电子发烧友App
【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。这使得全新 MOSFET 成为所有的标准和未来车用 40V MOSFET 应用的理想选择，如电动助力转向系统、制动系统、断开开关和新区域架构。OptiMOS 7 系列产品还可用于电池管理、电子保险丝盒以及 DC-DC 和 BLDC 驱动器。
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。该系列采用领先的技术，能在紧凑的设计中提供优异的效率和功率。这些半导体器件具有卓越的功率密度和能效，同时具有业界最低的导通电阻。”
全新 OptiMOS 系列产品降低了开关损耗，并提高了安全工作区（SOA）的鲁棒性和高雪崩电流能力。因此，它们有助于未来高效汽车应用的设计。该器件系列采用多种坚固的车规级功率封装方式，包括 TDSON-8、HSOF-5、HSOF-8 和顶部冷却封装。得益于紧凑的外形，该系列可在提高系统效率的同时大幅降低空间需求。此外，新产品可以改善冷却，同时降低了系统成本。借助这些器件，设计人员能够轻松设计出质量卓著的产品和应用。
供货情况
OptiMOS 40 V 系列已经投产，首批产品可于 2023 年 8 月开始订购。更多信息请访问 www.infineon.com/optimos7。
如需进一步了解英飞凌在提高能源效率方面做出的贡献，请访问：www.infineon.com/green-energy。
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
- 英飞凌(136807)
- MOSFET(209668)
相关推荐
意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性
2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换
2022-06-24 09:57:45
1547
1547
飞兆半导体推出型号为FDB9403的40V PowerTrench MOSFET
飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403，该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:04971
971IR推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET
IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206
1206英飞凌面向汽车电子推出创新型H-PSOF封装
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一种创新型封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率
2012-02-01 09:37:49937
937性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOSTM S7超结MOSFET
英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360
1360英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:20:371482
1482东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
中国上海， 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034
1034
英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494
494
6.0V - 40V输入的汽车仪表盘宽电压输入电源解决方案包括原理图，框图及硬件设置
。前端降压转换器 (TPS65320-Q1) 能够支持 4.5V 冷启动情况。主要特色宽输入电压范围：6.0V - 40V，可承受启动/停止和负载突降情况单片高压开关稳压器包含一个 40V 集成开关、一个
2018-08-09 07:16:19
9 - 40V 汽车输入、5V/2.1A 智能 USB 充电器
`描述此参考设计是来源于汽车电池的完整车用 USB 充电器解决方案。此设计采用 9V 到 40V 的直流输入来生成 5V/2.1A 的输出，适用于智能手机和平板电脑。特性适用于汽车应用的完整 USB
2015-04-22 14:11:49
40V 3A降压式DC/DC驱动芯片 BD8153A
本帖最后由 深圳市巴丁微电子 于 2016-11-7 15:51 编辑
BD8153是一款由深圳市巴丁微电子有限公司推出的输入耐压可达40V的降压式DC/DC驱动电路，能够实现精确的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
40V功率MOSFET能满足汽车要求吗？
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
40V耐压SL3061内置MOS,电流2.5A,可兼容替代XL1509系列
、高效率、高可靠性等优点，被广泛应用于各种电源、电机控制、电力转换等领域。本文将介绍一款具有内置MOS管、电流能力2.5A、耐压40V的SL3061芯片，并探讨其是否可以替代芯龙XL1509系列。
一
2023-11-13 15:24:19
MOSFET驱动及工作区的问题分析
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因此功率MOSFET的损耗将增加，温度升高，同时系统的效率降低。极端情况下在低温的时候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常开通。
2016-12-21 11:39:07
OptiMOS 3功率MOSFET系列产品为高能效产品提供更高性能
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程哦，来教你怎么选择MOSFET
和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧 FET和低侧
2019-11-30 18:41:39
开关电源芯片 FDC6324L 内置负载开关 降低导通电阻 减少成本
= 1.5V至8V2.为极低导通电阻而设计的高单元密度3.VON/OFF齐纳二极管保护可增强耐静电放电能力>6kV人体模型4.SuperSOT™-6封装设计（使用铜引线框架），可提供出色的热和电气能力应用领域：电动汽车车载充电器太阳能互联照明
2021-11-27 12:14:08
开关的导通电阻对传递函数的影响
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48:22
提升开关电源效率和可靠性：半桥谐振LLC+CoolMOS开关管
电源当中，而这种拓扑在提升效率的同时也对MOSFET提出了新的要求。不同于硬开关拓扑，软开关LLC谐振拓扑，不仅仅对MOSFET的导通电阻（导通损耗），Qg（开关损耗）有要求，同时对于如何能够有效的实现软
2018-12-03 11:00:50
汽车类40V至1kV输入反激式参考设计包括BOM及框图
) 或电动汽车 (EV) 牵引逆变器系统。40V 最低输入电压支持来自牵引电机的可再生制动的功能安全测试。该参考设计实现了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，该器件具有用于降低开关损耗的高阻断
2018-10-15 14:56:46
英飞凌40V和60V MOSFET
，英飞凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的开发工作。 与OptiMOS™3技术直接比较，结果表明，新一代MOSFET不仅可极大地降低通态电阻RDS(on)，还可大幅改进开关特性。 阻断电压为
2018-12-06 09:46:29
面向嵌入式系统的优化型IGBT
欧元（600 V、20 A）到5.10欧元（1,200 V、40 A）。针对应用而优化的IGBT提高能源效率和改进系统成本，仍然是光伏逆变器、不间断电源（UPS）和焊接系统等传统IGBT应用，以及
2018-12-03 13:47:00
B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件损耗更适合应用于高频电路
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。在新能源汽车电机控制器
2021-11-10 09:10:42
Diodes 集成功率MOSFET
转换，负载开关，电机控制，背光，电池保护，电池充电器，音频电路和汽车。推荐产品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相关产品请点击此处前往特征：低导通电阻低栅极阈值电压输入
2019-05-13 11:07:19
EN系列可保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能
第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。低噪声 EN系列以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面
2018-12-05 10:00:15
IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
IR新型DirectFET MOSFET
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
IR发布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
DirectFET2功率环保封装 由于采用COOLiRFET硅技术, 40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。双面冷却的中罐式
2018-09-28 15:57:04
KN系列：保持低噪声性能并可高速开关
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声等特征，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
MAX1553高效40V升压转换器电子资料
概述：MAX1553能够以恒定电流驱动串联的白色LED，为蜂窝电话、PDA及其它手持设备提供高效的显示器背光驱动。这款升压转换器内部包含一个40V、低RDSON的N沟道MOSFET开关，可提高效率、延长电池寿命。
2021-04-21 07:38:25
OC5820——2.5A，40V 降压DCDC
。OC5820 采用 ESOP8 封装，且外围元器件少。特点 2.5A 的峰值输出电流 40V/3A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围：6
2022-01-13 09:35:22
ROHM新品 | 适用于工业设备和基站电机的新一代双极MOSFET
泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导
2021-07-14 15:17:34
SAR ADC RC滤波器，请问输入开关导通电阻为何能忽略？
忽略输入开关的导通电阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，远大于外部电阻Rext，输入开关导通电阻为何能忽略？如果考虑Rin，又该如何计算？另外Vstep为什么这样计算？
2018-08-06 07:49:37
SJ MOSFET的效率改善和小型化
公司也有生产，但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压，还实现了低导通电阻与低栅极电荷，开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
SL3061耐压40V降压恒压芯片 40V降12V降5V 支持电流2.5A
。
SL3061 40V/2.5A开关降压型转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
SiC MOSFET SCT3030KL解决方案
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC-MOSFET器件结构和特征
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET有什么优点
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
SiC功率器件SiC-MOSFET的特点
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
【在线研讨会】英飞凌新 OptiMOS 全面提升不同负载效率
新的功率密度和能效标准。 极低的门极电荷，输出电荷以及极低的导通电阻使得New OptiMOS成为服务器，数据通信和电信产品电压调节器上的最佳选择。40V, 60V OptiMOS更为DC/DC变换器
2012-07-13 10:50:22
为何使用 SiC MOSFET
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
什么是MOS管40N120-ASEMI的导通特性，40N120开关损失怎么看
编辑-Z使用MOS管40N120设计开关电源或电机驱动电路时，一般需要考虑40N120导通电阻、最大电压、最大电流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的导通特性？40N120开关损失怎么看
2021-12-29 16:53:46
低功耗40v降压IC 输出ADJ 2.5A 电动车专用芯片
概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全保护
2022-06-10 15:16:08
具备低导通电阻的单通道限流高侧开关IC
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
需要具备非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边
2018-10-19 16:47:06
内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1chDC/DC转换器
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
同时具备MOSFET和IGBT优势的HybridMOS
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
品佳推出英飞凌汽车LED大灯驱动方案
大联大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飞凌汽车LED大灯驱动解决方案，不同于传统白炽灯需要恒定直流电源供电，而且需要一系列保护功能和状态回馈，LED将让汽车照明更有效率且具有更多优势
2018-12-12 09:50:04
基于QR分解和提升小波变换的鲁棒音频水印方法
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑
利用QR分解的稳定性以及提升小波计算速度快的优良特性,给出一种基于QR分解和提升小波变换的盲鲁棒数字音频水印方法.为了保护原始
2011-03-04 21:44:30
基于联锁栅极驱动器提高三相逆变器的鲁棒性
停工和生产损失。因此，VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。图1所示的三相逆变器结构是VFD的核心，能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁棒性的关键要素。该项技术由德州仪器研发。
2019-07-12 07:11:20
封装寄生电感对MOSFET性能的影响
的影响。封装源电感是决定切换时间的关键参数，后者与开关速度和开关可控性密切相关。英飞凌最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET能最大限度地减少传统的TO247封装寄生电感造成的不利影响，实现更高系统效率。
2018-10-08 15:19:33
应用于新能源汽车的碳化硅半桥MOSFET模块
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
强鲁棒性低侧栅极驱动电路设计指导手册
设计，TI推出的新一代低侧栅极驱动芯片UCC27624针对以上提到的风险点，作出了相应优化，大大提升了芯片的鲁棒性：高达30V的VDD最大耐压值，提升了安全裕度；提高了内部LDO的噪声抑制能力，从而提升
2022-11-03 08:28:01
德州仪器14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET
阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。 最低导通电阻： 两款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
推荐一款40V2.5A开关降压型转换器
产品概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46
新品速递 #6 40V、2.5A、低IQ同步升压Silent Switcher -LT8336 数据手册
范围、低VIN引脚静态电流（突发工作模式下）以及用于同步MOSFET的100%占空比能力（直通工作模式下，VIN ≥ VOUT），使其非常适合通用升压和汽车预升压应用。LT8336集成了40V、2.5A
2020-08-28 10:06:36
浅析降低高压MOS管导通电阻的原理与方法
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
的主要损耗包括开关损耗、传导损耗、体二极管损耗和栅极驱动损耗。开关损耗主要是由器件本身结构的寄生电容产生的。传导损耗是器件工作在增强模式时由导通电阻（RDS(on)）产生的。体二极管损耗是正向电压
2012-12-06 14:32:55
电动汽车的全新碳化硅功率模块
CoolSiC 汽车 MOSFET 技术的成熟，英飞凌也成功的将该技术进入 EasyPACK，并获得了汽车级认证，目前正在扩展该模块系列的应用范围，旨在涵盖具有高效率和高开关频率需求的电动汽车的高压应用。其中
2021-03-27 19:40:16
碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
碳化硅如何改进开关电源转换器设计？
。 总结 与硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列优势，再加上其在硬开关应用中的鲁棒性，使其值得在最有效的功率转换应用中加以考虑。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC™ MOSFET 技术在经济上更加可行，适合那些将功率转换推向极限的用户。
2023-02-23 17:11:32
结构小巧绿色环保的OptiMOS 3 MOSFET可达到更高的效率
达100A的电流处理能力等特性，使该系列产品在40至80V电压等级的低电阻MOSFET应用方面树立了全新的标准。OptiMOS 3产品用于要求高效率和高功率密度的功率转换和电源管理系统，应用范围广泛
2018-12-07 10:23:12
资深工程师经验：提升开关电源效率和可靠性的措施
开关拓扑，软开关LLC谐振拓扑，不仅仅对MOSFET的导通电阻（导通损耗），Qg（开关损耗）有要求，同时对于如何能够有效的实现软开关，如何降低失效率，提升系统可靠性，降低系统的成本有更高的要求
2019-02-20 06:30:00
过压故障保护模拟开关对分立保护器件的替代
作者：Paul O'Sullivan摘要设计具有鲁棒性的电子电路较为困难，通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。本文将讨论故障保护开关架构，及其与传统分立保护
2019-07-26 08:37:28
降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导
2023-02-27 11:52:38
高性能功率半导体封装在汽车通孔的应用
是将一系列元件组合在电路中，电流必须不受限制地流过封装，热量必须导入冷却系统。因此，系统的鲁棒性取决于整个链条中最薄弱的环节。如果一只典型MOSFET的导通电阻RDS(ON)约为8毫欧，那么比这个
2019-05-13 14:11:51
高耐压超级结MOSFET的种类与特征
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44595
595德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET，可以
德州仪器推出面向高电流DC/DC应用的功率MOSFET，可以显著降低上表面热阻
采用创新封装手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升80%、允许电流提高5
2010-01-15 08:39:05727
727英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57828
828英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS
英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示
2010-03-01 11:20:47731
731IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444
1444导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:474912
4912IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746
746英飞推出全新650V 高性能功率MOSFET系列
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261675
1675IR推出坚固的新型平面MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
2011-07-12 08:40:54966
966英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16692
692英飞凌推出新型汽车电源管理40V P通道OptiMOS P2系列
英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41648
648英飞凌科技推出汽车封装无铅功率MOSFET
英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014
1014Toshiba推车用低导通电阻功率MOSFET
东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:30964
964e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS与OptiMOS系列功率MOSFET
e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品，进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381393
1393英飞凌推出面向18〜40kHz开关用途的低损耗IGBT
英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT（绝缘栅双极型晶体管）“RC-E系列”（英文发布资料）。新产品在IGBT上集成续流用体二极管
2016-11-14 14:51:361390
1390英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合动力汽车新技术
英飞凌联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。
2019-05-14 16:58:301298
1298关于英飞凌OptiMOS实现这款90W车载充电器方案介绍
英飞凌革命性OptiMOS产品的P沟道功率MOSFET之一，在导通电阻的开关系统设计中，能经受极高的质量考验以满足高性能的需求；加入增强模式，可根据不同应用场景选择Normal Level
2019-09-24 11:37:513181
3181
英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过技术革新，为高开关频率应用树立全新行业标杆
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新颖的设计理念， 具有更低的导通电阻和同类产品中更佳的优值系数 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381074
1074英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073
2073
什么是OptiMOS MOSFET？
OptiMOS 已经成为采用英飞凌独特技术的中低耐压 MOSFET 的商标，有多种耐压、RDS(on)、封装，适用于汽车和消费类应用。英飞凌在功率半导体领域的市场占有率位居全球第一，特别是在汽车
2022-08-19 15:05:053322
3322
东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676
2676EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。
2023-02-10 09:41:07579
579
资料下载 | 低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）产品参考资料
近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品（40V/60V/80V/100V/150V），备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
2023-05-17 13:35:02471
471
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速开关和改进的dv/it能力
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技术。它具有快速开关和改进的dv/it能力，适用于MB/VGA、POL应用和DC-DC转换器等领域。本文将介绍CMS4070M的特点、应用领域以及关键性能参数。
2023-06-08 14:28:28663
663
英飞凌推出新一代面向汽车应用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302
302
英飞凌推出OptiMOS 7技术的40V车规MOSFET产品系列
采用OptiMOS 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678
678
纳芯微推出首款车规级40V/单通道90mΩ智能低边开关NSE11409系列
纳芯微推出首款车规级40V/单通道90mΩ智能低边开关NSE11409系列
纳芯微全新推出首款业界领先的NSE11409系列智能低边开关芯片，该款芯片是专门针对驱动高可靠性负载应用而设计的，广泛应用于驱动汽车和工业场景中的继电器、执行阀、照明和加热电阻丝等负载元件。
2022-10-27 13:42:50545
545
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装的MOSFET器件的产品阵容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12519
519英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
363
工商网监
评论