电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>汽车电子>东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

罗姆开发出耐压40V功率MOSFET

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V功率MOSFET ,最适合用于以工业设备车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231517

Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286

东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化

X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。     TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:141126

40V DCDC 输出可调 降压恒压电源芯片 SL3061

● 6V40V宽工作电压范围 ● 内置功率MOSFET ● 140KHZ-500KHZ频率可调 ● 过温保护 ● 逐周期过流保护 ● >90%的效率 ● 低功耗 ● 输出电压可调 ● 采用SOP8封装
2025-06-20 17:26:07

40V功率MOSFET能满足汽车要求吗?

意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和尖峰电流
2019-08-09 07:28:08

40V耐压降压芯片SL3061 支持9-36V降压5V2.5A直流有刷电机供电电源IC

,符合工业级设备标准 特点 ● 最大2.5A输出电流 ● 6V40V宽工作电压范围 ● 内置功率MOSFET ● 140KHZ-500KHZ频率可调 ● 过温保护 ● 逐周期过流保护 ● >90%的效率 ● 低功耗 ● 输出电压可调 ● 采用SOP8封装
2025-04-30 16:27:51

N沟通和P沟道功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51

东芝新款车载直流无刷电机栅极驱动IC有助于提升车辆电气元件的安全性

。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求,并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51

车载充电5V 2A资料

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2015-12-18 11:36:06

车载充电、手机充电芯片 5V 2A

兼容到 40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2015-12-10 14:10:17

DC-DC 5V 2A车载充电

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-01-28 16:44:20

DC-DC 5V 2A车载充电

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-02 10:39:50

DC-DC车载充电芯片

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-01-05 16:04:10

DCDC60V降压 1.5A电流电源芯片SL3062国产替代LMR16020

(BMS)辅助电源。 总结替换可行性: 适用场景:输入电压≤40V、输出电流≤1.5A、低噪声需求。 概述 SL3062是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良
2025-05-15 17:49:21

OC5820——2.5A,40V 降压DCDC

。OC5820 采用 ESOP8 封装,且外围元器件少。特点 2.5A 的峰值输出电流40V/3A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围:6
2022-01-13 09:35:22

SL3061 DCDC40V耐压输入 输出可调 2.5A电流降压恒压喇叭供电IC

景:多领域适配的供电专家 车载音响系统:40V 耐压设计可直接接入汽车 12V/24V 电源,2.5A 大电流输出为车载功放、低音炮等设备提供强劲动力,同步整流技术有效抑制电源噪声对音频信号的干扰。 工业
2025-05-28 17:16:59

SL3061耐压40V降压恒压芯片 40V降12V降5V 支持电流2.5A

支持最大2.5A的输出电流,可以满足大部分电源应用的需求。 该芯片的最大特点是其降压能力,可以将40V的输入电压降至12V或5V,具有非常广泛的应用范围。由于其精度、稳定性好、响应速度快等优点
2023-12-12 16:11:08

低功耗40v降压IC 输出ADJ 2.5A 电动车专用芯片

机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单,封装采用SOP8。特点最大2.5A输出电流6V40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温保护逐周期
2022-06-10 15:16:08

低开启40V 10A N沟道 MOS管原厂

TO-252 N沟道 MOS管30V 85A TO-252 N沟道 MOS管 【40V MOS N沟道40V 10A SOP8 N沟道 MOS管【60V MOS N沟道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10

带线损补偿的车载充电方案

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-04-29 09:56:58

带线损补偿的车载充电方案

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-05-20 09:29:59

带线损补偿的车载充电方案

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-06-08 10:23:40

德州仪器14款采用TO-220及SON封装功率MOSFET

  导读:近日,德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53

推荐一款40V2.5A开关降压型转换器

保护机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单,封装采用SOP8。产品特点最大2.5A输出电流6V40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温
2022-05-20 14:12:46

满足供电需求新型封装技术和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-18 13:32:54

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-24 15:29:36

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

40V 以上; ★内部集成功率 MOSFET,外围器件少,系统成本低; ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路,可靠性; ★IC 内部集成 CC/CV 环路,CC
2016-02-29 15:05:33

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-03-03 09:56:38

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-03-09 10:04:23

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-03-22 09:38:07

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-03-31 14:00:21

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-04-07 13:57:39

线损补偿DC-DC 5V 2A车载充电

针对车载充电的全系列全集成方案芯片,内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路,系统最大输出电流达到 4.2A ,输入电压最高支持到 45V ,转换效率,外围元器件少
2016-04-27 15:28:07

英飞凌40V和60V MOSFET

输出功率下损耗的降低,会导致低负载范围内损耗的升高。 英飞凌通过推出阻断电压为40V和60V新型MOSFET,为在整个负载范围内大幅降低各种损耗创造了条件。 通过对测量曲线进行直接比对,结果显示
2018-12-06 09:46:29

解决方案丨PPEC inside车载逆变器,车载高能耗设备需求的理想之选

也在迅速扩大。一、PPEC 车载逆变器PPEC车载逆变器是森木磊石推出的一款功率为10KW的纯正弦波车载逆变器。产品基于独家PPEC系列控制芯片开发,采用SiC器件和高频软开关转换技术,满载工作效率
2024-09-27 18:13:23

新型500V N沟道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采
2010-07-16 15:05:2417

英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步
2011-09-13 08:33:16897

Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:051058

东芝推出可在高温下应用的车载功率MOSFET

东芝于日前宣布,开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为+40Vn通道产品,是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外,还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
2013-01-23 09:25:13961

东芝推出汽车用单通道N沟道功率MOSFET栅极驱动器

东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362106

东芝推出了两款面向车载电气系统应用的新型MOSFET

新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463654

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:265833

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)

NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232636

东芝半导体N沟道30V MOSFET器件SSM6K809R介绍

了适用于头灯控制开关等车载小型设备N沟道30V MOSFET器件——SSM6K809R,该器件通过东芝新型工艺技术设计把设备功耗深度压缩。
2022-08-26 11:01:071847

东芝新型散热封装车载40V N沟道功率MOSFET支持车载电流设备

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453725

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D30-40E

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:270

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB14XN

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-PMPB14XN
2023-02-20 19:15:240

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-PMV60ENEA

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-PMV60ENEA
2023-02-20 19:52:300

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-PMN20ENA

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-PMN20ENA
2023-02-20 19:55:270

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-40E

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-PMV130ENEA

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-PMV130ENEA
2023-02-20 20:02:130

SOT7 封装N沟道 40V,2.2mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R1-40PL

SOT7 封装N 沟道 40 V、2.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R1-40PL
2023-02-22 18:45:360

采用 SOT78 封装N沟道 40V,1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL

采用 SOT78 封装N 沟道 40 V、1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:590

N 沟道 40V,1.6 mΩ 标准电平 MOSFET采用 TO220-PSMN1R5-40PS

N 沟道 40 V、1.6 mΩ 标准电平 MOSFET采用 TO220-PSMN1R5-40PS
2023-02-23 18:39:390

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-BUK9D23-40E

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D23-40E

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D25-40E

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150

40V,N 沟道沟槽 MOSFET-PMV65ENEA

40 VN 沟道沟槽 MOSFET-PMV65ENEA
2023-03-03 19:33:120

40V – 250A –N沟道功率 MOS FET 应用:汽车

40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-03-13 19:19:530

东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:322107

40V – 250A –N沟道功率 MOS FET 应用:汽车

40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用:汽车
2023-07-04 20:37:240

东芝推出采用新型封装车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现散热和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:211439

东芝推出采用新型封装车载40V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:101596

Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET

近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:021363

40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT数据表

电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-27 13:55:340

40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS数据表

电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-03 15:08:221

东芝推出两款采用L-TOGL封装车载N沟道功率MOSFET产品

东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺,使得导通电阻达到极低水平,极大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114

东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线,引领汽车节能新纪元

对旗下的40V N沟道功率MOSFET产品线进行了重要拓展,推出了三款采用先进SOP Advance(WF)封装的新品——XPHR9904PS、XPH2R404PS与XPH3R304PS,旨在通过技术创新,为汽车行业带来前所未有的节能效率与驾驶乐趣的双重提升。
2024-09-03 15:25:371060

瑞萨电子推出新型 100V 功率 MOSFET,助力多领域应用

近日,瑞萨电子公司宣布推出新型100V功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计,以其卓越的电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38958

CSD18511KCS 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET,设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装,具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(ON)),适用于次级侧同步整流和电机控
2025-04-15 16:23:11775

CSD18510Q5B 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07664

CSD18512Q5B 40VN 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

产品概述 ‌ 型号 ‌:CSD18512Q5B ‌ 类型 ‌:40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET封装 ‌:SON 5mm × 6mm 塑料封装 ‌ 特点 ‌:低导通电阻(R_DS(ON))、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33786

CSD18513Q5A 40VN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述 ‌ 型号 ‌:CSD18513Q5A ‌ 类型 ‌:40V N沟道 NexFET 功率MOSFET封装 ‌:SON 5mm × 6mm 塑料封装 ‌ 特点 ‌:低导通电阻(R_DS(ON))、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端
2025-04-16 10:54:00758

合科泰N沟道增强型MOSFET HKTS80N06介绍

合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET采用SGT屏蔽栅技术,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热,产品均符合RoHS环保标准,以低导通电阻和电流承载,可适配封闭环境应用,如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54:001610

东芝推出小型封装车载光继电器TLX9161T

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出一款采用小型SO12L-T封装车载光继电器[1]“TLX9161T”,该产品输出耐压可达1500V(最小值),可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。
2025-08-29 18:08:331236

选型手册:MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39205

低压大电流新选择:ZK40N190G MOSFET的技术优势与应用价值

在新能源、工业控制、汽车电子等领域的快速发展中,低压大电流场景对功率器件的承载能力、散热性能和可靠性提出了越来越高的要求。ZK40N190G作为一款采用Trench沟槽工艺的N沟道MOSFET,以
2025-11-07 17:27:47657

选型手册:MOT4529J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-17 11:27:39243

选型手册:MOT4383T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.8mΩ超低导通电阻、400A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于功率
2025-11-19 15:15:00184

选型手册:MOT4522J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-25 15:14:47191

选型手册:MOT4180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子(MOT)推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-25 15:23:16209

选型手册:VS4020AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4020AP是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET支持5V逻辑电平控制,凭借极低导通电阻与高可靠性,适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等领域。一
2025-11-26 14:55:52232

选型手册:VS4401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4401ATH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用TO-220AB直插封装,凭借1.4mΩ极致低导通电阻与400A大电流承载能力,适用于低压大电流
2025-12-01 11:10:07190

选型手册:VS40200AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用TO-220AB直插封装,凭借超低导通电阻与200A大电流承载能力,适配低压超大电流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296

选型手册:VS4401AKH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4401AKH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用TOLL封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理、功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-05 11:41:32251

选型手册:VS4802GPHT-IG N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息
2025-12-09 10:26:37255

选型手册:VS4603DM6 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4603DM6是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用TO-263-RL封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-11 11:52:34197

选型手册:VS40200AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200AP是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN5x6封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-15 10:49:09206

选型手册:VS4603GPHT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4603GPHT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-16 11:40:15161

选型手册:VS40200AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200AD是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用TO-252封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-17 18:24:11160

选型手册:VS4603GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4603GPMT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-17 18:20:18207

选型手册:VS40200ATD 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS40200ATD是一款面向40V低压超大电流场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET支持5V逻辑电平控制,采用TO-263封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域
2025-12-17 18:13:5497

探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破

™ 7优化40V功率MOSFET.pdf 一、产品概述 英飞凌的OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET系列,采用了最新的电机驱动优化技术。该系列产品主要面
2025-12-18 14:30:06188

选型手册:VS4080AI N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4080AI是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET采用DIPPAK封装,适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-23 11:18:11199

选型手册:VS4518AD P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4518AD是一款面向-40V中压场景的P沟道增强型功率MOSFET采用TO-252封装,适配中压电源的侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型:P沟道增强型功率
2025-12-23 11:39:03237

选型手册:VS4604AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-31 17:14:451196

选型手册:VS4618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4618AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET采用PDFN3333封装,适配低压小型功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-31 17:20:351311

选型手册:VS4020AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS4020AS是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET采用小型封装(图中未明确具体型号,推测为SOP类小封装),适配低压小型电源管理、电机驱动等领域。一、产品
2025-12-31 17:30:401620

已全部加载完成