华纳的车规功率模块。
2023-09-06 10:07:01523 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:061828 
2023年9月，科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17:461174 业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:212166 在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:573651 目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和安森美罗姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 龙头厂商 理想汽车 签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。 随着汽车行业电动化和绿色低碳转型的持续深入，高压纯电动车因其能效更高、续航里
2023-12-22 08:20:011199 
12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。
2023-12-24 10:35:241212 今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:161639 
在这次考察中，考察团主要针对博蓝特公司计划将其第三代半导体碳化硅衬底项目引入到延陵镇，这笔交易总预算高达十亿元人民币，其中包括两年内生产 25 万片六至八英寸碳化硅衬底的能力。如果按照企业预期估算，该项目完成后每年潜在销售额将达到 15 亿元。
2024-01-19 13:57:202956 1月23日，山东有研硅半导体表示已与山东粤海金于1月17日正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》，该协议旨在充分发挥双方各自优势，创新业务合作模式，共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。
2024-01-29 14:36:571705 近日，国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅（SiC）芯片战略合作协议。这一协议的达成，标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步，将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:431103 罗姆与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）衬底晶圆多年长期供货协议基础上，
2024-04-23 10:17:57957 代码:STM) 宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议
2024-04-26 11:30:001058 
罗姆集团与全球知名的半导体巨头意法半导体（简称ST）近日共同宣布，双方将深化合作关系，进一步扩展在碳化硅（SiC）衬底晶圆领域的合作。此次合作基于双方现有的针对150mm（6英寸）碳化硅衬底晶圆的多年长期供货协议，意法半导体将获得罗姆集团旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅衬底晶圆供应。
2024-05-07 10:16:491123 近日，纯晶圆代工厂X-Fab与Soitec宣布将开展深度合作，共同推动碳化硅（SiC）功率器件的生产。此次合作将依托X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂，利用Soitec的SmartSiC技术生产碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201196 来源：国芯网，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 6月2日消息，意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚建设世界首个全流程垂直集成的碳化硅工厂。 在该园区中，意法半导体将整合碳化硅产业链从衬底开发到外延生长
2024-06-04 09:34:281497 近日，汽车电子领域的佼佼者意法半导体（简称ST）与全球知名汽车及新能源汽车制造商吉利汽车集团宣布了一项重要合作。双方已签署碳化硅（SiC）器件的长期供应协议，标志着双方在原有合作基础上，对碳化硅器件的联合研发与应用将迈入新的阶段。
2024-06-04 14:30:471236 。 ❖ 卡塔尼亚碳化硅产业园将实现ST的碳化硅制造全面垂直整合计划，在一个园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型。 意法半导体（简称ST）宣布将在意大利卡塔
2024-06-06 09:15:261623 
近日，半导体行业的佼佼者意法半导体（STMicroelectronics）与领先的汽车制造商吉利汽车集团宣布签署了一份长期碳化硅（SiC）供应协议。此举不仅巩固了双方在SiC器件领域的现有合作，更标志着双方合作关系的进一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 全球半导体行业的领军企业意法半导体（简称ST）近日宣布，将在意大利卡塔尼亚建立一座全新的综合性大型制造基地，专注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模块的制造、封装、测试等全流程生产。这一重要举措不仅体现了意法半导体在碳化硅技术领域的深厚实力，也标志着公司向全面垂直整合碳化硅产业链迈出了坚实的一步。
2024-06-07 18:07:053036 近日，重庆三安意法8英寸碳化硅（SiC）衬底厂正式投产，标志着这一高科技项目比预期提前两个月进入生产阶段，为中国电动汽车产业供应链注入了强劲动力。该项目由全球领先的半导体制造商意法半导体
2024-09-04 18:07:241531 意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对
2024-10-12 11:30:592195 意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全。
2024-12-05 10:41:211095 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。
2025-01-09 14:48:331280 在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 
在当今蓬勃发展的半导体产业中，碳化硅（SiC）衬底作为关键基础材料，正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言，其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）参数犹如精密天平上的砝码，细微
2025-01-14 10:23:10400 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高熔点、高热导率和化学稳定性，在半导体产业中得到了广泛的应用。SiC衬底是制造高性能SiC器件的关键材料，其生产过程复杂
2025-02-03 14:21:001983 一、引言
随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用，对其衬底质量的检测愈发关键。BOW（翘曲度）和 WARP（弯曲度）是衡量碳化硅衬底质量的重要参数，准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 碳化硅（SiC）在半导体中扮演着至关重要的角色，其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁带宽度、高
2025-01-23 17:09:352673 三安光电和意法半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安意法半导体有限公司，简称安意法)，全面落成后预计总投资约为230亿元人民币(约32亿美元)。该合资厂预计将在2025年四季度投产，届时将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线。
2025-02-27 18:12:341593 近日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆工厂正式通线，预计2025年四季度批量生产，形成了合资碳化硅功率器件的鲶鱼效应，结合过去二十年合资汽车和自主品牌的此消彼长发展历程，不难看出国产碳化硅功率半导体必须走自立自强与突围之路：从合资依赖到自主创新的路径分析。
2025-03-01 16:11:141016 日前，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（ST）与重庆邮电大学在重庆安意法半导体碳化硅晶圆厂通线仪式后的“碳化硅产业发展论坛”上正式签署产学研战略合作协议。
2025-03-21 09:39:241358 01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料，经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性能
2025-07-15 15:00:19962 
摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究，深入分析干扰产生的机理，提出多种解决策略，旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性，为碳化硅半导体制造工艺提供
2025-08-08 11:38:30659 
提供理论与技术支持。
引言
随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展，对碳化硅衬底质量要求日益严苛，晶圆总厚度变化（TTV）作为关键质量指标，其精确测量至关重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16779 ，为半导体制造工艺的稳定运行提供支持。
引言
在碳化硅半导体制造过程中，TTV 厚度测量数据是评估衬底质量的关键依据。然而，受测量设备性能波动、环境变化、样品特性
2025-08-14 13:29:381028 本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异，深入分析两者的性价比，旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据，助力优化资源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪，系统阐述其操作规范与实用技巧，通过规范测量流程、分享操作要点，旨在提高测量准确性与效率，为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准化操作
2025-08-20 12:01:02552 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪，系统阐述其操作规范与实用技巧，通过规范测量流程、分享操作要点，旨在提高测量准确性与效率，为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准化操作指导
2025-08-23 16:22:401083 摘要
本文聚焦碳化硅衬底晶圆总厚度变化（TTV）厚度测量技术，剖析其在精度提升、设备小型化及智能化测量等方面的最新发展趋势，并对未来在新兴应用领域的拓展及推动半导体产业发展的前景进行展望，为行业技术
2025-09-01 11:58:10840
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