增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:26
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2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:022551 
芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同
2023-03-28 13:54:32723 
商用4G LTE无线基础设施的扩展，逐渐实现了规模经济，为氮化镓顺利进入MMIC市场提供了有力支持，从而帮助系统设计人员实现更高水平的功能和设备集成，满足新一代5G系统的需求。同时，随着集成射频、模拟
2019-07-31 07:47:23
阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。另外，氧化镓具有良好的化学和热稳定性，成本低，制备方法简便、便于批量生产
2023-03-15 11:09:59
纳微最新一代GaNFast产品采用的是GaNSense技术，具有用于高功率密度快充和适配器应用的控制、驱动以及检测和保护特性。集成的门级驱动消除了驱动回路的寄生电感并防止门级信号振铃和毛刺。无损电流
2023-06-19 07:40:08
今日分享：新一代2.4G射频功放芯片方案-AT2401C.超低成本.替代进口现如今社会的无线通信中，射频设备的使用相当多，智能产品数不尽，而射频放大器在产品中起着较为重要的作用。这种辅助功能我们简称
2020-10-27 11:29:19
新一代纳秒级高带宽仿真工具平台——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
/ 45W+18W / 18W）最大输出功率，100-200V 50/60Hz 电网下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大输出功率。 充电器采用第三代氮化镓芯片制作，集功率器件、驱动、保护
2022-06-14 11:11:16
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围；随着小米65W的充电器的发布，快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率晶体管的引入，氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品，并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
（如处理器）。具有高输入至输出电压比的开关模式功率转换器的效率较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压可以降低成本并提高效率。氮化镓凭借其独特的开关
2019-03-14 06:45:11
应对能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体技术，硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能，并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印：NV6115芯片介绍：NV6115氮化镓MOS，是针对
2021-01-08 17:02:10
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
`TI新一代5V无线充电发射、接收芯片 bq500211、bq51013简介 德州仪器推出首款符合 Qi 标准的 5V 无线电源发送器;新一代电源电路促进 USB 连接无线充电板普及日前，德州仪器
2013-02-21 10:55:57
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰，智融，赛芯微一级代理莫先生：***V信欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合
2021-12-27 15:02:50
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
包括更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更出色的热预算，并进一步降低重量和成本。除了电动汽车市场之外，基于氮化镓的电子产品也为进一步降低数据中心和消费类设备的功耗提供了良机。电动汽车
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化镓充电器的开关频率，已经从 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
几年得到了很大的提高。生产高质量、低成本的体块（Bulk）氮化镓芯片是一项技术。日本大坂大学和丰田公司联合开发了一种新的技术，可以解决以上问题（如下图所示)，这是一种将 Na Flux法（NaFlux
2023-02-23 15:46:22
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2020-10-27 09:28:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
多半仍以机械结构为主，造价高昂，且产品相当笨重，更需要经常维修。为了改良这些缺点，以电力电子为基础的新一代大功率电力设备应运而生。碳化硅等新世代组件，则是在背后促成这股电力设备电子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
W600是联盛德新一代支持多接口、多协议的无线局域网802.11b/g/n WLAN SoC 芯片。W600芯片集成度非常高，且体积只有5*5mm 大小，芯片内部集成了 RF开关、Balun
2018-09-28 11:23:00
概述：NV6127是一款升级产品，导通电阻更小，只有 125 毫欧，是氮化镓功率芯片IC。型号2：AON6268丝印：6268属性：分立半导体产品 - 晶体管封装：DFN-8参数FET 类型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
精通，这个系列直播共分为八讲，从0到1全面解密电源设计，带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
目前的永磁电机或称为直流无刷电机(BLDC)的应用非常广泛。与其他电机相比，永磁电机可提供每立方英寸更高的扭矩和更优越的动态性能。到目前为止，硅基功率器件在逆变器电子领域中一直占主导地位。可是，它们
2023-06-25 13:58:54
重新设计压降检测精度更高的保护芯片，来适配氮化镓在锂电池保护电路中的应用。性能方面介绍完毕后，是不是开始有点心动。还有个大家关心的话题绕不开，自然就是成本。目前氮化镓单颗的成本相比传统MOS略高，但是
2023-02-21 16:13:41
结构会降低，应用可实现更高的精度和更优的控制。食品加工、工业加热和干燥以及能源工业的使用仅仅是一个开始。所实现的低成本和高精度可助力行业领导者（如MACOM）在整个市场中部署创新。农业过程和射频能量在
2018-01-18 10:56:28
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2022-11-10 06:36:09
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
瑞芯微发布24合1视频桥接芯片RK628D RK628D支持三种输入接口，九种输出接口，仅一颗芯片即可实现多达24种视频传输转换接口的组合。RK628D可应用于六大场景包括多屏商显、4K大屏转接
2022-05-31 09:13:25
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片，效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效
2014-01-24 16:08:55
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
重要作用。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案，左侧展示的是锗化硅基MIMO天线，它有1024个元件，裸片面积是4096平方毫米，辐射功率是65dbm，与之形成鲜明对比的，是右侧氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
进的氮化镓值。 2015年，在测量功率开关的Ec时，我们还推测，同样地在更小的器件中允许更高的电场，氧化镓可能会在射频电路中取得类似成功。不过那时我们缺少一个关键信息，即还没有关于材料中的电子速度与电场
2023-02-27 15:46:36
半导体（Navitas）今日市值也就9.4亿美元，而且包括了第三代半导体的另一重要组成部分、收购自GeneSiC的碳化硅业务（想要更多了解的读者可以参考《从纳微看半导体产业并购》）。仅有氮化镓业务
2023-03-03 16:48:40
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2022-11-16 07:42:26
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2018-08-30 15:05:50
氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561498 图片 采用 GaNSense™ 技术的700V额定电压GaNFast™智能氮化镓功率芯片可实现更高的效率和可靠性 图片 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码
2022-05-05 11:13:572207 
美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:311706 GaNSense半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少60%的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。
2022-09-09 14:51:141104 相对于硅材料，使用氮化镓制造新一代的电力电子器件，可以变得更小、更快和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本，允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:082810 一步，推出采用GaNSense™技术的新一代智能GaNFast™氮化镓功率芯片，为氮化镓技术的探索翻开了新的一页。 氮化镓VS传统的硅，节能又减排 众所周知，硅作为晶体管的首选材料，一直是半导体科技的基
2023-02-21 14:57:11
0 增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化镓（GaN）功率芯片的行业
2023-02-22 13:48:053 更高、可靠性更强。 合封氮化镓芯片的主要特点有： 高效率：合封氮化镓芯片采用了全新的器件结构，使得器件的效率更高，可以达到传统半导体器件的两倍以上。 高功率密度：合封氮化镓芯片采用了多个半导体器件集成在一起的
2023-04-11 17:46:231327 GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。
2023-04-25 11:38:45230 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302318 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:151101 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 、射频和光电子等领域，能够提供高效、高性能的功率转换和信号放大功能。 GaN MOS管驱动芯片具有以下特点： 高功率密度：与传统硅基材料相比，氮化镓材料具有更高的击穿电场强度和电导率。这使得GaN MOS管驱动芯片能够承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:23535 氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点： 1.高频率特性：GaN芯片具有优秀的高频特性，可以实现高频率工作，适合用于射频和微波
2024-01-10 10:16:52474
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