日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:23
1517 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:38
3286 X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14
1126 
● 6V至40V宽工作电压范围
● 内置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ频率可调
● 过温保护
● 逐周期过流保护
● >90%的效率
● 低功耗
● 输出电压可调
● 采用SOP8封装
2025-06-20 17:26:07
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
,符合工业级设备标准
特点
● 最大2.5A输出电流
● 6V至40V宽工作电压范围
● 内置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ频率可调
● 过温保护
● 逐周期过流保护
● >90%的效率
● 低功耗
● 输出电压可调
● 采用SOP8封装
2025-04-30 16:27:51
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求,并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2015-12-18 11:36:06
兼容到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2015-12-10 14:10:17
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-01-28 16:44:20
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-02 10:39:50
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-01-05 16:04:10
(BMS)辅助电源。
总结替换可行性:
适用场景:输入电压≤40V、输出电流≤1.5A、低噪声需求。
概述
SL3062是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良
2025-05-15 17:49:21
。OC5820 采用 ESOP8 封装,且外围元器件少。特点 2.5A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围:6
2022-01-13 09:35:22
景:多领域适配的供电专家
车载音响系统:40V 耐压设计可直接接入汽车 12V/24V 电源,2.5A 大电流输出为车载功放、低音炮等设备提供强劲动力,同步整流技术有效抑制电源噪声对音频信号的干扰。
工业
2025-05-28 17:16:59
支持最大2.5A的输出电流,可以满足大部分电源应用的需求。
该芯片的最大特点是其降压能力,可以将40V的输入电压降至12V或5V,具有非常广泛的应用范围。由于其精度高、稳定性好、响应速度快等优点
2023-12-12 16:11:08
机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单,封装采用SOP8。特点最大2.5A输出电流6V至40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温保护逐周期
2022-06-10 15:16:08
TO-252 N沟道 MOS管30V 85A TO-252 N沟道 MOS管 【40V MOS N沟道】40V 10A SOP8 N沟道 MOS管【60V MOS N沟道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-04-29 09:56:58
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-05-20 09:29:59
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-06-08 10:23:40
导读:近日,德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
保护机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单,封装采用SOP8。产品特点最大2.5A输出电流6V至40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温
2022-05-20 14:12:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-18 13:32:54
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-24 15:29:36
到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性高; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-29 15:05:33
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-03-03 09:56:38
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-03-09 10:04:23
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-03-22 09:38:07
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-03-31 14:00:21
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-04-07 13:57:39
针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率高,外围元器件少
2016-04-27 15:28:07
,高输出功率下损耗的降低,会导致低负载范围内损耗的升高。 英飞凌通过推出阻断电压为40V和60V的新型MOSFET,为在整个负载范围内大幅降低各种损耗创造了条件。 通过对测量曲线进行直接比对,结果显示
2018-12-06 09:46:29
也在迅速扩大。一、PPEC 车载逆变器PPEC车载逆变器是森木磊石推出的一款功率为10KW的纯正弦波车载逆变器。产品基于独家PPEC系列控制芯片开发,采用SiC器件和高频软开关转换技术,满载工作效率
2024-09-27 18:13:23
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采
2010-07-16 15:05:24
17 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步
2011-09-13 08:33:16
897 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05
1058 东芝于日前宣布,开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为+40V的n通道产品,是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外,还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
2013-01-23 09:25:13
961 东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:36
2106 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:46
3654 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:26
5833 NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23
2636 
了适用于头灯控制开关等车载小型设备的N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R,该器件通过东芝新型工艺技术设计把设备功耗深度压缩。
2022-08-26 11:01:07
1847 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:45
3725 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:27
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB14XN
2023-02-20 19:15:24
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV60ENEA
2023-02-20 19:52:30
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMN20ENA
2023-02-20 19:55:27
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:17
1 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV130ENEA
2023-02-20 20:02:13
0 SOT7 封装的 N 沟道 40 V、2.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R1-40PL
2023-02-22 18:45:36
0 采用 SOT78 封装的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:59
0 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220-PSMN1R5-40PS
2023-02-23 18:39:39
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:41
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:58
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:15
0 40 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV65ENEA
2023-03-03 19:33:12
0 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-03-13 19:19:53
0 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32
2107 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:24
0 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21
1439 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10
1596 
近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
1363 电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-27 13:55:34
0 电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-03 15:08:22
1 东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺,使得导通电阻达到极低水平,极大提升了能效。
2024-05-08 14:35:42
1114 对旗下的40V N沟道功率MOSFET产品线进行了重要拓展,推出了三款采用先进SOP Advance(WF)封装的新品——XPHR9904PS、XPH2R404PS与XPH3R304PS,旨在通过技术创新,为汽车行业带来前所未有的节能效率与驾驶乐趣的双重提升。
2024-09-03 15:25:37
1060 近日,瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计,以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38
958 
CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET,设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装,具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(ON)),适用于次级侧同步整流和电机控
2025-04-15 16:23:11
775 
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07
664 
产品概述 型号 :CSD18512Q5B 类型 :40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 :SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 :低导通电阻(R_DS(ON))、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33
786 
mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述 型号 :CSD18513Q5A 类型 :40V N沟道 NexFET 功率MOSFET 封装 :SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 :低导通电阻(R_DS(ON))、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端
2025-04-16 10:54:00
758 
合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET,采用SGT屏蔽栅技术,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热,产品均符合RoHS环保标准,以低导通电阻和高电流承载,可适配封闭环境应用,如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54:00
1610 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”,该产品输出耐压可达1500V(最小值),可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。
2025-08-29 18:08:33
1236 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39
205 
在新能源、工业控制、汽车电子等领域的快速发展中,低压大电流场景对功率器件的承载能力、散热性能和可靠性提出了越来越高的要求。ZK40N190G作为一款采用Trench沟槽工艺的N沟道MOSFET,以
2025-11-07 17:27:47
657 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-17 11:27:39
243 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.8mΩ超低导通电阻、400A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-19 15:15:00
184 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-25 15:14:47
191 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-25 15:23:16
209 
威兆半导体推出的VS4020AP是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,凭借极低导通电阻与高可靠性,适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等领域。一
2025-11-26 14:55:52
232 
威兆半导体推出的VS4401ATH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封装,凭借1.4mΩ极致低导通电阻与400A大电流承载能力,适用于低压大电流
2025-12-01 11:10:07
190 
威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封装,凭借超低导通电阻与200A大电流承载能力,适配低压超大电流DC/DC
2025-12-03 09:48:43
296 
威兆半导体推出的VS4401AKH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TOLL封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-05 11:41:32
251 
威兆半导体推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息
2025-12-09 10:26:37
255 
威兆半导体推出的VS4603DM6是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263-RL封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-11 11:52:34
197 
威兆半导体推出的VS40200AP是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-15 10:49:09
206 
威兆半导体推出的VS4603GPHT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:40:15
161 
威兆半导体推出的VS40200AD是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-17 18:24:11
160 
威兆半导体推出的VS4603GPMT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-17 18:20:18
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威兆半导体推出的VS40200ATD是一款面向40V低压超大电流场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET,支持5V逻辑电平控制,采用TO-263封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域
2025-12-17 18:13:54
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™ 7优化40V功率MOSFET.pdf 一、产品概述 英飞凌的OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET系列,采用了最新的电机驱动优化技术。该系列产品主要面
2025-12-18 14:30:06
188 威兆半导体推出的VS4080AI是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用DIPPAK封装,适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-23 11:18:11
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威兆半导体推出的VS4518AD是一款面向-40V中压场景的P沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率
2025-12-23 11:39:03
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威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-31 17:14:45
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威兆半导体推出的VS4618AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配低压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-31 17:20:35
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威兆半导体推出的VS4020AS是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用小型封装(图中未明确具体型号,推测为SOP类小封装),适配低压小型电源管理、电机驱动等领域。一、产品
2025-12-31 17:30:40
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