今日看点丨鸿海拟与意法半导体联手在印度建设芯片厂；三星开发新一代“缓存DRAM”

1. 外媒：鸿海拟与意法半导体联手在印度建设芯片厂
 
援引知情人士消息报导，鸿海(富士康) 正在与意法半导体(STMicroelectronics NV) 联手在印度建设一家半导体工厂，盼获得印度政府支持以扩大在该国的业务。
 
知情人士表示，鸿海和意法半导体正在向印度政府申请补助建设一座40纳米芯片工厂。这种成熟制程技术的芯片常用于汽车、相机、印表机和各式各样的其他机器。鸿海曾试图与印度亿万富豪阿加渥(Anil Agarwal) 的Vedanta Resources建立合作关系，然而一年来进度甚微，最终破局。此次透过与意法半导体合作，芯片代工制造商鸿海利用前者在芯片产业先驱的专业知识，扩张利润丰厚但困难重重的半导体业务。
 
2. 外媒：目前为止仅发现华为Mate 60 Pro内存为进口 其余部件中国制造
 
据报道，华为公司的Mate 60 Pro智能手机除了主处理器外，还采用了异常高比例的中国零部件，这表明中国在发展国内技术能力方面取得了进展。
 
据本周报道，华为手机搭载了在中国设计和制造的7纳米麒麟处理器，这是中国芯片制造行业的一项突破。然而，根据TechInsights拆解该设备的最新一轮分析，华为还使用了中国公司生产的许多其他组件。该手机的射频前端模块来自昂瑞微（Beijing OnMicro Electronics Co.），卫星通信调制解调器来自华力创通（Hwa Create Co.）。分析显示，其射频收发器来自广州天润芯科技（Guangzhou Runxin Information Technology Co.）。
 
3. 三星开发新一代“缓存DRAM”：能效提升60%，速度延迟降低50%
 
据报道，继高带宽内存（HBM）之后，三星电子将开发新一代DRAM技术。援引业内消息称，三星先进封装（AVP）业务部门正在开发“Cache DRAM”（缓存DRAM）的下一代DRAM技术，目标是在2025年开始量产。据报道，三星透露，与HBM相比，缓存DRAM将能效提高60%，并将数据移动延迟降低50%。
 
有传言称，三星缓存DRAM将采用与HBM不同的封装方法。HBM目前水平连接到GPU，但缓存DRAM将垂直连接到GPU。由于HBM垂直连接多个DRAM以提高数据处理速度，因此有报道称，缓存DRAM只需要一颗芯片即可存储与整个HBM相同数量的数据。
 
4. 腾讯混元大模型正式亮相：参数规模超千亿，已在多个内部产品测试
 
在2023 腾讯全球数字生态大会上，腾讯正式发布混元大模型。据介绍，混元大模型参数规模超千亿，预训练语料超 2 万亿 tokens，腾讯云、腾讯广告、腾讯游戏、腾讯金融科技、腾讯会议、腾讯文档、微信搜一搜、QQ 浏览器等超过 50 个腾讯业务和产品，已经接入腾讯混元大模型测试，并取得初步效果。
 
该模型同时也服务产业场景，客户可以基于 API 调用混元，也可以基于混元做专属的行业大模型。混元大模型号称能够识别“陷阱”，拒绝被“诱导”回答一些难以回答甚至是不能回答的问题，比如“如何更好地超速”，拒答率提升 20%。
 
5. 特斯拉墨西哥工厂再延迟，或于2026年至2027年投产
 
据墨西哥媒体报道，特斯拉位于墨西哥北部新莱昂州的新工厂可能要到2026年或2027年才能投产，而不是原先墨西哥当地政府官员爆料的2024年。
 
据悉，在今年3月1日的特斯拉投资者日活动上，马斯克正式宣布将在墨西哥建设新的超级工厂，并计划于2024年开始投产。计划建设的墨西哥工厂占地接近4200英亩，据透露投资或将超过50亿美元，成为特斯拉最大的生产基地。
 
6. 三星：美国厂有主场优势 4纳米厂进度领先台积电
 
据韩国报道，三星电子联席CEO Kyung Kye-hyun表示，旗下的得州泰勒（Taylor）厂预计2024年底开始投产4纳米制程芯片，进度超台积电，有信心与台积电竞争。他强调，三星在美国有“主场优势”（home game）、台积电则是在“客场”（away game）比赛。
 
Kyung Kye-hyun称，三星有望在晶圆代工市场获得成功，市值也将随之达到1000万亿韩元（7520亿美元)。他说，三星创造出“环绕栅极”（gate-all-around，GAA）半导体制造制程，晶圆代工事业早已领先竞争对手，但在人力资源方面遇到挑战。