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电子发烧友网>汽车电子>新思科技面向台积公司N5A工艺技术推出业内领先的广泛车规级IP组合

新思科技面向台积公司N5A工艺技术推出业内领先的广泛车规级IP组合

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2023-10-24 16:42:061394

思科面向公司N5A工艺技术推出领先广泛IP组合

思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,面向公司N5A工艺推出业界领先广泛接口IP和基础IP产品组合,携手公司推动下一代“软件定义汽车”发展,满足汽车系统芯片(SoC)的长期可靠性和高性能计算需求。
2023-10-24 17:24:561695

思科技携手是德科技、Ansys面向公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

科技(Keysight)、Ansys共同推出面向公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该
2023-10-30 16:13:05902

思科推出业界领先广泛接口IP和基础IP产品组合

和 M-PHY ,以及 USB IP 产品都遵循了 TSMC N5A 工艺领先的车载等级设计规则。 新思科技宣布面向公司N5A工艺推出业界领先广泛接口IP和基
2023-10-31 09:18:441918

思科技可互操作工艺设计套件助力开发者快速上手模拟设计

模拟设计 新思科技携手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射频设计参考流程,能够为现代射频集成电路设计提供完整解决方案 新思科技(Synopsys)近日宣布,其模拟设计迁移流程已应用于公司N4P、N3E 和 N2 在内的多项先进工艺。作为新思科技定制设计系列产品
2023-11-09 10:59:401588

思科技携手合作伙伴开发针对台公司N4P工艺的射频设计参考流程

、汽车和高性能计算设计的开发和硅片成功。在2023年公司北美OIP生态系统论坛上,新思科技展示的解决方案数量远超从前,进一步突显了新思科技与公司及其合作伙伴面向公司先进工艺和3DFabric技术的成熟解决方案方面的紧密合作。
2023-11-14 10:31:461202

思科技于2023公司OIP生态系统论坛上荣获多项年度合作伙伴大奖

。 新思科技接口IP组合已在台公司N3E工艺上实现硅片成功,能够降低集成风险,加快产品上市时间,并针对台公司N3P工艺提供一条快速开发通道。 集成3Dblox 2.0标准的全面多裸晶芯片系统解决方案提高了快速异构集成的生产率。 新思科技携手A
2023-11-14 14:18:45745

思科技携手合作伙伴面向公司N4PRF工艺推出全新射频方案

全新参考流程针对台公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。
2023-11-27 16:54:021430

电首次提及 1.4nm 工艺技术,2nm 工艺按计划 2025 年量产

12 月 14 日消息,电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的小组研讨会上透露,其 1.4nm 工艺制程研发已经全面展开。同时,电重申,2nm 制程将按计划于 2025
2023-12-18 15:13:181174

思科技与英特尔深化合作,以新思科IP和经Intel 18A工艺认证的EDA流程加速先进芯片设计

; 新思科广泛的高质量 IP组合降低集成风险并加快产品上市时间,为采用Intel 18A 工艺的开发者提供了竞争优势; 新思科技 3DIC Compiler提供了覆盖架构探索到签收的统一平,可实现采用
2024-03-05 10:16:591021

思科技收购Intrinsic ID,持续拓展全球领先的半导体IP产品组合

思科技(Synopsys)近日宣布完成对Intrinsic ID的收购,后者是用于系统芯片(SoC)设计中物理不可克隆功能(PUF)IP领先提供商。
2024-04-01 17:11:071079

思科技与英特尔在UCIe互操作性测试进展

英特尔的测试芯片Pike Creek由基于Intel 3技术制造的英特尔UCIe IP小芯片组成。它与采用公司N3工艺制造的新思科技UCIe IP测试芯片形成组合
2024-04-18 14:22:541759

思科面向公司先进工艺加速下一代芯片创新

 新思科技携手公司共同开发人工智能驱动的芯片设计流程以优化并提高生产力,推动光子集成电路领域的发展,并针对台公司的2纳米工艺开发广泛IP组合   摘要: 由Synopsys.ai™ EDA
2024-05-11 11:03:49695

思科技与公司深度合作,推动芯片设计创新

 新思科技EDA事业部战略与产品管理副总裁Sanjay Bali表示:“新思科技在可投产的EDA流程和支持3Dblox标准的3DIC Compiler光子集成方面的先进成果,结合我们广泛IP产品组合,使得我们与公司能够助力开发者基于公司先进工艺加速下一代芯片设计创新。
2024-05-11 16:25:421016

思科技与公司深化EDA与IP合作

思科技近日与公司宣布,在先进工艺节点设计领域开展了广泛的EDA和IP合作。双方的合作成果已经成功应用于一系列人工智能、高性能计算和移动设计领域,取得了显著成效。
2024-05-13 11:04:48931

思科技物理验证解决方案已获得公司N3P和N2工艺技术认证

由Synopsys.ai EDA套件赋能可投产的数字和模拟设计流程能够针对台公司N3/N3P和N2工艺,助力实现芯片设计成功,并加速模拟设计迁移。
2024-05-14 10:36:481197

思科技再获公司多项OIP年度合作伙伴大奖

半导体技术领域的发展速度十分惊人,新思科技与公司(TSMC)始终处于行业领先地位,不断突破技术边界,推动芯片设计的创新与效率提升。我们与公司的长期合作催生了众多行业进步,从更精细的工艺节点到更高层次的系统集成,创造了无限可能。
2024-10-31 14:28:171022

大普技术发布SPI接口高精度RTC——INS5A4000

在成功推出I2C接口高精度RTC芯片INS5A8900与INS5A8804后,大普技术再次发力,最新发布了SPI接口超宽温高精度RTC系列——INS5A4000。 INS5A4000系列
2025-02-08 10:23:011057

Cadence携手公司推出经过其A16和N2P工艺技术认证的设计解决方案,推动 AI 和 3D-IC芯片设计发展

同时宣布针对台公司 N3C 工艺的工具认证完成,并基于公司最新 A14 技术展开初步合作 中国上海,2025 年 5 月 23 日——楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ
2025-05-23 16:40:041714

思科技携手公司开启埃米设计时代

思科技近日宣布持续深化与公司的合作,为公司的先进工艺和先进封装技术提供可靠的EDA和IP解决方案,加速AI芯片设计和多芯片设计创新。
2025-05-27 17:00:551040

思科技携手是德科技推出AI驱动的射频设计迁移流程

思科技与是德科技宣布联合推出人工智能(AI)驱动的射频设计迁移流程,旨在加速从公司N6RF+向N4P工艺的迁移,以满足当今要求严苛的无线集成电路应用对性能的需求。全新的射频设计迁移工作流程以
2025-06-27 17:36:151350

Cadence AI芯片与3D-IC设计流程支持公司N2和A16工艺技术

上市周期,以满足 AI 和 HPC 客户的应用需求。Cadence 与公司在 AI 驱动的 EDA、3D-IC、IP 及光子学等领域展开了紧密合作,推出全球领先的半导体产品。
2025-10-13 13:37:592087

思科技旗下Ansys仿真和分析解决方案产品组合已通过公司认证

思科技近日宣布,其旗下的Ansys仿真和分析解决方案产品组合已通过公司认证,支持对面向公司最先进制造工艺(包括公司N3C、N3P、N2P和A16)的芯片设计进行准确的最终验证检查。两家公司
2025-10-21 10:11:05435

思科技LPDDR6 IP已在台公司N2P工艺成功流片

思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在台公司 N2P 工艺成功流片,并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位,同时也为客户提供可信赖的、经硅片验证的IP选择,可满足移动通讯、边缘 AI 及高性能计算等更高存储带宽需求的应用场景。
2025-10-30 14:33:481873

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