日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:23
1142 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381451 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
锂电池应用领域电池主要应用在消费类产品、数码类产品、动力产品、医疗和安防等。锂电池保护板 MOS管选型以下为30V、40V、60V、80V、100V MOS管选型表，电流、内阻覆盖密集，重点发展领域
2020-10-09 14:25:10
电流峰值限流、过温保护等。SL3063外围电路简单，封装采用SOP8。应用范围高电压功率转换电动车车载设备汽车系统平衡车电池供电系统工业电力系统应用电路
2022-05-23 09:31:25
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1.8V广泛用于车灯照明、车载
2021-03-08 16:42:08
本帖最后由 深圳市巴丁微电子 于 2016-11-7 15:51 编辑
BD8153是一款由深圳市巴丁微电子有限公司推出的输入耐压可达40V的降压式DC/DC驱动电路，能够实现精确的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
安全保护机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单，封装采用SOP8。
产品特点:● 最大2.5A输出电流● 6V至40V宽工作电压范围● 内置功率MOSFET
2023-11-13 15:24:19
MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温保护逐周期过流保护＞90%的效率低功耗输出电压可调采用SOP8封装应用高电压功率转换电动车车载设备电池供电系统工业电力系统汽车系统平衡车电路
2022-05-31 10:36:57
通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。N 沟道场效应管N 沟道 MOSFET 的 N沟道区域位于源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极
2023-02-02 16:26:45
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择
2023-02-17 14:12:55
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
东芝推出了TZ1041MBG，希望满足市场对能够支持多个外部传感器的物联网设备日益增长的需求，其提供一个利用蓝牙的扩展集线器功能的多功能通信环境。
2020-05-18 06:20:47
。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2015-12-18 11:36:06
兼容到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2015-12-10 14:10:17
车载吸尘器MOS DFN3333小封装 低内阻 原厂直销东莞市惠海半导体有限公司研发设计、生产销售高品质价格有优势的低结电容、低内阻MOS管 。HC3039D中压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装
2020-06-08 15:02:21
的需求将更加激烈。车载用电子元器件中动作温度-40～+125℃，根据场合不同也可达到+150℃。http://www.kaiyuexiang.com/index.aspx 追求速度和效率的车载用时钟晶振的小型化、高精度、高信赖性包括成本都将根据顾客的需求进行开发，最大程度提高客户满意度。`
2017-06-07 15:20:15
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-01-28 16:44:20
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-02-02 10:39:50
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-01-05 16:04:10
的要求。钰泰ETA9698具备如下特点：1、输入耐压高达40V，适应车载、快充和PD等市场的高耐压要求；2、输出5V常开，待机功耗小于3μA，真正的超低功耗；3、充电电流灵活可调，最大1A，适用各种电
2021-06-07 08:52:18
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅
2010-05-06 08:55:20
概述：MAX1553能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSFET开关，可提高效率、延长电池寿命。
2021-04-21 07:38:25
概述：MAX1554能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSFET开关，可提高效率
2021-05-18 06:06:09
。OC5820 采用 ESOP8 封装，且外围元器件少。特点 2.5A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围：6
2022-01-13 09:35:22
SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道供应【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL413 -40V-20A 3
2020-05-27 10:58:52
栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。图6：施加栅极电压时，N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1对N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行了比较。表1：N沟道和P沟道MOSFET的比较
2018-03-03 13:58:23
一般说明PW6513系列是一款高精度，高输入电压，低静态电流，高速，低具有高纹波抑制的线性稳压器。输入电压高达40V，负载电流为在电压=5V和VIN=7V时高达300mA。该设备采用BCD工艺制造
2020-12-17 18:16:33
2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V
2020-06-13 11:47:55
沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装
2020-06-19 10:57:37
SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道
2020-06-05 10:20:57
P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V
2020-06-20 10:04:16
N沟道SL4421-60V-7ASOP-8封装P沟道【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道
2020-06-20 10:05:27
支持最大2.5A的输出电流，可以满足大部分电源应用的需求。
该芯片的最大特点是其降压能力，可以将40V的输入电压降至12V或5V，具有非常广泛的应用范围。由于其精度高、稳定性好、响应速度快等优点
2023-12-12 16:11:08
【55V MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫欧SOT23-3LSL3402 N沟道场效应管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-22 10:53:25
N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884
2020-06-22 11:03:37
MOS管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-24 10:37:08
管 N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道
2020-06-24 10:39:23
N沟道】SL342255V2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884
2020-06-24 10:40:54
沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N沟道
2020-06-09 10:36:41
2.1A SOT23-3L封装N沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL413 -40V-20A 3 TO-252封装 P沟道SL4185-40A-44A TO-252封装 P沟道
2020-07-27 17:15:08
沟道【40V MOS管 N/P沟道】SL448040V13ASOP-8封装N沟道SL418440V60ATO-252封装 N沟道SL4884 40V10ASOP-8封装N沟道 【40V MOS管 N
2020-06-10 14:31:13
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
40V同步整流芯片国内首家 小封装SOT-23 mk100大电流降压IC高压大电流小封装 同步整流芯片mk100 SOT23小封装 0.6A大电流 40V高压大功率同步整流芯片mk100
2015-09-18 12:02:41
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
的36V提高到40V。车灯控制单元的耐压需求因用户的不同而有所不同，但通过此次改善， 该产品可应用于所有的车型。4，通过小型封装保持低发热特性 采用和以往产品一样实现小型封装（JEDEC 5pin
2009-02-09 13:23:48
采用 ESOP8 封装，且外围元器件少。特点 2A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 96% 频率可调 热关断 逐周期过流保护
2020-11-20 11:55:05
机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单，封装采用SOP8。特点最大2.5A输出电流6V至40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温保护逐周期
2022-06-10 15:16:08
TO-252 N沟道 MOS管30V 85A TO-252 N沟道 MOS管 【40V MOS N沟道】40V 10A SOP8 N沟道 MOS管【60V MOS N沟道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
ESOP8 封装，且外围元器件少。特点 2A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 96% 频率可调 热关断 逐周期过流保护
2021-12-09 09:25:14
应用中，都会选取多管并联的方式。如果不能采用多管并联，除了选取性能更优异的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封装或新型封装，例如在一些AC/DC电源中将TO220改成TO247封装；在一些通信系统
2019-04-04 06:30:00
新型车载影音系统的工作原理是什么？如何去设计一种新型车载影音系统？
2021-05-12 06:46:11
性价比的恒压恒流降压型DC-DC产品主要特点-完美的车载充电器方案-输入耐压可达40V -内置85mΩ高位NMOS可输出3.5A电流-内置高精度恒流以及恒压控制环路-超高恒流精度 ±3%-恒压精度 ±1.5
2016-11-13 15:02:42
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-04-29 09:56:58
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-05-20 09:29:59
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-06-08 10:23:40
特性。施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，N沟道MOSFET完全在第三象限欧姆区内工作。然而，当栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中
2021-04-09 09:20:10
导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品
2018-11-29 17:13:53
保护机制包括逐周期电流峰值限流、过温保护等。SL3061外围电路简单，封装采用SOP8。产品特点最大2.5A输出电流6V至40V宽工作电压范围内置功率MOSFET140KHZ-500KHZ频率可调过温
2022-05-20 14:12:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID，对于
2016-08-15 14:31:59
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-02-18 13:32:54
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-02-24 15:29:36
到 40V 以上； ★内部集成功率 MOSFET，外围器件少，系统成本低； ★内置输入过压保护、过温保护、过流保护、短路保护全套可靠性保护电路，可靠性高； ★IC 内部集成 CC/CV 环路，CC
2016-02-29 15:05:33
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-03-03 09:56:38
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-03-09 10:04:23
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-03-22 09:38:07
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-03-31 14:00:21
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-04-07 13:57:39
针对车载充电的全系列全集成方案芯片，内部集成过热保护、过流保护、输入过压保护、短路保护等全套可靠性保护电路，系统最大输出电流达到 4.2A ，输入电压最高支持到 45V ，转换效率高，外围元器件少
2016-04-27 15:28:07
，高输出功率下损耗的降低，会导致低负载范围内损耗的升高。 英飞凌通过推出阻断电压为40V和60V的新型MOSFET，为在整个负载范围内大幅降低各种损耗创造了条件。 通过对测量曲线进行直接比对，结果显示
2018-12-06 09:46:29
1.0mmｘ1.0mmｘ0.6mm车载级封装・支持AEC-Q100・工作温度范围：Ta＝40℃～+125℃（Tjmax.150℃）・支持小型陶瓷电容（Min.0.22µF）・低耗电量（Typ.35µA）・高纹波抑制率
2018-12-04 10:13:49
采用 ESOP8 封装，且外围元器件少。特点 2A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 96% 频率可调 热关断 逐周期过流保护
2020-11-09 17:11:00
今天巴丁微电子来给大家推荐一款高性能车载驱动芯片-B8153A，下面是对这款新型产品一些简单描述。产品概述：BD8153是一款输入耐压可达40V的降压式DC/DC驱动电路，能够实现精确的恒流以及恒压
2016-11-05 09:27:03
创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%
德州仪器 (TI) 公司采用创新的封装技术，面向高电流DC/DC应用，推出5款目前业界首个采用封装顶部散热的标
2010-03-01 11:37:22828 
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692 东芝于日前宣布，开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为＋40V的n通道产品，是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外，还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
2013-01-23 09:25:13737 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463094 NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 
Vishay 七款新型二极管和 MOSFET 功率模块 灵活的器件采用 PressFit 引脚压合技术 在小型封装中内置各种电路配置 Vishay 针对车载充电应用专门推出七款新型二极管
2022-11-25 15:20:05926 ”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，
2023-02-04 18:31:452676 采用 SOT78 封装的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:59
0 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-13 19:19:530 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32728 应用: DC-DC转换 SMPS中的同步整流 硬开关和高速电路 电动工具 电机控制 概述： PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强
2023-04-11 14:47:50515 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”） 拓展了其车载 -60V P 沟道 MOSFET 的产品线，现已开始量产两款采用 SOP Advance(WF
2023-07-19 17:35:02378 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10601 
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