科锐首席执行官Gregg Lowe表示:“英飞凌具有很好的美誉度,是我们长期且优质的商业伙伴。这项协议的签署,体现了科锐SiC碳化硅晶圆片技术的高品质和我们的产能扩充,同时将加速SiC碳化硅基方案更为广泛的采用,这对于实现更快、更小、更轻、更强大的电子系统至关重要。”
2018-04-04 09:00:597450 内交付给ST。 科锐(Cree)与意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议至5亿多美元。意法半导体是全球领先的半导体供应商,横跨多重电子应用领域。这一延伸协议是原先协议价值的双倍,科锐将在未来数年向意
2019-11-20 10:04:106045 碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 的各种碳化硅(SiC)材料的供应安全。 据了解,碳化硅是高效而强大的功率半导体,尤其是光伏、工业电源和电动汽车充电基础设施等领域半导体不可或缺的基础材料。双方达成的这一协议意味着,为满足日益增长的半导体需求,英飞凌给必不可少的SiC基材争取到更多的回旋余地。 该公司工业
2021-05-07 10:58:401576 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
更新换代,SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段,有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然,随着碳化硅技术的进步,未来还将面临挑战,例如,晶圆
2023-02-27 14:28:47
应用,处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料,可以用来构建类似MOSFET的组件,使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多关注,不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员!附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表,欢迎大家选购!碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻,然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性,碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下,碳化硅的机械强度都很高。25℃下,SiC的弹性模量,拉伸强度为1.75公斤/平方厘米,抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括:新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域,在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料,可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率,同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性,从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰,都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器,基本也离不开碳化硅二极管,第三代半导体材料几乎都是同时出现,强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
,换向电感只能在DBC设计的限制范围内得到改善。由此产生的换向电感约为 20nH,对于 6 组功率模块,这允许在中低功率范围内使用全 SiC 模块。在全碳化硅中,MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
的发展趋势,对 SiC 器件封装技术进行归纳和展望。近20多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!
2016-10-19 10:45:41
的门槛变得越来越低,价格也在逐步下降,应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计,目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 优先稳定正电压,保证开通稳定。 2)碳化硅MOSFET:不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系统可靠性大大增强,稳定的超快速本体二极管,因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491241 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不过,自 1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:4554 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 近日Cree科锐宣布,其与意法半导体签署了一份多年供货协议,为意法半导体生产和供应其Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆。
2019-01-11 16:21:504432 科锐(Nasdaq: CREE)宣布与意法半导体(NYSE: STM)签署多年协议,将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆片。
2019-01-14 15:24:583929 科锐(Nasdaq: CREE)宣布与意法半导体(NYSE: STM)签署多年协议,将为意法半导体STMicroelectronics生产和供应Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆片。
2019-01-15 10:26:284098 Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC(碳化硅)产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化
2019-05-14 10:24:443586 随着汽车电子、工控等应用领域蓬勃发展,市场对碳化硅(SiC)的需求持续增长,国内外碳化硅企业陆续扩产,日前碳化硅大厂Cree(科锐)也宣布将投资10亿美元扩大碳化硅产能。
2019-05-08 16:40:053968 2019年5月7日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。
2019-05-10 09:15:193496 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场。日前,在英飞凌科技举办的媒体见面会上,该公司大中华区工业功率控制事业部副总裁于代辉和工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍了英飞凌碳化硅SiC市场的最新进展。
2019-07-02 16:33:216462 意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议。
2020-01-17 09:07:481306 碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。
2020-10-02 18:20:0012094 碳化硅半导体 一、碳化硅材料的特性 SiC(碳化硅)是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体。与 Si 相比,SiC 具有十倍的介电击穿场强、三倍的带隙和三倍的热导率。在半导体材料中形成器件结构
2021-06-15 17:27:148208 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48992 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 碳化硅正被用于多种电力应用。ROHM 与意法半导体之间的协议将增加其在行业中的广泛采用。 汽车和工业市场都在加速采用SiC 材料的能源解决方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圆的过程比制造硅晶圆要复杂
2022-07-28 17:05:011905 碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业,碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351385 【2022年9月19日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与高意集团 (纳斯达克代码:IIVI)签署了一份多年期碳化硅(SiC)晶圆供应协议
2022-09-20 11:39:12593 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF 解决方案的领先供应商 Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布,双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。
2022-11-09 10:53:29550 即将开展为期多年的碳化硅(SiC)半导体供应合作。英飞凌将预留产能,并在2025年至2030年间向Stellantis的一级Tier 1供应商提供CoolSiC™裸片。此次协议潜在的采购量和产能储备
2022-12-27 10:30:58334 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392346 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节,目前全球碳化硅市场基本被国外垄断,根据Yole数据显示,Cree、英飞凌、罗姆约占据了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931 当地时间12日,英飞凌宣布,正在扩大与碳化硅(SiC)供应商合作,已与Resonac签署一份新采购合作长单,补充并扩大了双方2021年签订的合同。
2023-02-02 15:19:54230 碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片,这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂,石油焦,锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420972 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:083925 功率半导体碳化硅(SiC)技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技术的需求继续增长,这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:448 英飞凌科技持续扩大与碳化硅(SiC)供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商,此次与Resonac Corporation(原昭和电工)签署了全新的多年期供应和合作协议。
2023-02-17 09:31:15198 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成为粉末,碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472091 介绍了SIC碳化硅材料的特性,包括材料结构,晶体制备,晶体生长,器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:4817 意法半导体(ST)宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起,采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51932 援引英飞凌科技股份公司2023年5月3日官网消息: 【英飞凌公司正推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,并与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议,以确保获得更多
2023-05-04 14:21:06438 电气化的强劲增长 除了产能投资外,两家公司还将在进一步 优化主驱逆变器系统 方面达成合作 纬湃科技(Vitesco Technologies) 和 安森美(onsemi) 今天宣布了一项价值19亿美元(17.5亿欧元)的 碳化硅产品10年期供应协议 ,以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬
2023-06-02 19:55:01348 长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片,这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 Nexperia与京瓷AVX合作为高频电源应用生产新型碳化硅(SiC)整流器模块
2023-11-02 09:27:26292 协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。 英飞凌与现代汽车和起亚签署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体长期供货协议 现代汽车集团执行副总裁兼全球战略办公室(GSO)负责人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51177 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 12 月 22 日消息,据意法半导体官微消息,该公司与理想汽车签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。
2023-12-24 10:35:24564 2023年5月,英飞凌与天科合达签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底,同时还将提供8英寸碳化硅材料,助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。
2024-01-11 16:38:33388 英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议,SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圆,以支持英飞凌在SiC半导体生产方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 )与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)于今日宣布扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于 2018 年 2 月)。
2024-01-24 09:51:01240 英飞凌和美国碳化硅制造商Wolfspeed近日共同发表声明,延长并扩大了已于2018年2月签订的150毫米碳化硅晶圆长期供应合同。该合作内容还包含了一份多年的产能预留协议。
2024-01-24 14:26:31303 英飞凌科技(Infineon Technologies)与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布,双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系,以满足市场对碳化硅(SiC)晶圆产品日益增长的需求。
2024-01-24 17:19:52441 1月23日,山东有研硅半导体表示已与山东粤海金于1月17日正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》,该协议旨在充分发挥双方各自优势,创新业务合作模式,共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。
2024-01-29 14:36:57459 技术领域的领导者Wolfspeed(NYSE代码:WOLF)近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展,双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性,还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储
2024-01-30 14:19:1677 英飞凌技术公司与美国北卡罗来纳州达勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家专门生产碳化硅(SiC)材料和功率半导体器件的制造商 — 已经扩大并延长了他们的现有长期150毫米碳化硅(SiC)晶圆供应
2024-01-30 17:06:00180 英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布,将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求,并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飞凌科技与Wolfspeed宣布,将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展,双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性,还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:33334 近日,国内领先的半导体企业芯动半导体与国际知名半导体供应商意法半导体成功签署碳化硅(SiC)芯片战略合作协议。这一协议的达成,标志着双方在SiC功率模块领域的合作迈出了坚实的一步,将共同推动SiC芯片在新能源汽车市场的广泛应用。
2024-03-15 09:44:43100 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近期国内碳化硅衬底供应商陆续获得海外大厂的订单,4月底,天岳先进在2022年年报中披露去年公司与博世集团签署了长期协议,公司将为博世供应碳化硅衬底产品
2023-05-06 01:20:002329
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